诊断装置、半导体制造装置系统、半导体装置制造系统以及诊断方法与流程

本公开涉及诊断装置、半导体制造装置系统、半导体装置制造系统以及诊断方法，特别涉及运用于检测制造半导体装置的半导体制造装置的异常的诊断装置以及诊断方法中有效的技术。

背景技术：

1、在半导体制造装置中，由于随时间的要因而在构成半导体制造装置的处理室、外围设备中产生性能变动，或附着异物。这些成为半导体装置的停止、形成于半导体晶片上的半导体装置的不良的原因。

2、作为使用半导体制造装置的传感器数据探测半导体制造装置的异常的方法，例如提出jp特开2021-12654号公报。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：jp特开2021-12654号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在jp特开2021-12654号公报中公开了通过使用半导体制造装置的处理中的传感器数据(压力数据、温度数据等)计算目标值与数据的差分来探测异常的方法。但这些感器数据根据处理条件而值不同。因此，若设定单一的阈值判定异常，则根据处理条件会发生虚报、漏报，这成为课题。

3、本公开的课题在于，提供能抑制处理条件所引起的偏差并判定半导体制造装置的排气装置或排气配管的异常的诊断技术。

4、其他课题和新的特征会从本说明书的描述以及附图而得以明确。

5、用于解决课题的手段

6、若简单说明本公开当中的代表性的方案的概要，则如下述那样。

7、诊断装置诊断半导体制造装置的状态，半导体制造装置具备：处理室，其对样品进行处理；运送室，其将样品向所述处理室运送，并与处理室连接；阀，其配置于处理室与运送室之间；和排气装置，其将处理室排气，在诊断装置中，根据阀打开后的排气装置所涉及的压力来判定排气装置或排气装置所涉及的排气配管的异常有无。

8、发明的效果

9、根据上述诊断装置，能判定处理条件所引起的偏差并判定半导体制造装置的排气装置或排气配管的异常。由此，能减少起因于处理条件的虚报、漏报。

技术特征：

1.一种诊断装置，诊断半导体制造装置的状态，所述半导体制造装置具备：

2.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的诊断装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，

5.一种半导体制造装置系统，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体制造装置系统，其特征在于，

7.一种半导体装置制造系统，具备经由网络连接半导体制造装置且安装有用于诊断所述半导体制造装置的状态的应用的平台，

8.一种诊断方法，诊断半导体制造装置的状态，所述半导体制造装置具备：

技术总结
提供能抑制处理条件所引起的偏差且判定半导体制造装置的排气装置或排气配管的异常的诊断技术。诊断装置诊断半导体制造装置的状态，该半导体制造装置具备：对样品进行处理的处理室；将样品向所述处理室运送并与处理室连接的运送室；配置于处理室与运送室之间的阀；和将处理室排气的排气装置，在该诊断装置中，根据阀打开后的排气装置所涉及的压力来判定排气装置或排气装置所涉及的排气配管的异常有无。

技术研发人员：村泽哲,朝仓凉次,角屋诚浩
受保护的技术使用者：株式会社日立高新技术
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16