一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构。

背景技术：

1、芯片封装技术是将芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。

2、基于引线框的芯片封装技术长期以来都是行业标准，其主要是将芯片固定于引线框架，然后通过打线的方式引出芯片电极，然而封装结构包含引线框架将导致整个封装结构较厚，体积大；同时，打线方式提高了整个封装结构的寄生电阻，且连接可靠性低。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术的问题，提供了一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构。

2、本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种芯片封装子结构，该封装子结构由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层、第一介质层和焊盘；第一塑封层内封装有第一芯片；第二塑封层内设有第一布线金属层，与第一芯片的正面电极或背面电极连接；第一布线金属层与贯穿第一塑封层的第二布线金属层连接；第二布线金属层与第一介质层中的第三布线金属层连接，第三布线金属层与焊盘连接；第一芯片的背面电极或正面电极连接有第四布线金属层，第四布线金属层与焊盘连接。

3、在一示例中，所述封装子结构还包括设于第一介质层上的第二介质层，第三布线金属层贯穿第一介质层并凸出第一介质层设置，凸出第一介质层的第三布线金属层经第二介质层包裹；第二介质层内设有第五布线金属层，与第三布线金属层、焊盘连接。

4、在一示例中，所述第三布线金属层为弯折的布线层。

5、在一示例中，所述第一介质层、第二介质层为al2o3、sio2、sinx、环氧树脂、pi、pbo中任意一种。

6、在一示例中，所述第二布线金属层为金属柱。

7、在一示例中，所述金属柱包括上层金属子柱与下层金属子柱，上层金属子柱为cu材质金属柱，下层金属子柱为ti材质金属柱。

8、需要进一步说明的是，上述封装子结构各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。

9、在一示例中，一种芯片封装子结构，包括两个如上述任一示例或者多个示例组成形成的所述封装子结构，各封装子结构水平拼接得到双芯片封装子结构。

10、在一示例中，双芯片封装子结构中的两颗芯片的正面电极均朝下；

11、或两颗芯片的正面电极均朝上；

12、或其中一颗芯片的正面电极朝下，另一颗芯片的背面电极朝上。

13、本实用新型还包括一种多芯片封装结构，包括两个如上述任一示例或者多个示例组成形成的所述封装子结构，各封装子结构水平拼接得到封装结构。

14、在一示例中，双封装结构中各芯片的正面电极均朝下；

15、或各芯片的正面电极均朝上；

16、或部分芯片的正面电极朝下，另一部分芯片的背面电极朝上。

17、与现有技术相比，本实用新型有益效果是：

18、1.整个封装结构不包含引线框架，大大降低了封装体积，实现了封装结构的薄型化；同时，芯片电极的引出通过布线金属层实现，相较于打线方式引线，降低了寄生电阻，并提高了连接的可靠性与稳定性，适合批量生产。

19、2.通过第一介质层、第二介质层进行两层金属布线，提高了连接稳定性。

技术特征：

1.一种芯片封装子结构，其特征在于：其由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层、第一介质层和焊盘；

2.根据权利要求1所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述封装子结构还包括设于第一介质层上的第二介质层，第三布线金属层贯穿第一介质层并凸出第一介质层设置，凸出第一介质层的第三布线金属层经第二介质层包裹；

3.根据权利要求2所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述第三布线金属层为弯折的布线层。

4.根据权利要求2所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述第一介质层、第二介质层为al2o3、sio2、sinx、环氧树脂、pi、pbo中任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述第二布线金属层为金属柱。

6.根据权利要求5所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述金属柱包括上层金属子柱与下层金属子柱，上层金属子柱为cu材质金属柱，下层金属子柱为ti材质金属柱。

7.一种双芯片封装结构，其特征在于：包括两个如权利要求1-6任一项所述封装子结构，各封装子结构水平拼接得到双芯片封装结构。

8.根据权利要求7所述的一种双芯片封装结构，其特征在于：所述双芯片封装结构中的两颗芯片的正面电极均朝下；

9.一种多芯片封装结构，其特征在于：包括若干如权利要求1-6任一项所述封装子结构，各封装子结构水平拼接得到封装结构。

10.根据权利要求9所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述封装结构中各芯片的正面电极均朝下；

技术总结
本技术公开了一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构，属于半导体封装技术领域，由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层、第一介质层和焊盘；第一塑封层内封装有第一芯片；第二塑封层内设有第一布线金属层，与第一芯片第一面电极连接；第一布线金属层与贯穿第一塑封层的第二布线金属层连接；第二布线金属层与第一介质层中的第三布线金属层连接，第三布线金属层与焊盘连接；第一芯片的第二面电极连接有第四布线金属层，第四布线金属层与焊盘连接。整个封装结构不包含引线框架，降低了封装体积，实现了封装结构的薄型化；芯片电极引出通过布线金属层实现，降低了寄生电阻，并提高了连接的可靠性与稳定性，适合批量生产。

技术研发人员：马磊,张帅
受保护的技术使用者：成都复锦功率半导体技术发展有限公司
技术研发日：20221227
技术公布日：2024/1/13