本技术属于led封装领域,具体涉及一种led封装结构。
背景技术:
1、目前,目前行业中,高亮度的led大多数使用ksf荧光粉提亮,但ksf荧光粉属于离子晶体,在高温高湿环境下易发生严重劣化。ksf荧光粉处于高温高湿环境下时,荧光粉晶体本身会发生溶解致晶体本身发生破坏,使催化剂离子价位发生变化,最终生成黑色沉淀物,导致荧光粉发黑并且降低ksf粉激发效率。实验中发现金属基cob在同时存在电场和水的情况下会加速ksf粉分解,且电场越大,ksf粉劣化程度越明显。
2、因此,需要一种新的技术以解决现有技术中荧光粉容易劣化分解的问题。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的上述问题,本实用新型提供了一种led封装结构,其具有不易导致荧光粉劣化分解的效果。
2、本实用新型采用了以下技术方案:
3、一种led封装结构,包括金属基板和位于所述金属基板上表面的荧光粉、正极线路、负极线路、防护层、等电位导电组件、至少一个发光芯片,所述金属基板设有功能区,所述功能区位于所述正极线路与所述负极线路之间,各所述发光芯片固定在所述功能区内,所述荧光粉涂覆于所述功能区内,所述防护层覆盖在所述正极线路、所述负极线路的外表面,所述防护层为围坝胶;
4、各所述发光芯片的负极与所述负极线路电性连接,各所述发光芯片的正极与所述正极线路电性连接,所述等电位导电组件用于导通由所述金属基板至所述负极线路的电路。
5、作为本实用新型技术方案的进一步改进,所述等电位导电组件包括至少一个第一导线,所述第一导线的两端分别与所述负极线路、所述金属基板电性连接。
6、作为本实用新型技术方案的进一步改进,所述等电位导电组件包括第至少一个单向二极管,各所述单向二极管均间隔地固定在所述负极线路上,各所述单向二极管远离所述负极线路的一端与所述金属基板电性连接。
7、作为本实用新型技术方案的进一步改进,各所述单向二极管垂直于所述负极线路,各所述单向二极管的底部为正极且与负极线路电性连接,各所述单向二极管的顶部为负极且与所述金属基板电性连接。
8、作为本实用新型技术方案的进一步改进,各所述单向二极管的导通电压小于所述若干发光芯片的开启电压的二分之一。
9、作为本实用新型技术方案的进一步改进,各所述单向二极管为单向齐纳。
10、作为本实用新型技术方案的进一步改进,所述防护层包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层覆盖于所述正极线路上表面和所述正极线路上靠近所述发光芯片的一侧面,所述第二保护层覆盖于所述负极线路和所述负极线路靠近所述发光芯片的一侧面,所述单向二极管位于所述第二保护层内,所述荧光粉位于所述第一保护层与所述第二保护层之间。
11、作为本实用新型技术方案的进一步改进,各所述发光芯片为发光二极管。
12、与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
13、本方案中的等电位导电组件用于导通由所述基板至所述负极线路的电路,通过设置等电位导电组件将负极线路与金属基板强制同步电势,消除了由金属基板底部指向发光芯片的电场,从而避免荧光粉加速劣化,解决金属基cob封装的ksf在高湿环境下易发黑问题,对ksf荧光粉的可靠性提升具有显著效果。
1.一种led封装结构,其特征在于:包括金属基板和位于所述金属基板上表面的荧光粉、正极线路、负极线路、防护层、等电位导电组件、至少一个发光芯片,所述金属基板设有功能区,所述功能区位于所述正极线路与所述负极线路之间,各所述发光芯片固定在所述功能区内,所述荧光粉涂覆于所述功能区内,所述防护层覆盖在所述正极线路、所述负极线路的外表面,所述防护层为围坝胶;
2.根据权利要求1所述的led封装结构,其特征在于:所述等电位导电组件包括至少一个第一导线,所述第一导线的两端分别与所述负极线路、所述金属基板电性连接。
3.根据权利要求1所述的led封装结构,其特征在于:所述等电位导电组件包括第至少一个单向二极管,各所述单向二极管均间隔地固定在所述负极线路上,各所述单向二极管远离所述负极线路的一端与所述金属基板电性连接。
4.根据权利要求3所述的led封装结构,其特征在于:各所述单向二极管垂直于所述负极线路,各所述单向二极管的底部为正极且与负极线路电性连接,各所述单向二极管的顶部为负极且与所述金属基板电性连接。
5.根据权利要求4所述的led封装结构,其特征在于:各所述单向二极管的导通电压小于所述若干发光芯片的开启电压的二分之一。
6.根据权利要求5所述的led封装结构,其特征在于:各所述单向二极管为单向齐纳。
7.根据权利要求6所述的led封装结构,其特征在于:所述防护层包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层覆盖于所述正极线路上表面和所述正极线路上靠近所述发光芯片的一侧面,所述第二保护层覆盖于所述负极线路和所述负极线路靠近所述发光芯片的一侧面,所述单向二极管位于所述第二保护层内,所述荧光粉位于所述第一保护层与所述第二保护层之间。
8.根据权利要求7所述的led封装结构,其特征在于:各所述发光芯片为发光二极管。