电介质、电容器、电路、电路基板和设备的制作方法

本公开涉及电介质、电容器、电路、电路基板和设备。

背景技术：

1、以往，对含有氟和氧的钽化合物的介电特性进行了研究。

2、例如，非专利文献1记载了多晶(多晶体)的tao2f薄膜在1mhz下的相对介电常数为60。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、非专利文献1:材料化学杂志c(journal of materials chemistry c)(英),2020年第14期，第4680-4684页(2020,issue 14,p.4680-4684)

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在非专利文献1中，关于含有氟和氧的钽化合物的介电特性，仅记载了多晶的tao2f薄膜的相对介电常数。本公开提供一种包括与多晶不同的状态的含有氟和氧的钽化合物并从高相对介电常数的观点来看有利的电介质。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的电介质包括含有氟和氧的非晶形(无定形)的钽化合物。

5、发明效果

6、根据本公开，能够提供一种包括与多晶不同的状态的含有氟和氧的钽化合物并从高相对介电常数的观点来看有利的电介质。

1.一种电介质，包括含有氟和氧的非晶形的钽化合物。

2.如权利要求1所述的电介质，

3.如权利要求2所述的电介质，

4.如权利要求2或3所述的电介质，

5.如权利要求2至4中任一项所述的电介质，

6.如权利要求1至5中任一项所述的电介质，

7.如权利要求6所述的电介质，

8.如权利要求1至7中任一项所述的电介质，

9.一种电容器，具有：

10.如权利要求9所述的电容器，

11.如权利要求10所述的电容器，

12.如权利要求10所述的电容器，

13.一种电路，具有权利要求9至12中任一项所述的电容器。

14.一种电路基板，具有权利要求9至12中任一项所述的电容器。

15.一种设备，具有权利要求9至12中任一项所述的电容器。