导电性膏的制作方法

本发明涉及导电性膏，特别是，涉及层叠陶瓷电容器的内部电极形成用的导电性膏。

背景技术：

1、通常，层叠陶瓷电容器具备层叠体和多个外部电极，层叠体具有包含陶瓷的被层叠的多个电介质层和沿着电介质层间的多个界面分别配置的多个内部电极，多个外部电极设置在层叠体的外表面，并与内部电极电连接。内部电极具备在层叠体的层叠方向上交替地配置的多个第1内部电极和多个第2内部电极，外部电极具备与第1内部电极电连接的第1外部电极和与所述第2内部电极电连接的第2外部电极。

2、为了谋求这种构造的层叠陶瓷电容器的小型且大电容化，要求将电介质层以及内部电极薄层化，并且提高内部电极的覆盖率(电极连续性)。一般来说，在制造层叠陶瓷电容器时的烧成工序中，与构成电介质层的陶瓷烧结的温度相比，应成为内部电极的导电性膏膜包含的导电性金属粒子烧结的温度更低，因此内部电极包含的金属粒子先烧结。这成为使内部电极的覆盖率下降的原因。特别是，对于例如被薄层化而使得厚度为1μm以下的内部电极而言，覆盖率容易下降，由于这样的覆盖率的下降，存在如下的问题，即，容易阻碍大电容化。

3、因此，为了以高的覆盖率形成薄层化的内部电极，需要在制造层叠陶瓷电容器时的烧成工序中进一步提高应成为内部电极的导电性膏膜包含的导电性金属粒子烧结的温度。由此，能够使应成为内部电极的导电性膏膜包含的金属粒子烧结的温度接近构成电介质层的陶瓷开始烧结的温度，能够在内部电极与电介质层之间使烧结时的收缩定时接近。其结果是，内部电极的覆盖率变高，能够实现大电容化。

4、已知，为了通过上述的方法来提高内部电极的覆盖率，并实现大电容化，例如像在专利文献1(日本特开2016-31807号公报)的第0004段等记载的那样，在内部电极形成用的导电性膏中添加组成与构成电介质层的陶瓷的组成类似的陶瓷材料，即，共通材料。通过添加共通材料，从而能够使应成为内部电极的导电性膏膜包含的金属粒子的烧结定时向更高温侧移动，能够使导电性膏膜包含的金属粒子烧结的温度接近于构成电介质层的陶瓷烧结的温度。

5、在先技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2016-31807号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、然而，不可否认，即便在内部电极形成用的导电性膏中添加共通材料，导电性膏包含的金属粒子烧结的温度仍然比构成电介质层的陶瓷烧结的温度低，希望进一步改善。特别是，关于例如被薄层化而使得厚度为1μm以下的内部电极，强烈要求针对阻碍大电容化的、覆盖率的下降的问题的有效的解决方案。

3、因此，本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于，提供一种即使内部电极被薄层化也能够将覆盖率维持得比较高的、内部电极形成用的导电性膏。

4、用于解决问题的技术方案

5、本发明是包含导电性金属粉末、陶瓷粉末、有机溶剂以及有机粘合剂的、层叠陶瓷电容器的内部电极形成用的导电性膏，为了解决上述的技术问题，其特征在于，陶瓷粉末的至少一部分是包含特定离子半径的abo3型的氧化物的粉末，在该特定离子半径的abo3型的氧化物中，abo3中的a位的元素的6配位下的离子半径相对于导电性金属粉末包含的金属元素的6配位下的离子半径的比率成为0.97以上且1.04以下。

6、发明效果

7、如果通过本发明涉及的导电性膏来形成层叠陶瓷电容器的内部电极，则能够提高内部电极的覆盖率。因此，即使内部电极被薄层化，也可将内部电极的覆盖率维持得高，能够使得不阻碍层叠陶瓷电容器的大电容化。

技术特征：

1.一种导电性膏，是包含导电性金属粉末、陶瓷粉末、有机溶剂以及有机粘合剂的、层叠陶瓷电容器的内部电极形成用的导电性膏，其中，

2.根据权利要求1所述的导电性膏，其中，

3.根据权利要求1或2所述的导电性膏，其中，

4.根据权利要求3所述的导电性膏，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的导电性膏，其中，

技术总结
本发明提供一种即使层叠陶瓷电容器的内部电极被薄层化也能够将覆盖率维持得比较高的、内部电极用的导电性膏。一种导电性膏，用于形成经过烧成工序制造的层叠陶瓷电容器(1)的内部电极(4、5)，包含导电性金属粉末、陶瓷粉末、有机溶剂以及有机粘合剂，陶瓷粉末的至少一部分是包含特定离子半径的ABO<subgt;3</subgt;型的氧化物的粉末，在该特定离子半径的ABO<subgt;3</subgt;型的氧化物中，ABO<subgt;3</subgt;中的A位的元素的6配位下的离子半径相对于导电性金属粉末包含的金属元素的6配位下的离子半径的比率成为0.97以上且1.04以下。优选地，在导电性金属粉末包含镍时，特定离子半径的ABO<subgt;3</subgt;型的氧化物是从NiTiO<subgt;3</subgt;、MgTiO<subgt;3</subgt;以及MnTiO<subgt;3</subgt;中选择的至少一种。

技术研发人员：大原隆志,大西英靖
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25