晶圆的制作方法

本公开属于显示，特别涉及一种晶圆。

背景技术：

1、晶圆是一种硅晶片，为制作半导体芯片的基础材料。

2、在相关技术中，蒸镀为基于晶圆的一种制作工艺，需要将掩膜版遮盖在晶圆上。为了避免掩膜版直接与晶圆接触，导致损伤有机膜，需要在掩膜版和晶圆之间设置垫高件，从而将掩膜版垫高。

3、然而，由于垫高件位于掩膜版的边缘，所以对于大尺寸的晶圆来说，掩膜版的中部会在重力的作用下下坠变形。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种晶圆，能够避免掩膜版变形。所述技术方案如下：

2、本公开实施例提供了一种晶圆，包括多个晶粒和多个凸起；

3、多个所述晶粒位于同一平面；

4、所述凸起与所述晶粒一一对应，各所述凸起分别与对应的所述晶粒相连，且各所述凸起位于各所述晶粒所处平面的同一侧。

5、在本公开的一种实现方式中，所述晶粒包括基板；

6、所述基板的表面具有凹槽；

7、所述凸起的一部分位于所述凹槽内，所述凸起的另一部分位于所述凹槽外。

8、在本公开的另一种实现方式中，所述凸起位于所述凹槽外的部分为圆弧形。

9、在本公开的又一种实现方式中，在垂直于所述基板的方向上，所述凸起与所述凹槽的槽口所处平面之间的最大距离为1-3um。

10、在本公开的又一种实现方式中，所述晶粒还包括电极；

11、所述电极位于所述凹槽内；

12、所述凸起与所述电极相连。

13、在本公开的又一种实现方式中，所述电极与所述凹槽的内壁相贴合，且所述电极与所述基板的表面平齐。

14、在本公开的又一种实现方式中，所述凹槽的槽口处具有环槽；

15、所述环槽围设在所述凹槽的四周；

16、所述电极的外边缘由所述环槽延伸至所述凹槽内。

17、在本公开的又一种实现方式中，所述电极的外边缘轮廓为矩形，所述电极的外边缘轮廓的尺寸不小于67.5um×67.5um。

18、在本公开的又一种实现方式中，在垂直于所述晶圆的方向上，所述电极的外边缘，与所述电极位于所述凹槽的槽底的部位之间的距离为1-3um。

19、在本公开的又一种实现方式中，多个所述凸起的材质为锡银金属。

20、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

21、通过本公开实施例提供的多个晶粒和多个凸起构成了一种晶圆，其中，多个晶粒与多个凸起相连，且多个晶粒与多个凸起一一对应。掩膜版在凸起的承托下，不会与晶粒直接接触，从而起到了保护晶粒的作用。并且，由于每个晶粒上都具有一个凸起，所以多个凸起能够给掩膜版提供稳固的支撑，即使是掩膜版的尺寸较大，掩膜版也不会在重力的作用下下坠变形。

技术特征：

1.一种晶圆，其特征在于，包括多个晶粒(1)和多个凸起(2)；

2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶粒(1)包括基板(11)；

3.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述凸起(2)位于所述凹槽(111)外的部分为圆弧形。

4.根据权利要求3所述的晶圆，其特征在于，在垂直于所述基板(11)的方向上，所述凸起(2)与所述凹槽(111)的槽口所处平面之间的最大距离为1-3um。

5.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述晶粒(1)还包括电极(12)；

6.根据权利要求5所述的晶圆，其特征在于，所述电极(12)与所述凹槽(111)的内壁相贴合，且所述电极(12)与所述基板(11)的表面平齐。

7.根据权利要求5所述的晶圆，其特征在于，所述凹槽(111)的槽口处具有环槽(1111)；

8.根据权利要求7所述的晶圆，其特征在于，所述电极(12)的外边缘轮廓为矩形，所述电极(12)的外边缘轮廓的尺寸不小于67.5um×67.5um。

9.根据权利要求7所述的晶圆，其特征在于，在垂直于所述晶圆的方向上，所述电极(12)的外边缘，与所述电极(12)位于所述凹槽(111)的槽底的部位之间的距离为1-3um。

10.根据权利要求1-9任一项所述的晶圆，其特征在于，多个所述凸起(2)的材质为锡银金属。

技术总结
本公开提供了一种晶圆，属于显示技术领域。该晶圆包括多个晶粒和多个凸起；多个晶粒位于同一平面；凸起与晶粒一一对应，各凸起分别与对应的晶粒相连，且各凸起位于各晶粒所处平面的同一侧。本公开能够避免掩膜版变形。

技术研发人员：许俊康,杨震元,吴秀珍,刘奋超
受保护的技术使用者：浙江宏禧科技有限公司
技术研发日：20221116
技术公布日：2024/1/12