一种围坝模具的制作方法

1.本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种围坝模具。


背景技术：

2.液晶显示设备是一种透光型显示器件，其进行显示时需要背光模组提供显示所需要的亮度。液晶显示设备在信息显示的过程中，经常在有效信息显示区域周围出现光晕，导致显示设备的对比度降低，显示效果不佳。这种光晕效应是由于灯板上的光源泛光引起的，对此，在灯板上设置包围光源的围坝，利用围坝限制光源的点亮范围是比较有效的解决手段。目前，围坝主要通过在基板上刷设围坝胶，然后固化形成，但因为围坝胶的流动性，使得围坝形状、围坝高度不受控，灯板难以满足要求。
3.因此，如何设置灯板上的围坝，提升围坝品质是目前亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

4.鉴于上述相关技术的不足，本技术的目的在于提供一种围坝模具，旨在解决目前的围坝设置方案难以在灯板上设置出品质满足要求的围坝的问题。
5.本技术提供一种围坝模具，包括可彼此分离的第一子模与第二子模；
6.第一子模具有用于同基板的芯片承载面配合的第一表面，及用于同第二子模配合且与第一表面相对的第二表面；第一子模上设有凹陷的围坝型腔，围坝型腔的开口位于第一表面，且其朝向第二表面凹陷；第一子模上还设置有多个贯穿第一表面与第二表面的芯片容纳孔，第一子模上芯片容纳孔与基板上的发光芯片的位置对应，芯片容纳孔被配置为供发光芯片伸入其中；
7.第二子模具有本体板与设于本体板同第一子模配合的一侧的多个挡胶柱，挡胶柱的高度大于等于芯片容纳孔的轴向尺寸，且挡胶柱与芯片容纳孔一一对应；在第一子模与第二子模结合的状态下，挡胶柱伸入对应的芯片容纳孔中。
8.上述围坝模具中包括可彼此分离的第一子模与第二子模，第一子模的第一表面设有朝向第二表面凹陷的围坝型腔，并且第一子模上还设置有可供基板上的发光芯片伸入其中的芯片容纳孔，芯片容纳孔与第二子模上设置的挡胶柱一一对应：在第一子模与第二子模结合的情况下，挡胶柱可以从第一子模的第二表面伸入到芯片容纳孔中，堵住芯片容纳孔，这样便于从第一子模的第一表面以刮胶的方式向围坝型腔内设置围坝胶，而不必担心围坝胶堵住芯片容纳孔；刮胶完成以后，分离第二子模，然后将第一子模转移到基板上，可以理解的是，如果基板上已经设置有发光芯片，则发光芯片可以伸入到第一子模的芯片容纳孔中，使得基板表面得以与第一子模的第一表面贴合，围坝型腔内的围坝胶可以附着并结合到基板表面，待围坝胶固化以后，移除第一子模就可以完成围坝在基板上的形成。围坝模具中围坝型腔的形态可以决定基板上所形成的围坝的形态，围坝的形态、高度等是可预期的、可控制的，便于在生产中根据需求设置形态与高度满足要求的围坝，提升灯板、显示屏等产品的品质。另外，该围坝模具既适用于基板表面已设置发光芯片的场景，也适用于基
板表面没有设置发光芯片的场景，应用广泛。而且，基于该围坝模具在基板上进行围坝设置，操作简单易行，有利于降低灯板、显示屏的成本。
9.可选地，多个芯片容纳孔在第一子模上阵列式排布，多个挡胶柱在本体板表面阵列式排布。
10.可选地，围坝型腔由多个沿着第一方向延伸的第一型腔与多个沿着第二方向延伸的第二型腔形成，多个第一型腔与多个第二型腔交叉形成网格，芯片容纳孔分布在网格中。
11.上述围坝模具中，围坝型腔由多个沿着第一方向延伸的第一型腔与多个沿着第二方向延伸的第二型腔形成，第一型腔与第二型腔交叉形成网格，所以基于该围坝模具形成的围坝就是网格围坝。
12.可选地，第一型腔与第二型腔交叉处的凹陷深度与围坝型腔中非交叉处的凹陷深度一致。
13.上述围坝模具中，因为围坝型腔交叉处与非交叉处的凹陷深度一致，因此，基于该围坝模具形成的网格围坝各处挡墙的高度一致，网格围坝交叉点处不会出现外凸，这有利于减小灯板高度，降低显示屏的厚度，实现显示产品的轻薄化。
