一种背接触太阳能电池及光伏组件的制作方法

本技术涉及光伏，特别是涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件。

背景技术：

1、太阳能电池能将光能直接转换为电能用于生产生活中，具备高效、清洁、独立、可持续等优点，对于解决能源危机和生态危机具有重要的战略意义，因此具有广阔的应用前景。

2、虽然有多种类型的太阳能电池，例如由化合物半导体或有机材料制成的太阳能电池，但目前主流的是由晶体硅制成的太阳能电池。太阳能电池按其结构形式分为：双面电极结构的太阳能电池，其中电极分别设置在入射光的主要接收表面和与入射光的主要接收表面相对的背光面上。以及具有仅在背光面设置电极的结构。具有背面电极结构的太阳能电池的优点在于，因为在入光面上不存在电极，所以可以增加入射太阳光的量，减少因入光面电极遮挡导致的电流损失。然而现有的背接触太阳能电池背面的正负极栅线的间隙在制成的过程中容易发生过刻，降低了背接触太阳能电池产品性能和良率。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种背接触太阳能电池及光伏组件，旨在提升现有的背接触太阳能电池的电池性能及整体可靠性。

2、本实用新型的第一方面，提供了一种背接触太阳能电池，包括：硅基底，所述硅基底包括第一表面，所述硅基底第一表面侧包括第一半导体层、第二半导体层、预留块；所述第一表面包括：第一导电区、第二导电区和位于所述第一导电区和第二导电区之间的绝缘隔离区；

3、所述第一半导体层至少具有位于所述第一导电区上的第一部分；所述第二半导体层至少具有位于所述第二导电区上的第二部分；

4、所述预留块在所述第一表面上的第一投影落在所述绝缘隔离区中，所述第一投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积，且所述第一投影和所述第一导电区、所述第二导电区之间均具有间隙。

5、在本实用新型实施例中，预留块在硅基底的第一表面上的第一投影落在绝缘隔离区中，该第一投影的面积小于绝缘隔离区的面积，且该第一投影和第一导电区、第二导电区之间均具有间隙，此处的间隙能够保障良好的绝缘效果，该预留块基本没有受到激光刻蚀，进而该预留块所覆盖的部分基本没有受到激光刻蚀，减少了激光损伤，提升了背接触太阳能电池的开路电压和填充因子，在批量生产的过程中有效降低了电池激光过刻造成的品质问题，提升了电池产品的可靠性。

6、可选的，所述第一半导体层还具有位于所述绝缘隔离区上的第三部分；所述太阳能电池还包括位于所述第三部分上的介电阻挡层；所述第二半导体层还具有位于所述介电阻挡层上的第四部分；所述第四部分在所述第一表面上的第二投影落在所述绝缘隔离区中，且所述第二投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积；所述预留块包括至少局部所述第四部分。

7、可选的，所述太阳能电池还包括位于所述绝缘隔离区上的绝缘层；所述第二半导体层还具有位于所述绝缘层上的第五部分，以及位于所述第一部分上的第六部分；所述第五部分在所述第一表面上的第三投影落在所述绝缘隔离区中，且所述第三投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积；所述预留块包括至少局部所述第五部分。

8、可选的，所述第二半导体层的厚度，大于或等于所述第一半导体层的厚度；所述厚度所在的方向和所述第一方向平行。

9、可选的，所述预留块为1个连续块状结构，或，所述预留块为多个间隔分布的块状结构。

10、可选的，所述第一投影的面积，小于所述第一投影和所述第一导电区之间的间隙的面积，与所述第一投影和所述第二导电区之间的间隙的面积两者的和。

11、可选的，所述第一表面为凹凸表面；其中，所述绝缘隔离区朝向远离所述硅基底的方向凸出；所述第一导电区、所述第二导电区均朝向靠近所述硅基底的方向内凹。

12、可选的，所述第一投影的形状为多边形，所述多边形的每条边为弧线。

13、可选的，所述第二半导体层至少具有位于所述第二导电区上的第二部分；所述第一半导体层包括沿着远离所述硅基底的第一方向，层叠设置的第一本征半导体层和第一导电半导体层，所述第二半导体层包括沿着所述第一方向层叠设置的第二本征半导体层和第二导电半导体层；所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的导电类型相反。

