一种深紫外LED芯片的制作方法

一种深紫外led芯片
技术领域
1.本实用新型属于半导体芯片技术领域，涉及一种led(发光二极管)芯片，尤其涉及一种深紫外led芯片。


背景技术：

2.半导体深紫外发光二极管(led)作为一种新型的高效固态光源，被广泛的应用于医疗、公共卫生、水体杀菌等领域。与目前所使用的汞灯相比，半导体深紫外发光二极管具有效率高、寿命长、体积小、环境友好等优点，具有极大的市场和全新的应用场景。
3.如图1所示，在现有技术中，无论小、中、大尺寸的深紫外led芯片均采用矩形的芯片设计结构。同时，其芯片切割线1(也就是，芯片的周边)、深刻蚀线2围成的形状以及pn台面刻蚀线3围成的形状也都呈矩形。这样，由于深紫外led芯片发光模式为tm模，导致其侧向出光严重，而由于侧壁的面积较小，导致其光提取困难，从而降低了深紫外led芯片的发光亮度。
4.鉴于现有技术的上述技术缺陷，迫切需要研制一种新型的深紫外led芯片。


技术实现要素：

5.为了克服现有技术的缺陷，本实用新型提出一种深紫外led芯片，其可以增加芯片周长，从而增加侧壁的表面积，达到提高芯片出光面积的效果，可有效提升芯片亮度。
6.为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
7.一种深紫外led芯片，所述深紫外led芯片呈菱形，其特征在于，所述深紫外led芯片的深刻蚀线围成的形状也为菱形且所述深刻蚀线为周期性曲线，所述深紫外led芯片的pn台面刻蚀线围成的形状为三角形和六边形。
8.优选地，所述pn台面刻蚀线围成的形状为两个所述三角形和一个所述六边形且两个所述三角形位于所述六边形的两侧。
9.优选地，所述六边形的最长对角线与所述深紫外led芯片的最长对角线重叠。
10.优选地，所述深刻蚀线围成的菱形的最长对角线与所述深紫外led芯片的最长对角线重叠。
11.优选地，所述pn台面刻蚀线也为周期性曲线。
12.优选地，所述周期性曲线为波浪线。
13.与现有技术相比，本实用新型的深紫外led芯片具有如下有益技术效果中的一者或多者：
14.1、其通过将芯片设计成菱形，在保证芯片面积不变的情况下，可以增加芯片周长，从而增加侧壁的表面积，达到提高芯片出光面积的效果，可有效提升芯片亮度5-20％。
15.2、其使得芯片的pn台面刻蚀线与深刻蚀线均用周期性曲线代替直线，增加了刻蚀侧壁的周长，可再有效提升芯片亮度5-10％。
附图说明
16.图1是现有深紫外led芯片的形状示意图。
17.图2是本实用新型的实施例1的深紫外led芯片的形状示意图。
18.图3是本实用新型的实施例2的深紫外led芯片的形状示意图。
具体实施方式
19.下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明，实施例的内容不作为对本实用新型的保护范围的限制。
20.本实用新型涉及一种深紫外led芯片，其能够提高芯片出光面积，可有效提升芯片的亮度。
21.图2示出了本实用新型的实施例1的深紫外led芯片的形状示意图。如图2所示，与传统的深紫外led芯片呈矩形不同，本实用新型的深紫外led芯片呈菱形。
22.这样，所述深紫外led芯片的芯片切割线101，也就是，所述深紫外led芯片的周边呈菱形。由此，在保证芯片面积不变的情况下，通过将芯片设计成菱形，可以增加芯片的周长，也就是，芯片切割线101的长度，从而增加芯片侧壁的表面积，达到提高芯片出光面积的效果，可有效提升芯片的亮度。
23.并且，所述深紫外led芯片的深刻蚀线102围成的形状也为菱形。优选地，所述深刻蚀线102围成的菱形的最长对角线与所述深紫外led芯片的最长对角线重叠。
24.同时，所述深紫外led芯片的pn台面刻蚀线103围成的形状为三角形和六边形。
25.优选地，所述pn台面刻蚀线103围成的形状为两个所述三角形和一个所述六边形且两个所述三角形位于所述六边形的两侧。
26.更优选地，所述六边形的最长对角线与所述深紫外led芯片的最长对角线重叠。
27.由此，可以增加深刻蚀线和pn台面刻蚀线的长度，从而可以增加刻蚀侧壁的周长，进而可以增加芯片刻蚀侧壁的表面积，达到提高芯片出光面积的效果，可有效提升芯片的亮度。
28.图3示出了本实用新型的实施例2的深紫外led芯片的形状示意图。如图3所示，与实施例1相似，所述深紫外led芯片也呈菱形，也就是，其芯片切割线201围成的形状为菱形。与实施例1不同的是，在实施例2中，所述深刻蚀线202为周期性曲线。并且，所述pn台面刻蚀线203也为周期性曲线。其中，所述周期性曲线可以是任何具有周期性变化的曲线。例如，所述周期性曲线为波浪线等。
29.与采用直线相比，所述pn台面刻蚀线203与深刻蚀线202均用周期性曲线，可以增加刻蚀侧壁的周长，进而可以增加芯片刻蚀侧壁的表面积，达到提高芯片出光面积的效果，可以进一步有效提升芯片的亮度。
30.最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制。本领域的技术人员，依据本实用新型的思想，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。


技术特征：
1.一种深紫外led芯片，所述深紫外led芯片呈菱形，其特征在于，所述深紫外led芯片的深刻蚀线(202)围成的形状也为菱形且所述深刻蚀线(202)为周期性曲线，所述深紫外led芯片的pn台面刻蚀线(203)围成的形状为三角形和六边形。2.根据权利要求1所述的深紫外led芯片，其特征在于，所述pn台面刻蚀线(203)围成的形状为两个所述三角形和一个所述六边形且两个所述三角形位于所述六边形的两侧。3.根据权利要求1所述的深紫外led芯片，其特征在于，所述六边形的最长对角线与所述深紫外led芯片的最长对角线重叠。4.根据权利要求1所述的深紫外led芯片，其特征在于，所述深刻蚀线(202)围成的菱形的最长对角线与所述深紫外led芯片的最长对角线重叠。5.根据权利要求4所述的深紫外led芯片，其特征在于，所述pn台面刻蚀线(203)也为周期性曲线。6.根据权利要求5所述的深紫外led芯片，其特征在于，所述周期性曲线为波浪线。

技术总结
本实用新型属于半导体芯片技术领域，涉及一种深紫外LED芯片，所述深紫外LED芯片呈菱形，所述深紫外LED芯片的深刻蚀线(202)围成的形状也为菱形且所述深刻蚀线(202)为周期性曲线，所述深紫外LED芯片的pn台面刻蚀线(203)围成的形状为三角形和六边形。其可以增加芯片周长，从而增加侧壁的表面积，达到提高芯片出光面积的效果，可有效提升芯片的亮度。可有效提升芯片的亮度。可有效提升芯片的亮度。


技术研发人员：张向鹏 张晓娜 郭凯 王雪
受保护的技术使用者：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2022/11/2