一种金丝键合的微波芯片

文档序号:34195388发布日期:2023-05-17 16:12阅读:178来源:国知局
一种金丝键合的微波芯片

本发明涉及微波电路,特别是涉及一种金丝键合的微波芯片。


背景技术:

1、随着科技的迅速发展,全球的通信业务大幅度增加,对信息传输速率的要求也越来越高,传输信号频率逐渐由低频率向高频率发展。在雷达、电子对抗和通信等领域中,电子系统逐步朝着高密度、高速率、高可靠性、高性能和低成本等方向发展。金丝键合是利用金丝连接同种或异种金属、半导体、塑料及陶瓷的一种特殊的焊接方式,在微波多芯片电路中,常采用金丝键合技术来实现微带传输线、单片微波集成电路和集总式元器件之间的互连。与数字电路中互连线不同的是,键合金丝的参数特性如数量、长度、拱高、跨距、焊点位置等都会微波传输特性产生严重的影响。因此,分析金丝键合的电磁特性、并有效地设计金丝互连电路,对实现和提高多芯片电路的性能具有十分重要的意义。

2、实际上,考虑芯片存在尺寸公差和热膨胀,在连接的两个基片之间需预留一段小间隙。在微波应用中,影响性能的关键技术是微带与微带的连接技术,传统金丝键合结构示意图如图2所示:主要由介质基板01、微带02、键合金丝组成03,通过将键合金丝03焊接到不相邻的两个介质基板01上,使不同芯片组件或微带传输结构互连,实现在微带02上传输微波信号。在低频传输中,传统金丝键合结构表现出良好的性能。随着信号传输频率的增加,键合金丝本身的寄生电感和电阻会引起阻抗的不连续效应,对信号传输特性产生重大的负面影响,导致信号传输质量变差。


技术实现思路

1、鉴于上述的分析,本实用新型的目的在于设计一款在x波段(8-12ghz)具有理想信号传输特性的模型,对键合金丝在微波电路中引起阻抗不连续的问题进行补偿,从而提高信号的传输特性。

2、本实用新型提供了一种金丝键合的微波芯片,以解决传输过程中的信号传输质量较差的问题。具体技术方案如下:包括第一微带线、第二微带线以及单根键合金丝03,第一微带线和第二微带线通过键合金丝03连接;

3、第一微带线包括第一介质基板01、微带02、第一端口激励10;微带02和第一端口激励10设置于第一介质基板01上表面;微带02的其中一端构成微波芯片的源端,用于外接电流,微带02的另一端与第一端口激励10相连,第一端口激励10与键合金丝03的输入端相连并输出电流;

4、第二微带线包括第二介质基板04、微波网络结构、以及第二端口激励09;微波网络结构和第二端口激励09设置于第二介质基板04上表面;微波网络结构包括串联的两组t型微带,用于与键合金丝03阻抗匹配,微波网络结构的一端与与键合金丝03的输出端相连并接收的电流,微波网络结构的另一端与第二端口激励09相连,第二端口激励09构成第二微带线的负载端,并输出电流。

5、优选地,所述第一介质基板01和第二介质基板04均采用双面覆铜板材料。

6、优选地,微波芯片源端和第一传输线负载端特性阻抗均为50欧姆;

7、从所述微波芯片源端至所述负载端,所述多个微带依次包括第一微带05、第二微带06、第三微带07、第四微带08;

8、第一微带的长为2.041mm,宽为0.77mm,

9、第二微带的长为0.292mm,宽为1.324mm,

10、第三微带的长为1.793mm,宽为0.792mm,

11、第四微带的长为0.467mm,宽为0.678mm,

12、第一微带05、第二微带06、第三微带07、第四微带08厚度均为0.035mm;微波芯片大小为6mm×6.364mm×3mm。

13、优选地,所述微带02、第一微带05、第二微带06、第三微带07以及第四微带08的材质相同,均采用铜。

14、优选地,所述第一微带线和第二微带线与键合金丝03的连接方式为焊接。

15、优选地,所述微带02、第一微带05、第二微带06、第三微带07以及第四微带08一体成型。

16、本实用新型采用的键合金丝数量是单根,既可以保证较低的成本,又能达到信号传输性能的优化。在第二传输线上增设微波网络,通过微波网络的多个串联微带对键合金丝进行阻抗匹配,能够消除传统金丝键合结构等效电路中串联电感l与串联电阻r的影响,在x波段消除键合金丝引起的阻抗不连续效应,降低回波损耗与插入损耗,可有效优化传统金丝键合结构的x波段频率响应,从而提高信号传输性能,保证信号传输质量,使信号正常传输。可见,通过本方案可以解决x波段频率传输过程中的信号传输质量较差的问题。



技术特征:

1.一种金丝键合的微波芯片,其特征在于,包括第一微带线、第二微带线以及单根键合金丝(03),第一微带线和第二微带线通过键合金丝(03)连接;

2.根据权利要求1所述的一种金丝键合的微波芯片,其特征在于,所述第一介质基板(01)和第二介质基板(04)均采用双面覆铜板材料。

3.根据权利要求1所述的一种金丝键合的微波芯片,其特征在于,微波芯片源端和负载端特性阻抗均为50欧姆;

4.根据权利要求3所述的金丝键合的微波芯片,其特征在于,所述微带(02)、第一微带(05)、第二微带(06)、第三微带(07)以及第四微带(08)的材质相同,均采用铜。

5.根据权利要求1所述的金丝键合的微波芯片,其特征在于,所述第一微带线和第二微带线与键合金丝(03)的连接方式为焊接。

6.根据权利要求1至3任一所述的金丝键合的微波芯片,其特征在于,所述微带(02)、第一微带(05)、第二微带(06)、第三微带(07)以及第四微带(08)一体成型。


技术总结
本技术提供了一种金丝键合的微波芯片,包括第一微带线、第二微带线以及单根键合金丝,第一微带线和第二微带线通过键合金丝连接;第一微带线包括第一介质基板、微带、第一端口激励;第二微带线包括第二介质基板、微波网络结构、以及第二端口激励;微带的其中一端构成微波芯片的源端,第二端口激励构成微波芯片的负载端,电流从源端通过键合金丝流向负载端;微波网络结构包括串联的两组T型微带,用于与键合金丝阻抗匹配。通过本方案可以解决X波段频率传输过程中的信号传输质量较差的问题。

技术研发人员:李浩,禹胜林,魏志杰
受保护的技术使用者:南京信息工程大学
技术研发日:20221111
技术公布日:2024/1/12
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