14、可选的，所述多边形在各个方向上的尺寸均为1至30微米。

15、可选的，所述弧线所在的圆的半径为1至60微米。

16、可选的，所述多边形为三边形或四边形。

17、可选的，所述绝缘层为单层结构，或，所述绝缘层为叠层结构。

18、可选的，所述太阳能电池还包括位于所述第一半导体层和所述第二半导体层上的透明导电层，所述预留块包括位于所述绝缘隔离区上的至少局部所述透明导电层。

19、本实用新型的第二方面，提供了一种光伏组件，包括：若干个如任一前述的背接触太阳能电池。

20、上述光伏组件具有与前述的背接触太阳能电池相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。

技术特征：

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底包括第一表面，所述硅基底第一表面侧包括第一半导体层、第二半导体层、预留块；所述第一表面包括：第一导电区、第二导电区和位于所述第一导电区和第二导电区之间的绝缘隔离区；

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一半导体层还具有位于所述绝缘隔离区上的第三部分；所述太阳能电池还包括位于所述第三部分上的介电阻挡层；所述第二半导体层还具有位于所述介电阻挡层上的第四部分；所述第四部分在所述第一表面上的第二投影落在所述绝缘隔离区中，且所述第二投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积；所述预留块包括至少局部所述第四部分。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括位于所述绝缘隔离区上的绝缘层；所述第二半导体层还具有位于所述绝缘层上的第五部分，以及位于所述第一部分上的第六部分；所述第五部分在所述第一表面上的第三投影落在所述绝缘隔离区中，且所述第三投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积；所述预留块包括至少局部所述第五部分。

4.根据权利要求2或3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二半导体层的厚度，大于或等于所述第一半导体层的厚度；所述厚度所在的方向和第一方向平行；所述第一方向为沿着远离所述硅基底的方向。

5.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述预留块为1个连续块状结构，或，所述预留块为多个间隔分布的块状结构。

6.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一投影的面积，小于所述第一投影和所述第一导电区之间的间隙的面积，与所述第一投影和所述第二导电区之间的间隙的面积两者的和。

7.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一表面为凹凸表面；其中，所述绝缘隔离区朝向远离所述硅基底的方向凸出；所述第一导电区、所述第二导电区均朝向靠近所述硅基底的方向内凹。

8.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一投影的形状为多边形，所述多边形的每条边为弧线。

9.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一半导体层包括沿着远离所述硅基底的第一方向，层叠设置的第一本征半导体层和第一导电半导体层，所述第二半导体层包括沿着所述第一方向层叠设置的第二本征半导体层和第二导电半导体层；所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的导电类型相反。

10.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘层为单层结构，或，所述绝缘层为叠层结构。

11.根据权利要求1至3中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括位于所述第一半导体层和所述第二半导体层上的透明导电层，所述预留块包括位于所述绝缘隔离区上的至少局部所述透明导电层。

12.一种光伏组件，其特征在于，包括：若干个如权利要求1至11中任一所述的背接触太阳能电池。

技术总结
本技术提供了一种背接触太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的第一表面侧包括第一半导体层、第二半导体层、预留块；第一表面包括：第一导电区、第二导电区和位于所述第一导电区和第二导电区之间的绝缘隔离区；第一半导体层至少具有位于第一导电区上的第一部分；第二半导体层至少具有位于第二导电区上的第二部分；预留块在第一表面上的第一投影落在绝缘隔离区中，第一投影的面积小于绝缘隔离区的面积，且第一投影和第一导电区、第二导电区均具有间隙。该预留块基本没有受到激光刻蚀，该预留块所覆盖的部分基本没有受到激光刻蚀，减少了激光损伤，提升了开路电压和填充因子，提升了电池的可靠性。

技术研发人员：唐喜颜,孙召清,周生厚,邓小玉,叶枫,方亮
受保护的技术使用者：隆基绿能科技股份有限公司
技术研发日：20221124
技术公布日：2024/1/12