紫外线发光元件的制作方法

文档序号:35624698发布日期:2023-10-05 21:14阅读:33来源:国知局
紫外线发光元件的制作方法

本发明涉及一种紫外线发光元件。


背景技术:

1、作为以往的紫外线发光元件,例如已知有为了缩窄电流提高电流密度而将氮化物半导体层的局部设为台面构造的发光元件(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2014-096460号公报


技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、期望紫外线发光元件进一步长寿命化、即期望即使连续通电也能够抑制驱动电压的上升且能够抑制输出劣化。然而,在上述紫外线发光元件中,存在长寿命化不充分的情况。

3、本发明的目的在于,提供长寿命的紫外线发光元件。

4、用于解决问题的方案

5、本发明的一技术方案中的紫外线发光元件具备:基板;氮化物半导体层叠体,其配置在基板上;以及第1电极和第2电极,氮化物半导体层叠体具有:第1导电型的第1半导体层;发光台面构造部,其配置在第1导电型的第1半导体层上;以及保护台面构造部,其配置在第1导电型的第1半导体层上,且在空间上与发光台面构造部分离,发光台面构造部具有:第1导电型的第2半导体层;第1量子阱层,其配置在第1导电型的第2半导体层上;以及第2导电型的第1半导体层,其配置在第1量子阱层上,保护台面构造部具有:第1导电型的第3半导体层;第2量子阱层,其配置在第1导电型的第3半导体层上;以及第2导电型的第2半导体层,其配置在第2量子阱层上,第1电极配置在第1导电型的第1半导体层上,第2电极配置在发光台面构造部的第2导电型的第1半导体层上。

6、发明的效果

7、根据本发明,能够实现长寿命的紫外线发光元件。



技术特征:

1.一种紫外线发光元件,其中,

2.根据权利要求1所述的紫外线发光元件,其中,

3.根据权利要求1或2所述的紫外线发光元件,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线发光元件,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的紫外线发光元件,其中,

6.根据权利要求5所述的紫外线发光元件,其中,

7.根据权利要求5或6所述的紫外线发光元件,其中,


技术总结
本发明提供长寿命的紫外线发光元件。紫外线发光元件具备基板、氮化物半导体层叠体、第1电极和第2电极,氮化物半导体层叠体具有:第1导电型的第1半导体层;发光台面构造部,其配置在第1导电型的第1半导体层上;以及保护台面构造部,其配置在第1导电型的第1半导体层上,且在空间上与发光台面构造部分离。发光台面构造部具有:第1导电型的第2半导体层;第1量子阱层,其配置在第1导电型的第2半导体层上;以及第2导电型的第1半导体层,其配置在第1量子阱层上,保护台面构造部具有:第1导电型的第3半导体层;第2量子阱层,其配置在第1导电型的第3半导体层上;以及第2导电型的第2半导体层,其配置在第2量子阱层上。第1电极配置在第1导电型的第1半导体层上,第2电极配置在发光台面构造部的第2导电型的第1半导体层上。

技术研发人员:山田智也
受保护的技术使用者:旭化成株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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