半导体封装结构的制作方法

本申请涉及半导体，具体涉及半导体封装结构。

背景技术：

1、光电传感器(sensor)的光信噪比(optical signal to noise ratio，osnr)与入射光线角度有关，当入射光与盖体(cover)有夹角时，会因为反射而降低效益，如图1a1、图1a2和图1a3所示，斜向照射的总透射量相较于正向衰减10％～20％，造成透射效率降低。若该盖体为滤光片，则可能导致色彩偏移或失真。

技术实现思路

1、本申请提供了一种半导体封装结构，包括：

2、基板；

3、光电传感器，位于所述基板的其中一侧，所述光电传感器具有朝向所述基板的感测区域；

4、光学结构，邻近设置于所述感测区域，并用于减少光学反射。

5、在一些可选的实施方式中，所述光学结构具有相对的第一表面和第二表面，其中，所述第一表面相对于所述第二表面粗糙。

6、在一些可选的实施方式中，所述第二表面朝向所述感测区域。

7、在一些可选的实施方式中，所述结构还包括：

8、阻光结构，邻近设置于所述感测区域，并用于阻挡光线经过所述阻光结构所在的区域并传播至所述感测区域。

9、在一些可选的实施方式中，所述阻光结构围绕所述光学结构。

10、在一些可选的实施方式中，所述光学结构的高度不超过所述阻光结构的高度。

11、在一些可选的实施方式中，所述光学结构的范围由所述阻光结构定义。

12、在一些可选的实施方式中，所述结构还包括：

13、透明保护层，包覆所述光电传感器。

14、在一些可选的实施方式中，所述透明保护层还位于所述基板与所述感测区域之间。

15、在一些可选的实施方式中，所述光学结构为滤光结构。

16、本申请提供的半导体封装结构，利用光学结构(抗反射结构)降低反射率，提高光线传播至光电传感器的光穿透率，进而提高正向/斜向入射信号之光信噪比(opticalsignal to noise rat io，osnr)。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述光学结构具有相对的第一表面和第二表面，其中，所述第一表面相对于所述第二表面粗糙。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中，所述第二表面朝向所述感测区域。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述结构还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述阻光结构围绕所述光学结构。

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述光学结构的高度不超过所述阻光结构的高度。

7.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述光学结构的范围由所述阻光结构定义。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述结构还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述透明保护层还位于所述基板与所述感测区域之间。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述光学结构为滤光结构。

技术总结
本申请提供的半导体封装结构，利用光学结构(抗反射结构)降低反射率，提高光线传播至光电传感器的光穿透率，进而提高正向/斜向入射信号之光信噪比(Optical Signal to Noise ratio，OSNR)。

技术研发人员：柯俊宇,蔡宗岳
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20220920
技术公布日：2024/1/12