包含铜颗粒的导电浆料及其生产电子元件的用途的制作方法

文档序号:37023332发布日期:2024-02-09 13:18阅读:212335来源:国知局
包含铜颗粒的导电浆料及其生产电子元件的用途的制作方法

本发明涉及电子元件领域,特别涉及沉积在基板上的电极和用这种电极制造的元件,如介质滤波器。


背景技术:

1、为了更全面地描述本发明所属领域的现状,在本说明书中引用了一些专利和公开。这些专利和公开中的每一个的全部内容均通过引用并入本文。

2、通信系统中使用各种频率的无线电波。根据应用分配特定的频率范围。

3、带式滤波器选择为其设计的频率范围,并拒绝非选择的频率。一些类型的滤波器是已知的,包括金属腔滤波器和介质滤波器。介质滤波器具有允许缩小尺寸和减轻重量、可靠性高和制造成本相对低的优点。

4、存在用各种材料制造介质滤波器从而具有制造灵活性并可能降低成本的需求。


技术实现思路

1、在第一方面,本发明提供一种导电浆料,其中该导电浆料包含:(i)d50为0.8μm至2.6μm的cu粉,(ii)玻璃料,和(iii)有机载体。

2、在第二方面,本发明提供一种制造电子元件的方法,包括步骤:(a)制备陶瓷基板;(b)将导电浆料施加到陶瓷基板上,其中该导电浆料包含(i)d50为0.8μm至2.6μm的cu粉、(ii)玻璃料和(iii)有机载体;以及(c)烧制陶瓷基板和施加的导电浆料。



技术特征:

1.一种导电浆料,其中所述导电浆料包含:(i)d50为0.8μm至2.6μm的cu粉,(ii)玻璃料,和(iii)有机载体。

2.根据权利要求1所述的浆料,其中所述铜粉中小于50%的颗粒的尺寸小于1μm。

3.根据权利要求1或2所述的浆料,其中所述铜粉中大于32%的颗粒的尺寸小于2μm。

4.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述铜粉的d90为1.2μm至4.5μm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述铜粉的d95为1.5μm至5.5μm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述铜粉的平均颗粒尺寸为0.8μm至2.8μm。

7.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述铜粉具有使用水作为悬浮介质通过激光衍射所测量的0.8μm至2.6μm的d50,并且小于50%的颗粒的尺寸小于1μm。

8.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述铜粉具有球形颗粒。

9.根据权利要求8所述的浆料,其中所述颗粒的长径比为1至1.2,优选为1至1.1。

10.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述铜粉的比表面积为0.1m2/g至8.0m2/g,更优选为0.3m2/g至4.0m2/g,特别优选为0.5m2/g至2.0m2/g。

11.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中基于所述导电浆料的重量,使用40至95重量百分比(wt%)、更优选52wt%至93wt%、特别优选65wt%至92wt%的所述铜粉。

12.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料由金属氧化物制成,所述金属氧化物选自氧化铋(bi2o3)、氧化硼(b2o3)、氧化锌(zno)、氧化铝(al2o3)、氧化硅(sio2)以及其两种或更多种的混合物。

13.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料是si-b-zn玻璃、bi-b-zn玻璃或其混合物。

14.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料是无铅的。

15.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料的软化点至少为约350℃、400℃、450℃、500℃或550℃;并且其中所述玻璃料的所述软化点不大于约900℃、875℃、850℃、750℃或700℃。

16.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料由包含sio2、b2o3、al2o3、bi2o3、cao和zno的混合物制成。

17.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料由包含5wt%至9wt%sio2、5wt%至12wt%b2o3、1wt%至3wt%al2o3、65wt%至75wt%bi2o3、0.1wt%至1wt%cao和8wt%至16wt%zno的混合物制成。

18.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料包含7.1wt%sio2、8.4wt%b2o3、2.1wt%al2o3、69.8wt%bi2o3、0.5wt%cao和12wt%zno。

19.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述玻璃料的颗粒直径(d50)为0.1μm至15μm,更优选为0.5μm至11μm,更特别优选为1.0μm至6.8μm,以及1.5μm至4.5μm。

