一种易于安装的氮化镓功率半导体的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种易于安装的氮化镓功率半导体。


背景技术：

2.氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列，它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体，氮化镓具有高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材料，而得到氮化镓功率半导体。
3.现今市场上的此类功率半导体种类繁多，基本可以满足人们的使用需求，但是依然存在一定的不足之处，现有的此类功率半导体一般都是单独的个体，在安装时容易因操作不当造成半导体表面损坏，给安装工作造成了不便，因此有待改进。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种易于安装的氮化镓功率半导体，以解决上述背景技术中提出功率半导体安装时存在不便的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种易于安装的氮化镓功率半导体，包括半导体底座、下防护壳、半导体衬底、氮化镓沟道层和安装结构，所述下防护壳固定在半导体底座的顶端，所述半导体衬底安装在下防护壳的内部，所述氮化镓沟道层设置在半导体衬底的顶端，且所述氮化镓沟道层的顶端设置有铝镓氮势垒层，所述铝镓氮势垒层的顶端设置有第一金属层，且所述第一金属层的顶端设置有第二金属层，所述第二金属层的顶端设置有绝缘层，所述下防护壳的上方设置有上防护壳，且所述上防护壳两侧的外壁上皆设置有等间距的散热孔，并且所述上防护壳与下防护壳相互配合，所述半导体底座的外壁上皆设置有安装结构，所述安装结构的内部依次设置有收纳槽、焊片、圆孔、转柱，所述半导体底座的外壁上设置有收纳槽，且所述收纳槽的内部设置有焊片，所述收纳槽上方的半导体底座顶端设置有圆孔，且所述圆孔与焊片连通，所述圆孔的内部转动安装有转柱，且所述转柱的底端延伸至收纳槽的内部并与焊片的顶端固定连接。
6.优选的，所述下防护壳的内壁上贴覆有绝缘垫，且所述绝缘垫与下防护壳紧密粘黏，便于对半导体衬底进行绝缘保护。
7.优选的，所述下防护壳的顶端皆设置有等间距的定位插槽，便于定位插块进行定位。
8.优选的，所述半导体衬底的顶部设置有凹槽，为温敏器件提供了安装的空间。
9.优选的，所述半导体衬底可为硅衬底，改善了半导体衬底的整体性能。
10.优选的，所述上防护壳的底端皆固定有等间距的定位插块，且所述定位插块与定位插槽相互配合，用于上防护壳和下防护壳的连接工作。
11.优选的，所述凹槽的内部安装有温敏器件，且所述温敏器件的外侧皆安装有等间距的温感触片，便于对半导体的结温进行检测。
12.优选的，所述温敏器件可为硅器件，使得温敏器件具有良好的测温性能。
13.优选的，所述绝缘垫可绝缘橡胶材质，具有良好的绝缘效果。
14.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该易于安装的氮化镓功率半导体不仅提高了半导体安装时的便捷，能对半导体的结温实现准确的检测，而且实现了防护的功能，延长了使用寿命；
15.(1)通过设置有收纳槽、焊片、圆孔、转柱，在安装该功率半导体时，转动转柱使其在圆孔的内部旋转，转柱带动焊片旋转，使得焊片从收纳槽的内部旋出，焊片为功率半导体提供了焊接的空间，从而提高了半导体安装时的便捷，可防止半导体表面损坏；
16.(2)通过设置有凹槽、温敏器件、温感触片，半导体衬底顶部的凹槽为温敏器件提供了安装的空间，温敏器件可为硅器件，温敏器件基于很好的温度敏感性且位于半导体的中心部位，从而能对半导体的结温实现准确的检测；
17.(3)通过设置有下防护壳、绝缘垫、定位插槽、上防护壳、定位插块、散热孔，下防护壳和上防护壳为半导体提供了保护，下防护壳内壁上的绝缘垫具有绝缘的作用，将上防护壳扣在下防护壳上，并使得上防护壳底端的定位插块卡在下防护壳顶端的定位插槽中，上防护壳外壁上的散热孔起到了散热的效果，便于半导体热量的散发，从而实现了防护的功能，延长了使用寿命。