14.可选地，挡胶柱的横截面与芯片容纳孔的横截面规格相同。
15.上述围坝模具中，挡胶柱的横截面与芯片容纳孔的横截面规格相同，因此挡胶柱可以恰好伸入芯片容纳孔中，将芯片容纳孔堵严，避免围坝胶进入芯片容纳孔中。
16.可选地，挡胶柱的高度与芯片容纳孔的轴向尺寸相等。
17.上述围坝模具中，挡胶柱的高度与芯片容纳孔的轴向尺寸相等，因此挡胶柱伸入芯片容纳孔后，挡胶柱的自由端端面恰好齐平于第一子模的第一表面，挡胶柱不会外凸于第一表面，这极大地方便了刮胶过程的进行。
18.可选地，围坝型腔中任意型腔的横截面垂直于型腔的延伸方向，且型腔的横截面的宽度方向平行于第一表面；型腔的横截面的宽度在沿着远离第一表面的方向上逐渐减小。
19.上述围坝型腔中，型腔的横截面的宽度在沿着远离第一表面的方向上逐渐减小，基于该围坝模具形成的围坝中挡墙的横截面宽度在沿着远离芯片承载面的方向上逐渐减小，也即挡墙横截面呈“上小下大”的形态，这样不仅有利于提升挡墙对发光芯片的光的反射，减少泛光，增加对应显示屏的对比度；而且也便于通过脱模，降低围坝的形成难度，提升灯板的制作效率。
20.可选地，型腔的横截面为梯形、弦月形中的任意一种。
21.可选地，围坝型腔的凹陷深度大于等于发光芯片的高度。
22.可选地，第二子模还包括围绕本体板周沿设置的侧立沿，侧立沿与挡胶柱沿着相同的方向外凸于本体板表面，且侧立沿与本体板形成恰好可供第一子模嵌入的槽型容纳空间，侧立沿外凸于本体板的高度等于第一子模的厚度。
附图说明
23.图1为本实用新型一可选实施例中提供的围坝模具的一种剖面示意图；
24.图2为图1中第一子模与基板配合的一种示意图；
25.图3为本实用新型一可选实施例中示出的第一子模第一表面的一种示意图；
26.图4为本实用新型一可选实施例中示出的第一子模第一表面的另一种示意图；
27.图5为本实用新型一可选实施例中示出的第一子模第一表面的又一种示意图；
28.图6为本实用新型一可选实施例中提供的第一子模与第二子模结合的一种示意图；
29.图7为本实用新型一可选实施例中提供的第一子模与第二子模结合的另一种示意图；
30.图8为本实用新型一可选实施例中提供的第一子模与第二子模结合的又一种示意图；
31.图9为本实用新型一可选实施例中提供的第一子模与基板配合的另一种示意图；
32.图10为本实用新型一可选实施例中提供的第二子模的一种剖面示意图；
33.图11为本实用新型一可选实施例中提供的第一子模与第二子模结合的再一种示意图；
34.图12为本实用新型另一可选实施例中提供的围坝形成方案的一种流程示意图；
35.图13为本实用新型另一可选实施例中提供的围坝形成的一种制程示意图。
36.附图标记说明：
37.10-围坝模具；20-第一子模；21-围坝型腔；210-子型腔；211-第一型腔；212-第二型腔；22-芯片容纳孔；30-第二模具；31-本体板；32-挡胶柱；33-侧立沿；40-基板；42-发光芯片；50-围坝胶；60-围坝；80-间隙。
具体实施方式
38.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
39.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
40.通常为了避免灯板上发光芯片泛光，减少甚至杜绝光晕现象，增强显示屏的显示对比度，会在灯板上设置围坝，围坝将发光芯片周围的区域围合起来，从而使得发光芯片射出的光仅覆盖在该区域内，不会影响相邻的其他发光芯片。
41.目前相关技术中主要通过在基板上刷设围坝胶来形成围坝，但因为围坝胶具有流动性，尤其是在受重力影响的方向上，围坝胶会存在一定程度的“塌陷”，这样会导致围坝高度以及围坝形状不满足要求的问题，影响了灯板与显示屏的品质。
42.基于此，本技术希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
43.本技术一可选实施例：
