一种适用于N78频段MEMS谐振器匹配构件的制作方法

本技术涉及谐振器，具体为一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件。

背景技术：

1、随着现代通信技术的快速发展，移动通信系统提出了更快的传输速率、更高的频谱利用率、更多的设备接入量和更低的时延等发展目标，对现有的各种元器件在性能上提出了更高的需求。尤其对于射频滤波器，因其能够滤除通带范围外的干扰信号，提高通信系统的信噪比，改善通信质量，由其组成的双工器、多工器及合路器等射频器件在5g移动通信系统中起着至关重要的作用。

2、目前，由于微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem，mems)谐振器具有品质因数(q值)高、体积小、功耗低、可靠性好、稳定性强，且易于封装集成的优点，以其为基础的声波滤波芯片，包括滤波器、双工器、多工器及合路器等，在无线通讯系统中得到广泛的使用。然而，随着频率资源越来越紧张，相邻通讯频段之间的保护带宽越来越窄，对声波滤波芯片的q值、带外抑制能力、矩形度等指标要求越来越高。

3、为了提高声波滤波芯片的性能，通常会需要在mems谐振器的外围增加绕线电感器，从而在阻带范围内引入更多的传输零点。根据声波滤波芯片的工作频段、功能组合、性能指标等需求，引入绕线电感的形式、电感值、电感数量差异较大，从而需要在众多电感组合中进行折中选择。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，包括自上而下层叠设置的第一金属层至第五金属层、以及自上而下设置且分别设于相邻两个金属层之间的第一介质材料层至第四介质材料层，所述第一金属层和第五金属层之间设有穿设于第一介质材料层至第四介质材料层上的第一集成电感至第五集成电感，所述第一金属层和第四金属层之间设有穿设于第一介质材料层至第三介质材料层上的第六集成电感，所述第一金属层至第五金属层上均设有与第一集成电感至第五集成电感连接的多个金属布线，所述第一介质材料层至第四介质材料层上均设有用于第一集成电感至第五集成电感穿过的多个金属化孔，所述第一金属层至第四金属层上均设有与第六集成电感连接的金属布线，所述第一介质材料层至第三介质材料层上均设有用于第六集成电感穿过的金属化孔，所述第一集成电感至第六集成电感的上端均设有一个第一电极，六个所述第一电极均设置于第一金属层上，所述第一集成电感至第五集成电感的下端均设有一个第二电极，所述第六集成电感的下端设有一个第三电极，所述第二电极设置于第五金属层上，所述第三电极设置于第四金属层上，所述第一集成电感至第五集成电感的电感值均为0.1nh-10nh，所述第六集成电感的电感值为1nh-10nh。

3、进一步优选，所述第一金属层至第五金属层的厚度均为15±5毫米，能够实现较高性能且易于加工。

4、进一步优选，所述第一介质材料层和第四介质材料层的厚度均为30±10毫米，所述第二介质材料层和第三介质材料层的厚度均为40±10毫米，能够实现较高性能且机械强度高。

5、进一步优选，所述金属布线的宽度为30-50微米，由其绕制而成的基板集成电感具有较高的品质因数；相邻两个所述金属布线之间的距离为30-50微米，不同金属布线之间的相互影响较低，且布线区域面积能够更加紧凑。

6、进一步优选，所述金属化孔的直径尺寸为60-80微米，实现第一集成电感至第六集成电感的安装，且能够尽量降低其所占区域面积，提高空间利用率。

7、进一步优选，所述第一金属层至第五金属层的材质为铜、金和铝中的任意一种或多种，导电性好。

8、进一步优选，所述第一介质材料层至第四介质材料层的材质为树脂和陶瓷中的一种或两种，绝缘性能好且价格成本低。

9、进一步优选，所述第一集成电感、第二集成电感、第三集成电感、第四集成电感、第五集成电感和第六集成电感在垂直方向上呈螺旋式，通过将不同层的金属布线按照同一个旋转方向通过金属化孔连接起来，形成螺旋电感，使得电感具有相对较高的电感值和品质因数。

