氧化镓肖特基二极管

本技术涉及半导体功率器件，特别是涉及一种氧化镓肖特基二极管。

背景技术：

1、氧化镓(ga2o3)是第三代宽带隙半导体材料，其禁带宽度为4.5ev～4.9ev，理论击穿场强达到了8mv/cm，远大于碳化硅(sic)的2.5mv/cm和氮化镓(gan)的3.3mv/cm。除此之外，氧化镓的巴利伽优值(3214)是sic的10倍，是gan的4倍，因此氧化镓非常适合于制作超大功率器件。

2、氧化镓肖特基二极管在正向导通的时候应当具有较低的特征导通电阻，在反向关断的时候应当具有较高的击穿电压，从而得到较高的功率品质因子(pfom)。现有的氧化镓肖特基二极管通常采用降低氧化镓肖特基二极管漂移层的掺杂浓度或增加氧化镓肖特基二极管漂移层的厚度，如此可以提高击穿电压，但会导致特征导通电阻大幅度增大，因此击穿电压和特征导通电阻之间存在固有的矛盾关系，如何在提高击穿电压的同时，避免特征导通电阻大幅度增加，成为了制约着氧化镓肖特基二极管的功率品质因子的提升亟须解决的技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种氧化镓肖特基二极管，可以提高氧化镓肖特基二极管的击穿电压，从而提高氧化镓肖特基二极管的pfom，且只略微提高特征导通电阻。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种氧化镓肖特基二极管，包括：

3、衬底层；

4、阴极金属层，所述阴极金属层设置于所述衬底层底面；

5、导电漂移层，所述导电漂移层设置于衬底层的顶面；

6、阳极金属层，所述阳极金属层设置于导电漂移层的顶面；

7、其中，所述导电漂移层中具有多个横向排列且有一定间隔的埋层。

8、优选地，所述埋层设置于所述导电漂移层的内部。

9、优选地，所述埋层设置有多个，多个所述埋层间隔设置且位于同一水平线。

10、优选地，所述埋层的厚度不大于1μm。

11、优选地，所述埋层为重掺杂结构，掺杂类型与导电漂移层相反，所述埋层中的杂质浓度不小于1×1018cm-3。

12、本实用新型具有以下有益效果：

13、本实用新型的氧化镓肖特基二极管在导电漂移层内部设置埋层，虽然会略微提高特征导通电阻，但可以扩展氧化镓肖特基二极管的耗尽区厚度，从而提高氧化镓肖特基二极管的击穿电压，并缓和击穿电压与特征导通电阻的矛盾关系。

技术特征：

1.一种氧化镓肖特基二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于：所述埋层设置于所述导电漂移层的内部。

3.如权利要求2所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于：所述埋层设置有多个，多个所述埋层间隔设置且位于同一水平线。

4.如权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于：所述埋层的厚度不大于1μm。

技术总结
本技术涉及半导体功率器件技术领域，具体公开了一种氧化镓肖特基二极管，包括衬底层、阴极金属层、导电漂移层和阳极金属层，所述阴极金属层设置于所述衬底层底面；所述导电漂移层设置于衬底层的顶面；所述阳极金属层设置于导电漂移层的顶面；其中，所述导电漂移层中具有多个横向排列且有一定间隔的埋层，埋层的掺杂类型与导电漂移层相反。本技术可以提高氧化镓肖特基二极管的击穿电压，从而提高氧化镓肖特基二极管的PFOM，且只略微提高特征导通电阻。

技术研发人员：韩根全,贾晓乐
受保护的技术使用者：西安电子科技大学杭州研究院
技术研发日：20220922
技术公布日：2024/1/13