本发明大体上涉及晶片清洁,且更特定来说,涉及一种用于静电清洁硅晶片的设备及方法。
背景技术:
1、硅晶片通常通过化学溶剂或振动技术(例如超声波或兆声波清洁)来清洁。化学溶剂使用起来可能危险且损坏晶片,而振动技术通常需要大型昂贵工具。另外,两种方法通常导致低吞吐量。因而,提供一种系统及方法来弥补上文所识别的方法的缺点将为有利的。
技术实现思路
1、根据本公开的一或多个说明性实施例,公开一种衬底清洁系统。在一个说明性实施例中,所述衬底清洁系统包含腔室。在另一说明性实施例中,所述衬底清洁系统包含定位于所述腔室内且经配置以固定衬底用于清洁的衬底台。在另一说明性实施例中,所述衬底清洁系统包含机器人,其中所述机器人经配置以在存储容器与所述腔室内的所述衬底台之间转移所述衬底。在另一说明性实施例中,所述衬底清洁系统包含清洁头,其中所述清洁头包含装载于滚轮组合件上的抛弃式电极带。在另一说明性实施例中,所述抛弃式电极带包含正电极及负电极,其中所述抛弃式电极经配置以通过从所述衬底静电移除粒子来静电清洁所述衬底。在另一说明性实施例中,所述滚轮组合件经配置以在所述衬底清洁之后推进所述抛弃式电极带。
2、根据本公开的一或多个说明性实施例,公开一种设备。在一个说明性实施例中,所述衬底清洁设备包含滚轮组合件。在另一说明性实施例中,所述衬底清洁设备包含装载于所述滚轮组合件上的抛弃式电极带。在另一说明性实施例中,所述抛弃式电极带包含正电极及负电极。在另一说明性实施例中,所述抛弃式电极带经配置以通过从衬底静电移除粒子来静电清洁所述衬底。在另一说明性实施例中,所述滚轮组合件经配置以在所述衬底清洁之后推进所述抛弃式电极带。
3、根据本公开的一或多个说明性实施例,公开一种清洁衬底的方法。在一个说明性实施例中,所述方法可包含(但不限于)将衬底从衬底存储容器转移到真空室内的衬底台。在另一说明性实施例中,所述方法可包含(但不限于)用所述衬底台将所述衬底致动到清洁头下方的位置。在另一说明性实施例中,所述方法可包含(但不限于)用清洁升降组合件将所述衬底致动到所述衬底上方的选定清洁距离。在另一说明性实施例中,所述方法可包含(但不限于)启动抛弃式电极带以通过从所述衬底移除粒子来静电清洁所述衬底的表面,其中所述抛弃式电极带是通过在正电极与负电极之间施加偏压电压来启动。在另一说明性实施例中,所述方法可包含(但不限于)推进滚轮以暴露所述抛弃式电极带的未使用部分。
4、应理解,以上一般描述及以下详细描述两者仅具示范性及阐释性且未必限制所要求的发明。并入本说明书中且构成本说明书的部分的附图说明本发明的实施例且与一般描述一起用于阐释本发明的原理。
1.一种衬底清洁系统,其包括:
2.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其进一步包括:
3.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述静电清洁所述衬底是经由介电泳执行,其中所述粒子在由所述抛弃式电极带形成的电场梯度的方向上移动远离所述衬底。
4.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中安置于所述衬底上的粒子脱离所述衬底且由所述抛弃式电极带收集。
5.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述存储容器包括前开式晶圆传送盒(foup)。
6.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述衬底台经配置以将所述衬底致动到所述清洁头下方的位置。
7.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其进一步包括清洁头升降致动器及接近度传感器。
8.根据权利要求7所述的衬底清洁系统,其中所述清洁头升降致动器经配置以将所述清洁头降低到所述衬底上方的选定清洁距离,其中所述接近度传感器经配置以识别何时达到所述清洁头与所述衬底的顶面之间的所述选定清洁距离。
9.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其进一步包括控制器,其中所述控制器包含一或多个处理器及存储器,其中一或多个程序指令保存于所述存储器中,其中所述一或多个程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:
10.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述一或多个程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:
11.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述一或多个程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:
12.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述一或多个程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:
13.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述一或多个程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:
14.根据权利要求1所述的衬底清洁系统,其中所述衬底包括半导体晶片。
15.一种设备,其包括:
16.根据权利要求15所述的设备,其中所述滚轮组合件包括一或多个滚轮,其中所述一或多个滚轮经配置以固定所述抛弃式电极带。
17.根据权利要求16所述的设备,其中所述一或多个滚轮能旋转以推进所述抛弃式电极带。
18.一种清洁衬底的方法,其包括:
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述启动所述抛弃式电极带以静电清洁所述衬底的所述表面包括:
20.根据权利要求18所述的方法,其进一步包括: