信号传输结构的制作方法

1.本技术涉及一种信号传输结构，尤其涉及一种适用于传输高频信号的信号传输结构。


背景技术：

2.一般情况下，高频信号传输领域中，不仅要求信号的损耗低，而且还对信号传输结构的弯折性有一定的要求。然而，较低的信号损耗一般要求信号传输线路线宽较大，但为匹配较大线宽的信号传输线路的阻抗，一般需要设计较厚的绝缘层，而较厚的绝缘层通常是不利于弯折性能的提升。从而导致较低的信号损耗与良好的弯折性能难以兼具。


技术实现要素：

3.为解决背景技术中的问题，本技术提供一种信号传输结构。
4.一种信号传输结构，具有厚度方向和垂直所述厚度方向的宽度方向，所述信号传输结构包括一信号传输层、多个接地参考层、电磁屏蔽层及一介电结构。所述信号传输层包括多个信号线路，多个所述信号线路沿所述宽度方向并排间隔设置。多个所述接地参考层沿所述厚度方向设于所述信号传输层的相对两侧，所述接地参考层贯穿设有开槽，所述开槽对应所述信号线路设置。所述电磁屏蔽层连接最外侧的所述接地参考层。所述介电结构设于所述信号传输层和所述电磁屏蔽层之间，所述介电结构穿过所述开槽。
5.进一步地，所述介电结构包括内侧介电层和外侧介电结构，所述内侧介电层设于所述信号传输层的相对两侧，部分所述外侧介电结构设于所述接地参考层和所述内侧介电层之间，另一部分所述外侧介电结构设于所述二电磁屏蔽层和所述接地参考层之间。
6.进一步地，所述外侧介电结构包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于所述二电磁屏蔽层和与最外侧的所述接地参考层之间，部分所述绝缘保护层填入所述开槽。
7.进一步地，所述绝缘保护层贯穿设有开口，部分所述接地参考层于所述开口的底部露出，部分所述电磁屏蔽层填入所述开口以电性连接所述接地参考层。
8.进一步地，所述外侧介电结构包括多个绝缘间隔层，所述绝缘间隔层设于所述接地参考层和所述内侧介电层之间，每一所述绝缘间隔层贯穿设有第一开孔，每一所述接地参考层贯穿设有第二开孔，每一所述绝缘保护层贯穿设有第三开孔，所述第一开孔、所述第二开孔、以及所述第三开孔对应设置以形成开窗，所述内侧介电层露出于所述开窗，部分所述电磁屏蔽层填入所述开窗的内壁。
9.进一步地，所述信号传输结构还包括多个层间导通体，多个所述层间导通体沿所述厚度方向间隔设于所述介电结构，所述信号传输层还包括多个接地线路，所述接地线路设于每相邻两个所述信号线路之间，所述层间导通体连通所述接地参考层和所述接地线路。
10.进一步地，每相邻两个所述层间导通体之间的距离为0.2～3毫米。
11.进一步地，连接所述电磁屏蔽层的所述接地参考层包括多个第一岛状结构及多个
参考线路，每一所述参考线路连接于每相邻两个所述第一岛状结构，沿所述宽度方向，所述第一岛状结构的截面宽度大于所述参考线路的截面宽度，所述第一岛状结构对应所述开口设置，所述电磁屏蔽层连接所述第一岛状结构。
12.进一步地，每相邻两个所述第一岛状结构之间的距离为0.1～3厘米。
13.进一步地，所述信号传输层还包括多个第二岛状结构，每一所述接地线路连接于每相邻的两个所述第二岛状结构，沿所述宽度方向，所述第二岛状结构的截面宽度大于所述接地线路的截面宽度，所述第二岛状结构对应所述第一岛状结构设置，所述层间导通体连接所述第二岛状结构。
14.进一步地，所述信号线路沿所述宽度方向的截面宽度为0.04～0.5毫米，所述介电结构沿所述厚度方向的截面高度为0.05～0.5毫米。
15.相较于现有技术，本技术通过在信号传输层并排设置多个信号线路，即，将多个信号线路设置在同一层，从而有利于减少信号传输结构的整体厚度，并提高信号传输结构的弯折性能。本技术还通过在接地参考层设置开槽，使得所述信号线路对应的介电结构的厚度增加，从而可以匹配线宽较大的所述信号线路，从而有利于减少西信号传输损耗。从而使得该信号传输结构兼具低损耗和良好的弯折性。
附图说明
16.图1为本技术一实施例提供的信号传输结构的整体示意图。
17.图2为图1所示的信号传输结构的局部分解图。
18.图3为图1所示的信号传输结构沿iii-iii的截面示意图。
19.图4为图1所示的信号传输结构沿iv-iv的截面示意图。
20.主要元件符号说明
21.信号传输结构100
22.信号传输层10
23.信号线路11
24.接地线路12
25.第二岛状结构13