44.本实施例首先提供一种围坝模具，请参见图1示出的该围坝模具10的一种剖面示意图(需要说明的是，本实施例各剖面示意图中并未严格画出剖面线)：
45.围坝模具10包括第一子模20与第二模具30，二者可以结合在一起，也可以因拆分
而彼此独立。
46.第一子模20具有与拟设围坝的基板配合的第一表面，以及与该第一表面相对的第二表面，且该第二表面用于与第二模具30配合。在第一子模20中设置有凹陷的围坝型腔21，围坝型腔21的开口位于第一表面，围坝型腔21朝向第二表面凹陷。可以理解的是，围坝型腔21的形态决定了后续设置于基板上的围坝的形态，在本实施例的一些示例中，拟设于基板上的围坝在基板芯片承载面的投影形状为圆形(或者说圆环形)，则对应地，围坝型腔21在第一子模20的第一表面上就存在形状为圆形(或者说圆环形的)的开口；如果拟设于基板上的围坝在基板芯片承载面的投影形状为矩形，则对应地，围坝型腔21在第一子模20的第一表面上就存在形状为矩形的开口；如果拟设于基板上的围坝在基板芯片承载面的投影形状为网格状，则对应地，围坝型腔21在第一子模20的第一表面上就存在形状为网格状的开口。
47.第一子模20中还设置有贯穿的芯片容纳孔22，芯片容纳孔22也可以被称为芯片避孔，其用于供基板40上的发光芯片42伸入孔内，在基板上设置了发光芯片42的情况下，本实施例中，发光芯片42与芯片容纳孔22位置一一对应，当第一子模20与基板配合时，发光芯片42可以分别伸入到各自对应的芯片容纳孔22内，从而使得第一子模20的第一表面能够与基板40的芯片承载面贴合，如图2所示。应当理解的是，第一子模20上芯片容纳孔22的排布与基板40上发光芯片42的排布基本一致，例如，如果基板40上的发光芯片42阵列式排布，相邻芯片行之间的间距为d1，相邻芯片列之间的间距为d2，那么芯片容纳孔22在第一子模20上也是阵列式排布，相邻容纳孔行之间的间距为d1，而相邻容纳孔列之间的间距自然也为d2。
48.毫无疑义的是，因为发光芯片42可以伸入到芯片容纳孔22内，因此芯片容纳孔22的横截面的尺寸必然大于发光芯片在芯片承载面上正投影的尺寸，发光芯片42在芯片承载面上的正投影是指发光芯片沿着垂直于芯片承载面的投影线的投影。下面将芯片容纳孔22的横截面简称为“孔横截面”，将发光芯片42在芯片承载面上的正投影简称为“芯片正投影”，因此孔横截面的长度尺寸大于芯片正投影的长度尺寸，孔横截面的宽度尺寸大于芯片正投影的宽度尺寸，应当理解的是，当第一子模20与基板结合的情况下，孔横截面的长度方向与芯片正投影的长度方向相同，孔横截面的宽度方向与芯片正投影的宽度方向相同。
49.在本实施例的一些示例中，拟设于基板上的围坝包括多个相互独立的子围坝，例如一个子围坝围合在一颗或几颗发光芯片周围，但相邻的子围坝之间互不接触，对应于这种情况，第一子模20的第一表面上，围坝型腔21也会有多个相互独立的子型腔210，且各子型腔210之间互不连通，一个或几个芯片容纳孔22被一个子型腔210围在中间，如图3所示。
50.在本实施例的另外一些示例中，拟设于基板上的围坝为网格围坝，相邻发光芯片的围坝之间存在挡墙连接或共用的情况。为了便于介绍，这里将网格围坝中沿着第一方向延伸的挡墙记为“第一挡墙”，将网格围坝中沿着第二方向延伸的挡墙记为“第二挡墙”，通常情况下，第一挡墙与第二挡墙相互垂直，不过本领域技术人员可以理解的是，即便第一挡墙与第二挡墙之间的夹角不是90
°
也是可行的。为了利用围坝模具形成这种网格围坝，则第一子模20中的围坝型腔21应当具有用于形成第一挡墙的第一型腔211，以及用于形成第二挡墙的第二型腔212。在本实施例的一些示例中，网格围坝的一个网格内仅设置一颗发光芯片42，对应地，在第一型腔211与第二型腔212所形成的网格中，仅存在一个芯片容纳孔22，如图4所示。不过，本领域技术人员可以理解的是，如果基板40上网格围坝的一个网格内设置有两颗或更多的发光芯片42，则在围坝型腔的网格内也会对应设置两个或者更多的芯片