附图说明
18.图1为本实用新型的正视结构示意图；
19.图2为本实用新型的半导体衬底俯视结构示意图；
20.图3为本实用新型的安装结构放大结构示意图；
21.图4为本实用新型的半导体底座俯视结构示意图；
22.图5为本实用新型的下防护壳放大结构示意图；
23.图6为本实用新型的上防护壳放大结构示意图。
24.图中：1、半导体底座；2、下防护壳；3、半导体衬底；4、氮化镓沟道层；5、铝镓氮势垒层；6、第一金属层；7、第二金属层；8、绝缘层；9、上防护壳；10、安装结构；1001、收纳槽；1002、焊片；1003、圆孔；1004、转柱；11、凹槽；12、温敏器件；13、温感触片；14、绝缘垫；15、定位插槽；16、定位插块；17、散热孔。
具体实施方式
25.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.请参阅图1-6，本实用新型提供的一种实施例：一种易于安装的氮化镓功率半导体，包括半导体底座1、下防护壳2、半导体衬底3、氮化镓沟道层4和安装结构10，下防护壳2固定在半导体底座1的顶端；
27.下防护壳2的内壁上贴覆有绝缘垫14，且绝缘垫14与下防护壳2紧密粘黏，便于对半导体衬底3进行绝缘保护；
28.绝缘垫14可绝缘橡胶材质，具有良好的绝缘效果；
29.下防护壳2的顶端皆设置有等间距的定位插槽15，便于定位插块16进行定位；
30.半导体衬底3安装在下防护壳2的内部；
31.半导体衬底3的顶部设置有凹槽11，为温敏器件12提供了安装的空间；
32.半导体衬底3可为硅衬底，改善了半导体衬底3的整体性能；
33.凹槽11的内部安装有温敏器件12，且温敏器件12的外侧皆安装有等间距的温感触片13，便于对半导体的结温进行检测；
34.温敏器件12可为硅器件，使得温敏器件12具有良好的测温性能；
35.氮化镓沟道层4设置在半导体衬底3的顶端，且氮化镓沟道层4的顶端设置有铝镓氮势垒层5；
36.铝镓氮势垒层5的顶端设置有第一金属层6，且第一金属层6的顶端设置有第二金属层7；
37.第二金属层7的顶端设置有绝缘层8；
38.下防护壳2的上方设置有上防护壳9，且上防护壳9两侧的外壁上皆设置有等间距的散热孔17，并且上防护壳9与下防护壳2相互配合；
39.上防护壳9的底端皆固定有等间距的定位插块16，且定位插块16与定位插槽15相互配合，用于上防护壳9和下防护壳2的连接工作；
40.半导体底座1的外壁上皆设置有安装结构10；
41.安装结构10的内部依次设置有收纳槽1001、焊片1002、圆孔1003、转柱1004；
42.半导体底座1的外壁上设置有收纳槽1001，且收纳槽1001的内部设置有焊片1002；
43.收纳槽1001上方的半导体底座1顶端设置有圆孔1003，且圆孔1003与焊片1002连通；
44.圆孔1003的内部转动安装有转柱1004，且转柱1004的底端延伸至收纳槽1001的内部并与焊片1002的顶端固定连接。
45.本技术实施例在使用时：首先，在安装该功率半导体时，转动转柱1004使其在圆孔1003的内部旋转，转柱1004带动焊片1002旋转，使得焊片1002从收纳槽1001的内部旋出，焊片1002为功率半导体提供了焊接的空间，从而提高了半导体安装时的便捷，可防止半导体表面损坏，然后，半导体衬底3顶部的凹槽11为温敏器件12提供了安装的空间，温敏器件12可为硅器件，温敏器件12基于很好的温度敏感性且位于半导体的中心部位，从而能对半导体的结温实现准确的检测，并且，下防护壳2和上防护壳9为半导体提供了保护，下防护壳2内壁上的绝缘垫14具有绝缘的作用，将上防护壳9扣在下防护壳2上，并使得上防护壳9底端的定位插块16卡在下防护壳2顶端的定位插槽15中，上防护壳9外壁上的散热孔17起到了散热的效果，便于半导体热量的散发，从而实现了防护的功能，延长了使用寿命，完成易于安装的氮化镓功率半导体的工作。