26.接地参考层20
27.开槽21
28.第二开孔22
29.第一岛状结构23
30.开窗24
31.参考线路25
32.电磁屏蔽层30
33.介电结构40
34.内侧介电层41
35.外侧介电结构42
36.绝缘保护层421
37.绝缘间隔层422
38.开口423
39.第一开孔424
40.第三开孔425
41.层间导通体43
42.厚度方向a
43.宽度方向b
44.长度方向c
45.线宽d
46.厚度g
47.距离l1、l2
48.宽度w1、w2、w3、w4
49.如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。
具体实施方式
50.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
51.需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存于居中元件。当一个元件被认为是“设置于”另一个元件，它可以是直接设置于另一个元件上或者可能同时存于居中元件。
52.请参见图1，本技术一实施例提供一种信号传输结构100，所述信号传输结构100可以用于传输高频信号，所述高频信号包括波长为毫米级或者厘米级的信号。
53.所述信号传输结构100包括一个信号传输层10、两个接地参考层20、两个电磁屏蔽层30以及两个介电结构40。所述信号传输结构100具有厚度方向a、宽度方向b以及长度方向c，所述厚度方向a、所述宽度方向b及所述长度方向c两两垂直。
54.请参见图1和图2，所述信号传输层10包括多个信号线路11。多个所述信号线路11沿所述宽度方向b并排间隔设置，每一所述信号线路11的线宽d为0.04～0.5毫米，每一所述信号线路11的厚度h为0.009～0.02毫米(参见图3)。其中，所述线宽d指所述信号线路11沿所述宽度方向b的截面宽度。所述信号线路11用于传输高频信号。
55.两个所述接地参考层20分别设于所述信号传输层10的相对两侧。所述接地参考层20贯穿设有开槽21。所述开槽21对应所述信号线路11设置。所述接地参考层20用于接地。
56.每一所述电磁屏蔽层30间隔设于最外侧的所述接地参考层20的背离所述信号传输层10的一侧，最外侧的所述接地参考层20指离开所述信号传输层10一侧最远的接地参考层20。
57.每一所述介电结构40设于所述信号传输层10和所述电磁屏蔽层30之间的间隙，从而电性隔绝所述电磁屏蔽层30和所述接地参考层20以及电性隔绝所述接地参考层20和所述信号传输层10。所述介电结构40穿过所述开槽21。沿所述厚度方向a，所述介电结构40的厚度g为0.05～0.5毫米(参见图4)。
58.本技术通过在信号传输层10并排设置多个信号线路11，即，将多个信号线路11设置在同一层，从而有利于减少信号传输结构100的整体厚度，进而有利于提高信号传输结构
100的弯折性能。通过在接地参考层20设置开槽21，使得所述信号线路11对应的介电结构40的厚度增加，从而可以匹配线宽较大的所述信号线路11，从而有利于减少信号的传输损耗。
59.请参见图2和图3，在本实施例中，所述介电结构40为层状结构，所述介电结构40包括内侧介电层41和外侧介电结构42。所述内侧介电层41连接于所述信号传输层10的相对两侧，所述接地参考层20间隔设于所述内侧介电层41的一侧。部分所述外侧介电结构42设于所述接地参考层20和所述内侧介电层41之间，另一部分所述外侧介电结构42设于最外侧的所述接地参考层20和所述电磁屏蔽层30之间。具体地，所述外侧介电结构42包括绝缘保护层421和多个绝缘间隔层422。所述绝缘保护层421设于最外侧的所述接地参考层20和所述电磁屏蔽层30之间。所述绝缘间隔层422设于所述接地参考层20和所述接地参考层20和所述内侧介电层41之间。在本技术的其他实施例中，所述接地参考层20的数量还可以是三个、四个等，每一所述接地参考层20的所述开槽21对应设置，所述绝缘间隔层422还设于每相邻的两个所述接地参考层20之间。