20.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中基于所述导电浆料的总重量,所述导电浆料中使用的所述玻璃料为0.5wt%至2wt%,更优选为0.7wt%至1.8wt%,特别优选为0.8wt%至1.5wt%。

21.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述有机载体包含有机聚合物,所述有机聚合物选自乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、木松香、酚醛树脂、低级(c1-6)醇的聚甲基丙烯酸酯及其混合物。

22.根据权利要求22所述的浆料,其中基于所述有机载体的重量,优选使用0.1wt%至50wt%、0.5wt%至42wt%、1wt%至35wt%、2wt%至27wt%、并且特别优选3wt%至15wt%的所述有机聚合物。

23.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述有机载体包含溶剂,所述溶剂选自texanol(2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯)、酯醇、松油醇、煤油、邻苯二甲酸二丁酯、二乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚乙酸酯、二乙二醇二丁醚、己二醇、二元酯以及其两种或更多种的混合物。

24.根据权利要求24所述的浆料,其中基于所述有机载体的重量,使用75wt%至95wt%、更优选80wt%至93wt%、更特别优选85wt%至93wt%的所述溶剂。

25.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中所述有机载体包含乙基纤维素和texanol的混合物。

26.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中基于所述有机载体的重量,所述有机载体包含3wt%至15wt%的乙基纤维素和85wt%至93wt%的texanol。

27.根据前述权利要求中任一项所述的浆料,其中基于所述导电浆料的重量,使用5wt%至30wt%、更优选6wt%至15wt%、特别优选7wt%至10wt%的所述有机载体。

28.一种制造电子元件的方法,包括步骤:(a)制备陶瓷基板;(b)将根据权利要求1至30中任一项所述的导电浆料施加到所述陶瓷基板上;以及(c)烧制具有施加的所述导电浆料的所述陶瓷基板。

29.根据权利要求29所述的方法,其中所述陶瓷基板的介电常数εγ为9至50,更优选为15至45,特别优选为20至40。

30.根据权利要求29或30所述的方法,其中所述陶瓷基板选自al2o3、bati4o9、ba2ti9o20、basno3、bamgo3、batao3、bazro3、ba(zrti)o3、ba(nita)o3、ba(zrznta)o3、ba(mg1/3ta2/3)o3、ba(mg1/3nb2/3)o3、ba(zn1/3ta2/3)o3、ba(zn1/3nb2/3)o3、ba(mn1/3ta2/3)o3、catio3、(casrba)zro3、mgtio3、(mg0.95ca0.05)tio3、srzro3、sr(zn1/3nb2/3)o3、sr(zn1/3ta2/3)o3、zrtio2、(zr0.8sn0.2)tio4以及其两种或更多种的混合物。

31.根据权利要求29至31中任一项所述的方法,其中所述陶瓷基板选自al2o3、mgtio3、(mg0.95ca0.05)tio3、ba(mg1/3ta2/3)o3、bati4o9、ba2ti9o20、ba(zn1/3ta2/3)o3和ba(zn1/3nb2/3)o3、(zr0.8sn0.2)tio4以及其两种或更多种的混合物。

32.根据权利要求29至32中任一项所述的方法,其中所述导电浆料通过丝网印刷、喷涂或浸渍施加。

33.根据权利要求29至33中任一项所述的方法,其中在烧制步骤前干燥所述导电浆料。

34.根据权利要求29至34中任一项所述的方法,其中在600℃至1100℃、650℃至1050℃、或800℃至1000℃下进行烧制步骤。

35.根据权利要求29至35中任一项所述的方法,其中在缺氧气氛下,例如在氮气、氩气或真空下进行烧制步骤。

36.根据权利要求29至36中任一项所述的方法,其中烧制进行3分钟至30分钟、5分钟至20分钟或7分钟至15分钟。

37.根据权利要求29至37中任一项所述的方法,其中所述电子元件是介质滤波器。


技术总结
本文提供了一种包含铜颗粒、玻璃料和有机载体的导电浆料。导电浆料用作电子元件如介质滤波器的前体。本文还提供了一种制造电子元件如介质滤波器的方法。

技术研发人员:橘祐介,松浦由美,佐藤由江
受保护的技术使用者:杜邦中国有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/8
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