容纳孔，如图5所示。
51.在本实施例中，围坝型腔21中第一型腔211与第二型腔212交叉处的凹陷深度与该围坝型腔21非交叉处的凹陷深度一致。应当理解的是，围坝型腔21的凹陷深度决定了所形成的围坝的高度，如果围坝型腔21中各处的凹陷深度一致，那么基于该围坝型腔21所形成的围坝各处的高度也一致，这样可以解决相关技术中基于刷胶在基板上形成网格围坝时网格围坝交叉处外凸的问题，这有利于降低灯板厚度，实现产品轻薄化。在本实施例的一些示例中，围坝型腔21的凹陷深度大于等于发光芯片42的高度，这样可以保证基于围坝型腔21形成的围坝的高度大于等于发光芯片42的高度。通常情况下，围坝型腔21的凹陷深度大于发光芯片42的高度，这样可以提升围坝对发光芯片21点亮范围的限制。
52.因为围坝型腔21基本决定了所形成的围坝的形状，而围坝的形状影响其对发光芯片42所发出的光的反射情况，并且围坝型腔21的形态也决定了分离围坝与第一子模20的难度。在本实施例中，将第一型腔211与第二型腔212、子型腔210统称为型腔，围坝型腔21由多个型腔构成，构成围坝型腔21的可以是第一型腔211与第二型腔212与子型腔210这几种型腔中一种或几种。
53.在本实施例中，定义型腔的横截面为型腔中垂直于其延伸方向的截面，型腔横截面的宽度方向为平行于第一子模20的第一表面或第二表面的方向。在一些示例中，型腔的横截面的宽度在沿着远离第一表面的方向上逐渐减小，也即随着型腔凹陷深度的增加，其横截面的宽度越小，所以，基于这种型腔所形成的围坝挡墙的横截面“上小下大”，例如可以为梯形、三等腰三角形或弦月形(本实施例所谓的弦月形是指轮廓由一弧线段与一直线段首尾相连构成的图形，包括半圆形等)等形状中的任意一种。当然，在围坝挡墙的横截面为梯形、三等腰三角形或弦月形的情况下，对应的型腔的横截面也应当是梯形、三等腰三角形或弦月形。可以理解的是，型腔横截面的宽度在远离第一表面的方向上逐渐减小，这样不仅可以使得挡墙更好地将发光芯片发出的光向围坝的中心反射，对发光芯片的点亮范围进行限制，也更有利于第一子模20与围坝的脱模过程的实现。不过，本领域技术人员可以理解的是，在本实施例的其他一些示例中，型腔的横截面也可以为矩形等其他形状。
54.第二子模30包括本体板31与设置在本体板31一个表面上的多个挡胶柱32，可以理解的是，本体板31呈板状结构，其一个表面用于与第一子模20的第二表面配合，而多个挡胶柱32就设置在该表面上。挡胶柱32外凸于本体板31，其用于当第一子模20与第二子模30配合的时候，从第一子模20的第二表面伸入到芯片容纳孔22中，如图6所示。所以，本领域技术人员可以理解的是，挡胶柱32在本体板31上的排布与芯片容纳孔22在第一子模20上的排布一致，当芯片容纳孔22在第一子模20上阵列式排布的情况下，挡胶柱32也将在本体板31上阵列式排布。值得注意的是，发光芯片42与挡胶柱32是在不同的时刻沿着不同的方向伸入到芯片容纳孔22中的，所以，发光芯片42与挡胶柱32不会在芯片容纳孔22内发生冲突。
55.挡胶柱32的作用是为了在从第一表面向围坝型腔21内设置围坝胶的时候，避免围坝胶进入到芯片容纳孔22并对芯片容纳孔22造成封堵，导致后续发光芯片42无法伸入到芯片容纳孔22内，进而使得第一子模20的第一表面不能与基板40的芯片承载面贴合。为了实现这一目的，就要求挡胶柱22不仅能伸入到芯片容纳孔22中，而且其应当避免围坝胶将芯片容纳孔22在第一表面的开口完全封堵，因此，挡胶柱22的高度应当大于等于芯片容纳孔22的轴向尺寸(也即芯片容纳孔22的高度)。在本实施例的一些示例中，挡胶柱32的高度超
