本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构。
背景技术：
1、发光芯片是一种常用的发光器件，照明领域应用广泛。发光芯片可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。
2、随着技术的不断进步，发光芯片已被广泛地应用于显示器和照明等领域，因而对发光芯片的发光效率提出了更高要求。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的发光芯片的发光效率较低的问题提供一种半导体结构。
2、为了实现上述目的，本实用新型提供了一种半导体结构，包括：
3、多个发光芯片，所述发光芯片包括依次形成的n型半导体层、发光层、p型半导体层；
4、第一介质层，覆盖所述发光芯片；
5、第一电极，位于所述第一介质层中，与所述p型半导体层连接；
6、驱动基板，与所述第一介质层以及所述第一电极键合；
7、第二电极，位于第一介质层远离所述驱动基板一侧，与所述n型半导体层电连接。
8、在一个实施例中，所述半导体结构包括：
9、第一电流扩散层，位于所述p型半导体层上。
10、在一个实施例中，所述半导体结构包括：
11、刻蚀阻挡层，位于所述第一电流扩散层上。
12、在一个实施例中，所述半导体结构包括：
13、生长阻挡层，位于所述第一电极与所述第一介质层之间。
14、在一个实施例中，相邻所述发光芯片间隔设置。
15、在一个实施例中，所述半导体结构包括：
16、第二电流扩散层，位于所述第一介质层靠近所述n型半导体层的表面以及所述n型半导体层表面上。
17、在一个实施例中，所述第二电极与相邻所述n型半导体层之间的所述第二电流扩散层电连接。
18、在一个实施例中，所述第二电极位于相邻所述n型半导体层之间的所述第二电流扩散层上。
19、在一个实施例中，所述驱动基板包括：
20、第二介质层以及驱动电极，所述驱动电极位于所述第二介质层中；所述驱动电极与所述第一电极键合，所述第二介质层与所述第一介质层键合。
21、在一个实施例中，所述第一电极的材料包括铜。
22、在上述半导体结构中，通过在第一介质层中设置第一电极，在相邻n型半导体层之间的第二电流扩散层上设置第二电极，并第一介质层以及第一电极键合至驱动基板，驱动基板可以驱动发光芯片发光，提高了发光芯片的发光效率。
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述发光芯片间隔设置。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极与相邻所述n型半导体层之间的所述第二电流扩散层电连接。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极位于相邻所述n型半导体层之间的所述第二电流扩散层上。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述驱动基板包括：
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极的材料包括铜。