半导体装置及制造方法与流程

本发明涉及半导体装置及制造方法。

背景技术：

1、以往，已知设置有接触沟槽的半导体装置(例如，参照专利文献1)。

2、专利文献1：国际公开第2018/052099号

技术实现思路

1、技术方案

2、在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备具

3、接触区、第一插塞部以及第二插塞部可以包含相同元素的受主。

4、第二插塞部的下端可以配置于比发射区的下端更靠下表面侧的位置。

5、第二插塞部的下端可以配置于比接触区的下端更靠上表面侧的位置。

6、第一插塞部的下端可以配置于与接触区的下端相同的深度位置，或者配

7、第二插塞部的下端的深度位置可以配置于比第一插塞部的下端的深度位

8、第二插塞部的下端的深度位置可以配置于比第一插塞部的下端的深度位

9、第二插塞部的受主浓度的峰值可以比第一插塞部的受主浓度的峰值小。

10、半导体装置可以具备沟槽部，该沟槽部被设置为在与长度方向垂直的排

11、第一插塞部可以具有与第一沟槽接触部的侧面接触的第一部分。第二插

12、第一插塞部和第二插塞部可以包含硼。半导体基板可以包含硅。在第一

13、在本发明的第二方式中，提供一种半导体装置。上述半导体装置可以具

14、在上述任一半导体装置中，沟槽接触部可以具备从上表面设置到接触区

15、在上述任一半导体装置中，沟槽接触部可以具备从上表面设置到接触区

16、在本发明的第三方式中，提供一种半导体装置的制造方法。制造方法可

17、应予说明，上述
技术实现要素：
并未列举本发明的全部必要特征。另外，这些

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

12.一种半导体装置，其特征在于，具备：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

15.一种制造方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供一种半导体装置(100)，其具备：第一导电型的发射区(12)，其与栅极沟槽部(40)接触；第二导电型的接触区(15)，其在栅极沟槽部的长度方向上与发射区交替地配置；第一沟槽接触部(54-1)，其设置到接触区的内部；第二沟槽接触部(54-2)，其设置到发射区的内部；第二导电型的第一插塞部(201)，其被设置为与第一沟槽接触部的下端接触，且浓度比基区的浓度高；以及第二导电型的第二插塞部(202)，其被设置为与第二沟槽接触部的下端接触，并设置到比第一插塞部更靠下表面侧的位置，且浓度比基区的浓度高。

技术研发人员：野口晴司,浜崎竜太郎,尾崎大辅,樱井洋辅,山田拓弥
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14