过芯片容纳孔22的轴向尺寸，如图7所示，当第一子模20与第二子模30的配合的情况下，挡胶柱32会部分外凸于第一子模20的第一表面。不过，考虑到从第一子模20的第一表面向围坝型腔21内设置围坝胶时，通常采用的是在第一表面刮胶的方式实现，在这种情况下，如果挡胶柱32外凸于第一表面，就会形成刮胶的障碍，造成刮胶困难，影响围坝形成的难度。所以，在本实施例的另外一些示例中，挡胶柱32的高度与芯片容纳孔22的轴向尺寸一致，如图6。
56.在本实施例的一些示例中，挡胶柱32可以将芯片容纳孔22封堵严实，也即挡胶柱32的横截面规格与芯片容纳孔22的横截面规格一致，这里所说的规格一致包括横截面的形状与尺寸一致。在这种情况下，围坝胶就不可能再进入到芯片容纳孔22内。在本实施例的一些示例中，为了便于挡胶柱32伸入芯片容纳孔22，也为了提升挡胶柱32对芯片容纳孔22的封堵严密程度，在本实施例的一些示例中，挡胶柱32可以采用橡胶等弹性材料制成。
57.在本实施例的另外一些示例中挡胶柱32伸入芯片容纳孔22之后，与芯片容纳孔22的侧壁之间存在一定的间隙80，如图8所示。当第一子模20与第二子模30配合时，围坝胶就可以从该间隙80进入到芯片容纳孔22内。不过，挡胶柱32所占据的空间并不会被围坝胶进入。后续在第一子模20与基板40配合时，虽然芯片容纳孔22的内壁上覆盖有围坝胶50，但发光芯片42仍然可以伸入孔内，如图9所示。可以理解的是，在这种情况下，挡胶柱32横截面的形状与尺寸决定了芯片容纳孔22是否可供发光芯片42伸入。为了便于介绍，将挡胶柱32的横截面记为“柱横截面”，在本实施例的部分示例中，柱横截面在长度方向的尺寸大于芯片正投影的长度尺寸，柱横截面的宽度尺寸大于芯片正投影的宽度尺寸。
58.虽然挡胶柱32与芯片容纳孔22的孔壁间存在间隙的情况下，也能完成围坝设置，但这种情况对第一子模20与第二子模30间的对位精度，以及第一子模20与基板40间的对位精度有较高的要求，一旦这两次对位过程中的一次达不到对应的精度，就会容易导致发光芯片不能伸入到内壁已经被围坝胶覆盖的芯片容纳孔22内，提升了围坝形成难度，因此，在本实施例更多的示例中，挡胶柱32的横截面与芯片容纳孔22的横截面匹配，这样可以降低围坝设置难度，提升灯板制备效率。
59.在本实施例的另外一些示例中，第二子模30中还可以设置有侧立沿33，请参见图10所示，侧立沿33围绕本体板31的周沿设置，其沿着与挡胶柱32相同的方向外凸于本体板31，所以，侧立沿33与本体板31共同形成了一个“槽”，二者围合出的槽型容纳空间恰好可供第一子模20嵌入，如图11所示。通常情况下，侧立沿33垂直于本体板31。当第一子模20嵌入到槽型容纳空间内以后，侧立沿33实际上是将第一子模20夹持在中间，这样可以提升第一子模20与第二子模30间结合的紧密性，避免刮胶过程中第一子模20与第二子模30分离的问题。在本实施例的一些示例中，侧立沿33外凸于本体板31的高度等于第一子模20的厚度，因此，侧立沿33远离本体板31的一面与第一子模20的第一表面齐平；在本实施例的另外一些示例中，侧立沿33外凸于本体板31的高度小于第一子模20的厚度；还有一些示例中，侧立沿33外凸于本体板31的高度大于第一子模20的厚度。可以理解的是，如果侧立沿33外凸于本体板31的高度小于或等于第一子模20的厚度，那么侧立沿33基本不会对刮胶过程造成影响，例如，如果刮胶到围坝型腔21的流程中，存在多余的围坝胶，那么可以直接从第一子模20的第一表面将多为围坝胶刮除即可。但如果侧立沿33外凸于本体板31的高度大于第一子模20的厚度，则在第一子模20与第二子模30结合的情况下，侧立沿33也相当于作为了第一
子模20的侧沿，此情景下，如果存在多余的围坝胶，可能去除这些多余围坝胶的难度会更大一些。
60.本实施例提供的围坝模具具有可彼此分离的第一子模与第二子模，在第一子模与第二子模结合的情况下，挡胶柱可以从第一子模的第二表面伸入到芯片容纳孔中，堵住芯片容纳孔，这样便于从第一子模的第一表面以刮胶的方式向围坝型腔内设置围坝胶，而不必担心围坝胶堵住芯片容纳孔；刮胶完成以后，分离第二子模，然后将第一子模转移到基板上，发光芯片可以伸入到第一子模的芯片容纳孔中，使得基板表面得以与第一子模的第一表面贴合，围坝型腔内的围坝胶可以附着并结合到基板表面，待围坝胶固化以后，移除第一子模就可以完成围坝在基板上的形成。该围坝模具既适用于基板表面已设置发光芯片的场景，也适用于基板表面没有设置发光芯片的场景，应用广泛。
