一种复合电阻的制作方法

本技术涉及电子元器件领域，更具体的涉及一种复合电阻。

背景技术：

1、“压敏电阻”。具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件，也称为“突波吸收器”或“电冲击抑制器(浪涌吸收器)”。当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。

2、现有的压敏电阻器通常是直接将两个引脚焊接在电路板上，一只压敏电阻保护一路。在使用过程中发现，压敏电阻泻放过电压的过程中，由于电流流过压敏电阻会导致电阻发热的问题，当发热热量超过压敏电阻所能容许的上限热量时，压敏电阻可能会因过热而造成自燃，从而引发严重事故的问题。

技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种复合电阻，解决现在技术中压敏电阻因发热而造成自然，引发严重事故的问题。

2、本实用新型实施例提供一种复合电阻，包括：

3、压敏电阻器主体，其包括第一侧面和与第一侧面相对设置的第二侧面；

4、第一热敏芯片，其设置在第一侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第一侧面上的第一电极；

5、第二热敏芯片，其设置在第二侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第二侧面上的第二电极；

6、第一引脚，其设置在所述第一热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧；

7、第二引脚，其设置在所述第二热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧。

8、优选地，所述第一热敏芯片和所述第二热敏芯片的形状一致；

9、所述第一热敏芯片的面积小于等于所述第一侧面的面积，所述第二热敏芯片的面积小于等于所述第二侧面的面积。

10、优选地，所述第一热敏芯片的朝着所述第一侧面方向的投影面积大于所述第一电极的面积；

11、所述第二热敏芯片的朝着所述第二侧面方向的投影面积大于所述第二电极的面积。

12、优选地，所述第一热敏芯片通过焊接方式设置在所述压敏电阻器主体的第一侧面上，与位于所述第一侧面上的第一电极电联接；或者

13、所述第一热敏芯片通过压接方式设置在所述压敏电阻器主体的第一侧面上，与位于所述第一侧面上的第一电极电联接；或者

14、所述第一热敏芯片通过粘接方式设置在所述压敏电阻器主体的第一侧面上，与位于所述第一侧面上的第一电极电联接。

15、优选地，所述第二热敏芯片通过焊接方式设置在所述压敏电阻器主体的第二侧面上，与位于所述第二侧面上的第二电极电联接；或者

16、所述第二热敏芯片通过压接方式设置在所述压敏电阻器主体的第二侧面上，与位于所述第二侧面上的第二电极电联接；或者

17、所述第二热敏芯片通过粘接方式设置在所述压敏电阻器主体的第二侧面上，与位于所述第二侧面上的第二电极电联接。

18、本实用新型实施例提供一种复合电阻，包括：压敏电阻器主体，其包括第一侧面和与第一侧面相对设置的第二侧面；第一热敏芯片，其设置在第一侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第一侧面上的第一电极；第二热敏芯片，其设置在第二侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第二侧面上的第二电极；第一引脚，其设置在所述第一热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧；第二引脚，其设置在所述第二热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧。本实用新型实施例提供的复合电阻，其通过在一个压敏电阻器主体的两个侧面分别串联一个热敏芯片，当电压来临时，压敏电阻器导通，电流流过设置在压敏电阻器主体两侧的热敏芯片和压敏电阻器主体时，由于热敏芯片处于低阻状态，其允许较大的电流流过，可以起到泄放过电压的作用；进一步地，若压敏电阻器主体的温度升高到超过热敏芯片的开关温度，热敏芯片的阻值快速变大，使泻放回路的电流明显降低，可以避免压敏电阻器主体过热，解决现有技术中压敏电阻因发热而造成自然，引发严重事故的问题。

技术特征：

1.一种复合电阻，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的复合电阻，其特征在于，所述第一热敏芯片和所述第二热敏芯片的形状一致；

3.如权利要求2所述的复合电阻，其特征在于，所述第一热敏芯片的朝着所述第一侧面方向的投影面积大于所述第一电极的面积；

4.如权利要求1所述的复合电阻，其特征在于，所述第一热敏芯片通过焊接方式设置在所述压敏电阻器主体的第一侧面上，与位于所述第一侧面上的第一电极以串联方式电联接；或者

5.如权利要求4所述的复合电阻，其特征在于，所述第二热敏芯片通过焊接方式设置在所述压敏电阻器主体的第二侧面上，与位于所述第二侧面上的第二电极电联接；或者

技术总结
本技术公开了一种复合电阻，涉及电子元器件领域。用于解决现在技术中压敏电阻因发热而造成自然，引发严重事故的问题。该复合电阻，包括：第一侧面和与第一侧面相对设置的第二侧面；第一热敏芯片，其设置在第一侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第一侧面上的第一电极；第二热敏芯片，其设置在第二侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第二侧面上的第二电极；第一引脚，其设置在所述第一热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧；第二引脚，其设置在所述第二热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧。

技术研发人员：李可为,沈佳豪,马雪丽
受保护的技术使用者：西安市西无二电子信息集团有限公司
技术研发日：20221221
技术公布日：2024/1/12