一种双MOS管的制作方法

本技术涉及半导体制品，特别涉及mos管。

背景技术：

1、现有电源管理的实际应用中普遍用到双nmos管进行锂二次电池的充放电管控。图1示意出了一种双nmos管10的电路，其包括结合在一起的第一mos管q1和第二mos管q2。其中，第一mos管q1用于锂二次电池的放电管控，第二mos管q2用于锂二次电池的放电管控。

2、现有的双nmos管10结构，第一mos管q1和第二mos管q2的结构是同样的，第一mos管q1和第二mos管q2的各项参数是基本一致的。这相当于不区分充电和放电之间在实际应用中的差异性要求。这会导致在选用适用的双nmos管10的规格时，遵照就高不就低的策略，也即：若放电管控要求较高规格（比如：导通电阻较小）的第一mos管q1，则同样规格的第二mos管q2的冗余度会过大而造成不必要的浪费；若充电管控要求较高规格（比如：导通电阻较小）的第二mos管q2，则同样规格的第一mos管q1的冗余度会过大而造成不必要的浪费。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，本实用新型提出了一种双mos管，有利于在满足电源管理的实际应用的基础上降低成本。

2、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案包括：提供一种双mos管，包括：

3、衬底；外延，位于该衬底的正面；第一沟槽，形成于该外延中；第二沟槽，形成于该外延中；漏极，形成于该衬底的背面；围绕该第一沟槽构成第一源极和第一栅极，该第一源极、该第一栅极和该漏极构成第一mos管；围绕该第二沟槽构成第二源极和第二栅极，该第二源极、该第二栅极和该漏极构成第二mos管；其中，该第一源极的面积较大、该第二源极的面积较小，使得该第一mos管的导通电阻小于该第二mos管的导通电阻。

4、在一些实施例中，该第二源极相对该第一源极是并列排布的。

5、在一些实施例中，该第二源极相对该第一源极是内嵌排布的。

6、在一些实施例中，该第一沟槽和该第二沟槽的结构和尺寸是一致的。

7、在一些实施例中，该第一mos管和该第二mos管的结温、耐压和栅极电压是一致的。

8、在一些实施例中，该第一mos管和该第二mos管为沟槽mos。

9、在一些实施例中，该第一mos管和该第二mos管为屏蔽栅沟槽mos。

10、在一些实施例中，该双mos管为双nmos管。

11、在一些实施例中，该双mos管为双pmos管。

12、在一些实施例中，该双mos管封装在同一个器件中。

13、与现有技术相比，本实用新型的双mos管，通过在同一外延上并列地形成面积较大的第一源极和面积较小的第二源极的巧妙配合，能够将一个导通电阻较小的mos和一个导通电阻较大的mos有机地结合在一起，有利于在满足电源管理的实际应用的基础上降低成本。

技术特征：

1.一种双mos管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该第二源极相对该第一源极是并列排布的。

3.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该第二源极相对该第一源极是内嵌排布的。

4.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该第一沟槽和该第二沟槽的结构和尺寸是一致的。

5.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该第一mos管和该第二mos管的结温、耐压和栅极电压是一致的。

6.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该第一mos管和该第二mos管为沟槽mos。

7.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该第一mos管和该第二mos管为屏蔽栅沟槽mos。

8.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该双mos管为双nmos管。

9.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该双mos管为双pmos管。

10.根据权利要求1所述的双mos管，其特征在于，该双mos管封装在同一个器件中。

技术总结
一种双MOS管，包括：衬底；外延，位于该衬底的正面；第一沟槽，形成于该外延中；第二沟槽，形成于该外延中；漏极，形成于该衬底的背面；围绕该第一沟槽构成第一源极和第一栅极，该第一源极、该第一栅极和该漏极构成第一MOS管；围绕该第二沟槽构成第二源极和第二栅极，该第二源极、该第二栅极和该漏极构成第二MOS管；其中，该第一源极的面积较大、该第二源极的面积较小，使得该第一MOS管的导通电阻小于该第二MOS管的导通电阻。有利于在满足电源管理的实际应用的基础上降低成本。

技术研发人员：赵依军
受保护的技术使用者：赵依军
技术研发日：20220921
技术公布日：2024/1/12