60.在本实施例中，所述介电结构40的材质包括但不限于环氧树脂(phenolic epoxy resin，ep)、液晶聚合物(liquid crystal polymer，lcp)，聚四氟乙烯(poly tetra fluoroethylene，ptfe)，聚醚醚酮(poly(ether-ether-ketone)，peek)、聚苯醚(polyphenylene oxide、ppo)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、涤纶树脂(polyethylene terephthalate，pet)及聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，pen)。
61.请参见图4，在本实施例中，部分所述绝缘保护层421填入所述开槽21并连接所述绝缘间隔层422，使得所述信号线路11对应的介电结构40厚度变为绝缘间隔层422与绝缘保护层421之和，即，使得所述信号线路11对应的介电结构40的厚度g变大，而较大厚度的介电结构40可较大线宽d的信号线路11进行阻抗匹配，换而言之，较大厚度的介电结构40有利于匹配线宽d较大的信号线路11，而线宽d较大的信号线路11有利于降低高频信号传输损耗。
62.请参见图2和图3，在本实施例中，所述绝缘保护层421贯穿设有开口423，部分所述接地参考层20于所述开口423的底部露出，部分所述电磁屏蔽层30填入所述开口423以电性连接所述接地参考层20。
63.请参见图1，在本实施例中，每一所述绝缘间隔层422贯穿设有第一开孔424，每一所述接地参考层20贯穿设有第二开孔22，每一所述绝缘保护层421贯穿设有第三开孔425，所述第一开孔424、所述第二开孔22、以及所述第三开孔对应设置以形成开窗24。部分所述内侧介电层41与所述开窗24的底部露出，部分所述电磁屏蔽层30填入所述开窗24的内壁。其中，所述开窗24区域限定所述信号传输结构100的弯折区域，所述开窗24以外的区域限定为所述信号传输结构100的非弯折区。
64.请参见图2、图3和图4，在本实施例中，所述信号传输结构100还包括多个层间导通体43，所述层间导通体43沿所述厚度方向a嵌设于所述介电结构40内。所述信号传输层10还包括多个接地线路12，所述接地线路12设于每相邻两个所述信号线路11之间，所述接地线路12与所述信号线路11之间的距离l1为0.04～0.5毫米。所述层间导通体43电性连接所述接地参考层20和所述接地线路12。沿所述长度方向c，每相邻两个所述层间导通体43之间的距离l2为0.2～3毫米，通过所述层间导通体43电性连接所述接地线路12及所述接地参考层20，所述接地参考层20又电性连接所述电磁屏蔽层30，使得所述接地线路12、所述接地参考
层20以及所述电磁屏蔽层30电性连接成一个整体。
65.请参见图2，在本实施例中，连接所述电磁屏蔽层30的所述接地参考层20(即，最外侧的所述接地参考层20)包括多个第一岛状结构23及多个参考线路25。多个所述第一岛状结构23间隔设置，每一所述接地线路12连接于每相邻的两个所述第一岛状结构23。沿所述宽度方向b，所述第一岛状结构23的截面宽度w1大于所述参考线路25的截面宽度w2。所述第一岛状结构23对应所述开口423设置，所述电磁屏蔽层30连接所述第一岛状结构23。所述第一岛状结构23用于增大所述电磁屏蔽层30和所述接地参考层20之间的接触面，使得高频信号在信号线路11传输过程中，减少电磁屏蔽层30和接地参考层20之间的电容效应，并降低谐振。其中，每相邻两个所述第一岛状结构23之间的距离(未标示)为0.1～3厘米，或者约为高频信号的波长的1/20左右。
66.请参见图2，在本实施例中，所述信号传输层10还包括多个第二岛状结构13，每一所述接地线路12连接于每相邻的两个所述第二岛状结构13之间。沿所述宽度方向b，所述第二岛状结构13的截面宽度w3大于所述接地线路12的截面宽度w4。所述第二岛状结构13对应所述第一岛状结构23设置，所述层间导通体43的端部连接所述第二岛状结构13。其中，邻近所述第二岛状结构13的接地线路12做避空设计，使得同层的所述信号线路11与相邻的第二岛状结构13或接地线路12不发生干涉。
67.上文中，参照附图描述了本技术的具体实施方式。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本技术的精神和范围的情况下，还可以对本技术的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本技术所限定的范围内。