10、有益效果：本实用新型的适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其用于和mems谐振器封装后组成滤波器，通过第一集成电感至第六集成电感能够引入传输零点，能够提高滤波器的带外抑制能力；通过将第一集成电感、第二集成电感、第三集成电感、第四集成电感、第五集成电感和第六集成电感集成于同一基板内，并和mems谐振器封装而成的滤波器的结构更加紧凑，能够降低滤波器的制造成本，很好地实现了n78频段下mems滤波器性能与成本之间的折中。

技术特征：

1.一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，包括自上而下层叠设置的第一金属层至第五金属层、以及自上而下设置且分别设于相邻两个金属层之间的第一介质材料层至第四介质材料层，其特征在于：所述第一金属层和第五金属层之间设有穿设于第一介质材料层至第四介质材料层上的第一集成电感至第五集成电感，所述第一金属层和第四金属层之间设有穿设于第一介质材料层至第三介质材料层上的第六集成电感，所述第一金属层至第五金属层上均设有与第一集成电感至第五集成电感连接的多个金属布线，所述第一介质材料层至第四介质材料层上均设有用于第一集成电感至第五集成电感穿过的多个金属化孔，所述第一金属层至第四金属层上均设有与第六集成电感连接的金属布线，所述第一介质材料层至第三介质材料层上均设有用于第六集成电感穿过的金属化孔，所述第一集成电感至第六集成电感的上端均设有一个第一电极，六个所述第一电极均设置于第一金属层上，所述第一集成电感至第五集成电感的下端均设有一个第二电极，所述第六集成电感的下端设有一个第三电极，所述第二电极设置于第五金属层上，所述第三电极设置于第四金属层上，所述第一集成电感至第五集成电感的电感值均为0.1nh-10nh，所述第六集成电感的电感值为1nh-10nh。

2.根据权利要求1所述的一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其特征在于：所述第一金属层至第五金属层的厚度均为15±5毫米。

3.根据权利要求1所述的一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其特征在于：所述第一介质材料层和第四介质材料层的厚度均为30±10毫米，所述第二介质材料层和第三介质材料层的厚度均为40±10毫米。

4.根据权利要求2所述的一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其特征在于：所述金属布线的宽度为30-50微米，相邻两个所述金属布线之间的距离为30-50微米。

5.根据权利要求1所述的一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其特征在于：所述金属化孔的直径尺寸为60-80微米。

6.根据权利要求1所述的一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其特征在于：所述第一金属层至第五金属层的材质为铜、金和铝中的任意一种或多种。

7.根据权利要求1所述的一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其特征在于：所述第一介质材料层至第四介质材料层的材质为树脂和陶瓷中的一种或两种。

8.根据权利要求1所述的一种适用于n78频段mems谐振器匹配构件，其特征在于：所述第一集成电感、第二集成电感、第三集成电感、第四集成电感、第五集成电感和第六集成电感在垂直方向上呈螺旋式。

技术总结
本技术公开了一种适用于N78频段MEMS谐振器匹配构件，包括自上而下层叠设置的第一金属层至第五金属层和第一介质材料层至第四介质材料层，第一金属层和第五金属层之间设有第一集成电感至第五集成电感，第一金属层和第四金属层之间设有第六集成电感，第一金属层至第五金属层上均设有金属布线，第一介质材料层至第四介质材料层上均设有金属化孔，第一集成电感至第六集成电感的上端均设有第一电极，第一集成电感至第五集成电感的下端均设有第二电极，第六集成电感的下端设有第三电极，第一集成电感至第五集成电感的电感值均为0.1nH‑10nH，第六集成电感的电感值为1nH‑10nH。本技术的有益效果是：能够引入传输零点，提高滤波器带外抑制能力。

技术研发人员：高浩洋,王双福,张焜,魏启甫
受保护的技术使用者：泓林微电子（昆山）有限公司
技术研发日：20221221
技术公布日：2024/1/12