背面研磨用粘着片及半导体晶圆的制造方法、基材片与流程

本发明涉及背面研磨用粘着片及使用了该粘着片的半导体晶圆的制造方法、以及基材片。

背景技术：

1、对半导体晶圆进行加工时，会粘贴粘着片以保护其免受破损。例如，对半导体晶圆进行加工时的背面研磨(backgrinding)步骤中，粘贴粘着片来保护半导体晶圆的图案面。就粘着片而言，考量对于突起电极(凸块)这样的具有凹凸的图案面的粘着性、图案面保护的可靠性的观点，要求对于图案面的凹凸的追随性(高低差追随性)。

2、为了使粘着片具有追随性，市场上一般会增加粘着剂的厚度、或在基材薄膜与粘着剂之间设置具有缓冲性的柔软树脂层，但图案面的凹凸较大时，追随性不足、胶残留的风险增高。

3、专利文献1中，使粘着片构成为在基材层的单面包含具有比半导体晶圆的外径更小径的开口部的粘着剂层，通过真空安装将粘着剂层粘贴于半导体晶圆的外周部，以使半导体晶圆的凸部配置在粘着剂层的开口部内，并将凸部埋入基材层，由此防止胶残留，同时防止保护功能降低。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2019-140387号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、本案发明人等针对专利文献1所公开的粘着片进行努力研究，结果发现基材层有时会无法充分追随凸部。

3、本发明是鉴于这样的情况而完成，旨在提供一种可提高基材层对于半导体晶圆的凸部的追随性的背面研磨用粘着片。

4、用于解决课题的技术手段

5、根据本发明，可提供以下的发明。

6、(1)一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；包含基材层、以及设置于前述基材层上的粘着剂层，前述粘着剂层具有直径比前述半导体晶圆的直径更小的开口部，并贴附于前述半导体晶圆的外周部，以使前述半导体晶圆的凸部配置在前述开口部内，在前述半导体晶圆贴附于前述粘着剂层的状态下，构成为前述凸部被前述基材层保护，前述基材层包含缓冲层以及阻挡层，前述基材层于25℃、rh0％依据jis k7126-2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m2·24h·atm)以下。

7、(2)如(1)记载的粘着片，其中，前述阻挡层设置在从前述缓冲层观察时与前述粘着剂层相反的一侧。

8、(3)如(1)或(2)记载的粘着片，其中，前述凸部通过埋入前述基材层中而受到保护。

9、(4)如(1)～(3)中任一项记载的粘着片，其中，前述半导体晶圆在减压下粘贴于前述粘着剂层。

10、(5)一种半导体晶圆的制造方法，使用了如(1)～(4)中任一项记载的粘着片；包含框架贴附步骤、晶圆贴附步骤、加温步骤、切断步骤、树脂固化步骤、以及研磨步骤，前述框架贴附步骤中，于环形框架贴附前述粘着片，前述晶圆贴附步骤中，于前述半导体晶圆的设有凸部的面上，将前述粘着片在减压下贴附于半导体晶圆的外周部，前述加温步骤中，对前述基材层加温，前述切断步骤中，沿着前述半导体晶圆的外周切断前述粘着片，前述树脂固化步骤中，是在前述晶圆贴附步骤之后使前述基材层抵接于固化性树脂，并在该状态下使前述固化性树脂固化，前述研磨步骤中，对前述半导体晶圆的背面进行研磨。

11、(6)一种基材片，包含缓冲层以及阻挡层，且于25℃、rh0％依据jis k 7126-2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m2·24h·atm)以下。

12、本案发明人进行努力研究，结果发现通过设置阻挡层，基材层的透氧度降低，由此可解决上述课题，而完成了本发明。

技术特征：

1.一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；

2.根据权利要求1所述的背面研磨用粘着片，其中，所述阻挡层设置在从所述缓冲层观察时与所述粘着剂层相反的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的背面研磨用粘着片，其中，所述凸部通过埋入所述基材层中而受到保护。

4.根据权利要求1或2所述的背面研磨用粘着片，其中，所述半导体晶圆在减压下粘贴于所述粘着剂层。

5.一种半导体晶圆的制造方法，使用了根据权利要求1或2所述的背面研磨用粘着片；

6.一种基材片，包含缓冲层以及阻挡层，且于25℃、rh0％依据jis k 7126-2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m2·24h·atm)以下。

技术总结
本发明提供一种可提高基材层对于半导体晶圆的凸部的追随性的背面研磨用粘着片。根据本发明，可提供一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；包含基材层、以及设置于前述基材层上的粘着剂层，前述粘着剂层具有直径比前述半导体晶圆的直径更小的开口部，并贴附于前述半导体晶圆的外周部，以使前述半导体晶圆的凸部配置在前述开口部内，在前述半导体晶圆贴附于前述粘着剂层的状态下，构成为前述凸部被前述基材层保护，前述基材层包含缓冲层与阻挡层，前述基材层于25℃、RH0％依据JIS K 7126‑2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m<supgt;2</supgt;·24h·atm)以下。

技术研发人员：本池进悟,饭冢一树,中村将,莲见水贵
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15