用于激光退火的挡光装置以及激光退火设备的制作方法

本技术涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于激光退火的挡光装置以及激光退火设备。

背景技术：

1、随着超大规模集成电路制造技术、新型薄膜晶体管显示技术和大面积oled显示技术的日益成熟和规模化，激光退火技术逐渐取代传统的炉管退火、快速热退火、尖峰退火、快闪退火，成为新一代主流退火技术。

2、在微纳光学和微纳制造领域，激光退火可以实现对样品微小区域的精准退火，对热量进行精确的控制，从而实现更加精细的结构的制备。在钙钛矿电池、学属微纳结构、氧化钛纳米材料、二维材料等等众多需要微纳加工的方向，都是激光退火的重要应用领域。在成熟的半导体工业界，激光退火设备将更加广泛的应用于各类半导体器件的工艺制作。

3、目前，在使用激光对晶圆进行激光退火时，如果激光以非垂直入射角度对晶圆进行热处理，则会出现晶圆边缘受热不均匀的现象。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种用于激光退火的挡光装置以及激光退火设备，其在激光以非垂直入射角度对晶圆进行热处理时，能够使得晶圆边缘受热更加均匀，从而提升挡光效果以及提高晶圆的性能。

2、为了实现上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案如下：

3、本实用新型提供一种用于激光退火的挡光装置。该挡光装置包括挡光板，所述挡光板包括通孔；其中，所述通孔的孔壁包括褶皱段，所述褶皱段包括多个连续相邻且凸出的凸起结构，所述凸起结构用于在激光照射所述通孔的边缘并生成衍射光时反射所述衍射光。

4、进一步地，所述凸起结构包括如下任意一种形状：锯齿形状、正弦波形状、半圆形状、弧状。

5、进一步地，所述凸起结构的突出部位的弯曲程度与所述激光的入射角度的大小负相关；其中，所述入射角度的范围包括0°-90°。

6、进一步地，当所述凸起结构为锯齿形状时，所述锯齿形状的尖角的角度与所述入射角度成反比。

7、进一步地，所述褶皱段至少覆盖所述通孔一半的孔壁。

8、进一步地，所述挡光板为方形结构。

9、进一步地，所述通孔为圆形结构，所述通孔的大小与晶圆大小相同。

10、进一步地，所述挡光板的材质为钼。

11、进一步地，所述挡光板的表面经过抛光处理。

12、本实用新型还提供一种激光退火设备。该激光退火设备包括激光发生器以及上述任一种可能实施方式中的用于激光退火的挡光装置；其中，所述激光发生器用于生成激光，并将所述激光通过所述挡光装置的通孔向晶圆照射，以对所述晶圆进行热处理。

13、基于上述实施例，挡光板的通孔的孔壁处包括褶皱段，褶皱段包括多个连续相邻且凸出的凸起结构。激光照射所述通孔的边缘时会生成衍射光，这些凸起结构可以反射所述衍射光，从而尽可能避免衍射光照射到晶圆的边缘。因此，该挡光装置在激光以非垂直入射角度对晶圆进行热处理时，能够使得晶圆边缘受热更加均匀，从而提升挡光效果以及提高晶圆的性能。

14、应当理解，前述的一般描述和接下来的具体实施方式两者均是为了举例和说明的目的并且未必限制本公开。并入并构成说明书的一部分的附图示出本公开的主题。同时，说明书和附图用来解释本公开的原理。

技术特征：

1.一种用于激光退火的挡光装置，其特征在于，包括挡光板，所述挡光板包括通孔；其中，

2.根据权利要求1所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，所述凸起结构包括如下任意一种形状：锯齿形状、正弦波形状、半圆形状、弧状。

3.根据权利要求1所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，所述凸起结构的突出部位的弯曲程度与所述激光的入射角度的大小负相关；其中，所述入射角度的范围包括0°-90°。

4.根据权利要求3所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，当所述凸起结构为锯齿形状时，所述锯齿形状的尖角的角度与所述入射角度成反比。

5.根据权利要求1所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，所述褶皱段至少覆盖所述通孔一半的孔壁。

6.根据权利要求1所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，所述挡光板为方形结构。

7.根据权利要求1所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，所述通孔为圆形结构，所述通孔的大小与晶圆大小相同。

8.根据权利要求1所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，所述挡光板的材质为钼。

9.根据权利要求1所述的用于激光退火的挡光装置，其特征在于，所述挡光板的表面经过抛光处理。

10.一种激光退火设备，其特征在于，包括激光发生器以及如权利要求1-9中任一项所述的用于激光退火的挡光装置；其中，

技术总结
本技术的实施例提供了一种用于激光退火的挡光装置以及激光退火设备，涉及激光退火领域。该挡光装置包括：挡光板，所述挡光板包括通孔；其中，所述通孔的孔壁包括褶皱段，所述褶皱段包括多个连续相邻且凸出的凸起结构，所述凸起结构用于在激光照射所述通孔的边缘并生成衍射光时反射所述衍射光。该挡光装置在激光以非垂直入射角度对晶圆进行热处理时，能够使得晶圆边缘受热更加均匀，从而提升挡光效果以及提高晶圆的性能。

技术研发人员：付志良,黄永忠,何刘,王德友,张满强,潘冬,陈永智,潘真杰,刘勇
受保护的技术使用者：成都莱普科技股份有限公司
技术研发日：20221228
技术公布日：2024/1/13