本发明涉及去除钼的一氟化物至五氟化物的方法和半导体器件的制造方法。
背景技术：
1、在半导体器件、太阳能电池等的制造中，六氟化钼(mof6)被用作用于通过化学气相沉积法(cvd)沉积钼金属的原料等。
2、另外，mof6在半导体器件的制造过程中用作蚀刻材料(专利文献1)。
3、专利文献2的第[0003]段记载了：在mof6的制造时，存在以杂质的形式混入有未反应的单质金属(mo)和一氟化物至五氟化物的中间体(mof、mof2、mof3、mof4、mof5)的问题，这些杂质不仅导致mof6的纯度降低，还会沉积至反应装置内部而引起反应体系的堵塞、反应装置的养护的问题。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特表2019-502253号公报
7、专利文献2：国际公开第2019/189715号
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、期望一种从沉积或覆盖有以杂质的形式混入mof6中的mofx(x表示大于0且小于6的数，以下的x也相同)、或mofx和moofx的部件去除该沉积物或覆盖物的方法。
3、另外，在半导体器件的制造过程中，作为mo的成膜材料或蚀刻材料使用mof6时，期望一种半导体器件的稳定的制造方法，其包括从沉积或覆盖有以杂质的形式混入mof6中的mofx、或mofx和moofx的半导体器件制造装置(例如，腔室、配管等)去除该沉积物或覆盖物的工序，并能够避免所述制造装置的堵塞、污染。
4、本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种从沉积或覆盖有以杂质的形式混入mof6中的mofx、或mofx和moofx的部件去除该沉积物或覆盖物的方法，以及一种半导体器件的制造方法，其包括从沉积或覆盖有mofx、或mofx和moofx的半导体器件制造装置(例如，腔室、配管等)去除该沉积物或覆盖物的工序，并能够避免所述制造装置的堵塞、污染。
5、用于解决问题的方案
6、本发明人等鉴于所述问题，经过深入研究，结果发现通过使含卤素气体与沉积或覆盖有mofx、或mofx和moofx的部件接触，能够从所述部件去除该沉积物或覆盖物。
7、即本发明人等发现通过以下构成能够解决上述课题。
8、[1]
9、一种mofx、或mofx和moofx的去除方法，其使含卤素气体与沉积或覆盖有mofx、或mofx和moofx的部件接触，从所述部件去除mofx、或mofx和moofx，其中，x表示大于0且小于6的数。
10、[2]
11、根据[1]所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体为包含氟原子与除该氟原子以外的原子的键的化合物的气体，该氟原子与除该氟原子以外的原子的键能为2.5ev以下。
12、[3]
13、根据[2]所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述键能为1.7ev以上且2.5ev以下。
14、[4]
15、根据[1]所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体为含氟气体。
16、[5]
17、根据[1]所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体为氟气。
18、[6]
19、根据[1]～[5]中任一项所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体所接触的所述部件的温度为0～400℃。
20、[7]
21、一种半导体器件的制造方法，其具有：
22、工序(1)使包含mof6的气体在具备腔室和与所述腔室连接的配管的半导体处理装置中流通，而使mof6与半导体基板接触；以及
23、工序(2)使含卤素气体与沉积或覆盖有mofx、或mofx和moofx的所述腔室和所述配管中的至少一者接触，其中，x表示大于0且小于6的数。
24、[8]
25、根据[7]所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体为包含氟原子与除该氟原子以外的原子的键的化合物的气体，该氟原子与除该氟原子以外的原子的键能为2.5ev以下。
26、[9]
27、根据[8]所述的半导体器件的制造方法，其中，所述键能为1.7ev以上且2.5ev以下。
28、[10]
29、根据[7]所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体为含氟气体。
30、[11]
31、根据[7]所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体为氟气。
32、[12]
33、根据[7]～[11]中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体所接触的所述腔室和所述配管中的至少一者的温度为0～400℃。
34、发明的效果
35、根据本发明，能够提供一种从沉积或覆盖有以杂质的形式混入mof6中的mofx、或mofx和moofx的部件去除该沉积物或覆盖物的方法、以及一种半导体器件的稳定的制造方法，其包括从沉积或覆盖有mofx、或mofx和moofx的半导体器件制造装置(例如，腔室、配管等)去除该沉积物或覆盖物的工序，并能够避免所述制造装置的堵塞、污染。
1.一种mofx、或mofx和moofx的去除方法，其使含卤素气体与沉积或覆盖有mofx、或mofx和moofx的部件接触，从所述部件去除mofx、或mofx和moofx，其中，x表示大于0且小于6的数。
2.根据权利要求1所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体为包含氟原子与除该氟原子以外的原子的键的化合物的气体，该氟原子与除该氟原子以外的原子的键能为2.5ev以下。
3.根据权利要求2所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述键能为1.7ev以上且2.5ev以下。
4.根据权利要求1所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体为含氟气体。
5.根据权利要求1所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体为氟气。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的mofx、或mofx和moofx的去除方法，其中，所述含卤素气体所接触的所述部件的温度为0～400℃。
7.一种半导体器件的制造方法，其具有：
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体为包含氟原子与除该氟原子以外的原子的键的化合物的气体，该氟原子与除该氟原子以外的原子的键能为2.5ev以下。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述键能为1.7ev以上且2.5ev以下。
10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体为含氟气体。
11.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体为氟气。
12.根据权利要求7～11中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含卤素气体所接触的所述腔室和所述配管中的至少一者的温度为0～400℃。