61.本技术另一可选实施例：
62.本实施例将提供一种基于前述围坝模具的围坝形成方法，请参见图12与图13，其中图12为该围坝形成方法的一种流程示意图，而图13则是围坝形成的一种制程示意图：
63.s1202：提供一基板及围坝模具。
64.请参见图13中的(a)，在本实施例中，所提供的基板40上已经设置了发光芯片42，不过，本领域技术人员可以理解的是，如果可以先进行围坝设置，然后再固晶，则也可以提供未设置发光芯片42的基板40。在本实施例中，围坝模具10具有可相互分离的第一子模20与第二子模30。在本实施例的一些示例中，围坝模具10还可以包括第三子模，第三子模用于吸附基板40，在这些示例中，可以以第三子模作为母模来吸附固定基板40，第一子模20与第二子模30共同作为公模。
65.s1204：将第一子模与第二子模结合。
66.获取到第一子模20与第二子模30之后，可以将第一子模与第二子模结合，使得第一子模20的第二表面与第二子模30的本体板31贴合，并让挡胶柱32伸入到芯片容纳孔22内，如图13中的(b)。本实施例中所使用的围坝模具中，挡胶柱32的高度等于芯片容纳孔22的轴向尺寸，因此，挡胶柱32的自由端与第一子模20的第一表面齐平。
67.s1206：从第一子模的第一表面向围坝型腔内刮设围坝胶，至围坝型腔被填平。
68.随后，可以从第一子模20的第一表面向围坝型腔21内刮设围坝胶50，使得围坝胶50填充围坝型腔21，至围坝型腔21被围坝胶21填平，如图13中的(c)所示，在本实施例中围坝型腔21中型腔的横截面为梯形。另外，围坝模具10中挡胶柱32的横截面与芯片容纳孔22的横截面匹配，因此，刮设围坝胶50的过程中，围坝胶50不会进入到芯片容纳孔22内。
69.另外，需要说明的是，在向围坝型腔21内设置围坝胶50时，可以让围坝胶50略微外凸于围坝型腔22，这样便于后续围坝胶50与基板40结合。
70.s1208：移除第二子模。
71.围坝胶50的填充完成后，可以移除第二子模30，如图13中的(d)。
72.s1210：将第一子模的第一表面与基板的芯片承载面贴合，并加热使围坝胶与基板结合。
73.接着，将第一子模20与基板40结合，使得第一子模20的第一表面与基板40的芯片承载面贴合，让发光芯片42伸入到芯片容纳孔22中，如图13中的(e)所示。应当明白的是，当第一子模20的第一表面与基板40的芯片承载面贴合的情况下，围坝型腔21内的围坝胶50会
与基板40的芯片承载面接触，并附着在基板40上。在本实施例中，会对围坝胶50进行加热，使得围坝胶40固化结合到基板40的芯片承载面。
74.s1212：待围坝胶固化后移除第一子模。
75.当围坝胶50固化后，可以移除第一子模20，如图13中的(f)所示，因为围坝型腔21中型腔的横截面呈梯形，因此，形成的围坝60中挡墙的横截面也呈梯形。
76.在本实施例的一些示例中，为了便于脱模，在向围坝型腔21内刮设围坝胶50之前，可以先在围坝型腔21的内壁上设置脱胶剂，使得围坝型腔21内壁“疏胶”。
77.本实施例提供的围坝形成方案，基于前述围坝模具实现，形成的围坝的形态、高度可预期的、可控制，便于在生产中根据需求设置形态与高度满足要求的围坝，提升灯板、显示屏等产品的品质。另外，该围坝模具既适用于基板表面已设置发光芯片的场景，也适用于基板表面没有设置发光芯片的场景，应用广泛。而且，基于该围坝模具在基板上进行围坝设置，操作简单易行，有利于降低灯板、显示屏的成本。
78.应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。