用于芯片蚀刻试验的挂具及装置的制作方法

文档序号:33112090发布日期:2023-02-01 02:18阅读:76来源:国知局
用于芯片蚀刻试验的挂具及装置的制作方法

1.本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种用于芯片蚀刻试验的挂具及其装置。


背景技术:

2.蚀刻即光化学蚀刻,指通过制版曝光,显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时使金属接触化学溶液,使用两个阳性图形通过从两面的化学研磨达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。蚀刻技术现已应用于航空、机械、化工、半导体制造工艺,进行电子薄件精密金属蚀刻产品的加工。
3.目前,在试验阶段中对芯片蚀刻工艺的研究一般没有专用的挂具,大部分实验者都是利用镊子夹住芯片,浸入蚀刻液中,长时间的握持会导致实验者手部不适,且极可能引发手抖等情况无法进行有效的蚀刻试验,试验过程极其不便,还会导致试验结果很难与产线结果保持一致。若利用产线进行实验,不仅会对生产造成影响,还会导致试验耗时变长且浪费资源。


技术实现要素:

4.本实用新型的目的是:设计一种操作简单、适用性强的用于芯片蚀刻试验的挂具及其装置。
5.为了实现上述目的,本实用新型提供了一种用于芯片蚀刻试验的挂具,包括底板、夹持组件及两挂杆,所述底板的上表面开设有凹槽,所述凹槽内设有一个或多个夹持组件,所述夹持组件包括两间隔设置的用于夹持芯片的定位板,两所述定位板竖直插设于所述凹槽内,所述凹槽的底面开设多个第一通孔及多个第二通孔,所述第一通孔位于同一所述夹持组件的两所述定位板之间,所述第二通孔位于所述夹持组件的外侧;两所述挂杆的下端分别与所述底板滑动连接,且两所述挂杆连接于所述凹槽的外侧,两所述挂杆的顶部均具有挂钩。
6.优选的,所述挂杆的下端具有螺纹,所述底板上开设有两螺纹孔,两所述螺纹孔分别位于所述凹槽的外侧,所述底板通过所述螺纹孔与所述挂杆滑动连接。
7.优选的,还包括螺母,所述螺母套设于所述挂杆的下端且所述螺母位于所述底板的下方。
8.优选的,所述凹槽位于所述底板的正中间,两所述螺纹孔对称设于所述凹槽的两侧。
9.优选的,同一所述夹持组件的两所述定位板之间至少设有三个所述第一通孔,且各所述第一通孔之间沿两所述定位板之间形成的夹缝的延伸方向相等间隔设置。
10.优选的,所述底板、所述夹持组件及所述挂杆的外表面均设有特氟龙涂层。
11.优选的,所述定位板的高度等于所述凹槽的深度。
12.优选的,所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径。
13.本实用新型还提供了一种用于芯片蚀刻试验的装置,包括容器及上述的用于芯片蚀刻试验的挂具,所述容器的底部设有搅拌磁。
14.优选的,所述容器呈圆柱形,所述容器的外径与两所述挂钩相互远离时的形成的挂持距离相等。
15.本实用新型实施例一种用于芯片蚀刻试验的挂具及其装置与现有技术相比,其有益效果在于:
16.本实用新型实施例的用于芯片蚀刻试验的挂具,可以通过挂钩直接挂在容器上保持稳定,通过挂杆调节底板的高度使芯片与蚀刻液高度匹配,保证芯片完全浸没在蚀刻液中;第一通孔能改变定位板处蚀刻液不流通的缺陷,结合第二通孔能提高芯片蚀刻的均匀度,该挂具结构简单,使用方便,实用性强。
附图说明
17.图1是本实用新型实施例用于芯片蚀刻试验的挂具的正视图;
18.图2是本实用新型实施例用于芯片蚀刻试验的挂具的底板的俯视图;
19.图3是本实用新型实施例用于芯片蚀刻试验的装置的整体示意图。
20.图中,1、底板;11、凹槽;111、第一通孔;112、第二通孔;12、螺纹孔;2、夹持组件;21、定位板;3、挂杆;31、挂钩;32、螺纹; 4、螺母;5、容器;51、搅拌磁。
具体实施方式
21.下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
22.在本实用新型的描述中,应当理解的是,本实用新型中采用术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
23.在本实用新型的描述中,应当理解的是,本实用新型中采用术语“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是焊接连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
24.本实用新型中采用术语“第一”、“第二”等来描述各种信息,但这些信息不应限于这些术语,这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如,在不脱离本实用新型范围的情况下,“第一”信息也可以被称为“第二”信息,类似的,“第二”信息也可以被称为“第一”信息。
25.如图1及图2所示,本实用新型优选实施例的一种用于芯片蚀刻试验的挂具,包括底板1、夹持组件2及两挂杆3,所述底板1的上表面开设有凹槽11,所述凹槽11内设有一个或多个夹持组件2,所述夹持组件2包括两间隔设置的用于夹持芯片的定位板21,两所述定位板 21竖直插设于所述凹槽11内,所述凹槽11的底面开设多个第一通孔 111及多个第二通
孔112,所述第一通孔111位于同一所述夹持组件2 的两所述定位板21之间,所述第二通孔112位于所述夹持组件2的外侧;两所述挂杆3的下端分别与所述底板1滑动连接,且两所述挂杆3 连接于所述凹槽11的外侧,两所述挂杆3的顶部均具有挂钩31。
26.其中,夹持组件2用于将芯片稳定夹持在凹槽11内,夹持组件2 可以有多个,根据需要在凹槽11内对称分布设置,需要说明一下,本说明书中所述的夹持是广义上的夹持,实际试验过程中同一夹持组件2 内的两定位板21与芯片之间存在微小缝隙,以免影响芯片该部位的蚀刻,通过位于两定位板21之间的第一通孔111可以加强该处的蚀刻液流动,使芯片均匀蚀刻。挂钩31用于挂在蚀刻液容器5的容器5壁上,无需人工握持,使底板1在试验过程中能够保持稳定。第二通孔112 位于夹持组件2与凹槽11侧壁之间、或各夹持组件2之间,能够进一步提高该处的蚀刻液流动性。底板1可通过卡接、螺纹32、滑轨等与挂杆3滑动连接,将挂钩31挂在盛有蚀刻液的容器5中,调节底板1 在挂杆3上的位置可以控制底板1在容器5中的深度,即被蚀刻液浸没的深度,使待蚀刻芯片稳定保持在蚀刻液中央。实际试验中,容器5 内通常具有搅拌器对蚀刻液进行搅拌,此时通过第一通孔111及第二通孔112可提高搅拌效果,使芯片蚀刻均匀。
27.进一步地,所述挂杆3的下端具有螺纹32,所述底板1上开设有两螺纹32孔12,两所述螺纹32孔12分别位于所述凹槽11的外侧,所述底板1通过所述螺纹32孔12与所述挂杆3滑动连接。通过螺纹 32可精确调整底板1在挂杆3的位置从而精准控制底板1在蚀刻液中的浸没深度,使其与蚀刻液高度匹配,且通过螺纹32可旋转挂杆3上的挂钩31,调整挂钩31的方向从而与容器5形状大小相匹配。
28.进一步地,还包括螺母4,所述螺母4套设于所述挂杆3的下端且所述螺母4位于所述底板1的下方。螺母4与底板1抵接,进一步控制底板1的高度,防止因蚀刻液搅拌等原因导致底板1脱落。
29.进一步地,所述凹槽11位于所述底板1的正中间,两所述螺纹32 孔12对称设于所述凹槽11的两侧。挂杆3挂在容器5上,底板1处于对称位置能使其试验过程中保持稳定,避免晃动。
30.进一步地,同一所述夹持组件2的两所述定位板21之间至少设有三个所述第一通孔111,且各所述第一通孔111之间沿两所述定位板 21之间形成的夹缝的延伸方向等间隔设置。多个通孔间隔均匀分布可以保证蚀刻液在定位板21夹持处能够搅拌流动,提高蚀刻均匀性。
31.进一步地,所述底板1、所述夹持组件2及所述挂杆3的外表面均设有特氟龙涂层。其中底板1。夹持组件2及挂杆3均为不锈钢材质,包裹特氟龙涂层可以避免被蚀刻液腐蚀。
32.进一步地,所述定位板21的高度等于所述凹槽11的深度。通常情况下凹槽11的深度根据所需夹持的芯片设计,取待蚀刻的芯片夹持时高度的三分之一,定位板21的深度与凹槽11高度一致能防止其过高影响蚀刻液流动,过低芯片不稳容易发生位移。且两定位板21之间间隔的距离通常比待蚀刻的芯片的厚度大1毫米。
33.进一步地,所述第二通孔112的孔径大于所述第一通孔111的孔径。可以提高芯片两侧蚀刻液的流动性。
34.如图3所示,本实用新型优选实施例的一种用于芯片蚀刻试验的装置,包括容器5及上述的用于芯片蚀刻试验的挂具,所述容器5的底部设有搅拌磁51。搅拌磁51用于搅拌容
器5内的蚀刻液,与第一通孔111、第二通孔112配合提高流动性,
35.进一步地,所述容器5呈圆柱形,所述容器5的外径与两所述挂钩31相互远离时的形成的挂持距离相等。即容器5的外径与两挂钩31 挂持方向相反时的最大可挂持距离相同,挂钩31与容器5外壁卡接,能够进一步提高其稳定性。
36.综上,本实用新型实施例提供一种用于芯片蚀刻试验的挂具及其装置,其挂钩31能够直接挂在容器5的容器5壁上保持稳定,通过挂杆3调节底板1的高度使芯片与蚀刻液高度匹配,保证芯片浸没在蚀刻液的中央;搅拌磁51结合第一通孔111与第二通孔112能改善定位板21处蚀刻液不流通的缺陷,使蚀刻液在定位板21处流动,带走蚀刻物,提高芯片蚀刻的均匀度,特氟龙涂层可以避免部件被蚀刻液腐蚀,该挂具及装置整体结构简单,使用方便,实用性强。
37.以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
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