基板处理方法和基板处理装置与流程

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术：

1、在半导体晶圆(下面，也称为晶圆。)等基板的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，已知有将添加了添加剂的超临界状态的处理流体长时间地封入在处理容器内的基板处理(参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特表2008-532268号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够将超临界状态的处理流体跨越长时间地稳定地封入在处理容器内的技术。

3、用于解决问题的方案

4、基于本公开的一个方式的基板处理方法是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法。所述基板处理装置具备处理容器、主供给线路、排出线路以及旁通线路。处理容器具有能够收容所述基板的处理空间。主供给线路用于向所述处理空间供给所述处理流体。排出线路具有第一开闭阀，该排出线路用于从所述处理空间排出所述处理流体。旁通线路从所述主供给线路的分支点处分支出来，在所述排出线路中的比所述第一开闭阀靠下游侧的合流点处合流。另外，基于本公开的一个方式的基板处理方法包括升压工序和保持工序。在升压工序中，在所述基板收容于所述处理空间的状态下，从所述主供给线路向所述处理空间供给所述处理流体，由此将所述处理空间的压力升压至给定的处理压力。在保持工序中，在所述升压工序之后，在将所述第一开闭阀关闭的状态下使所述处理流体向所述旁通线路流通，并且将所述处理空间的压力保持在所述处理压力。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够将超临界状态的处理流体长时间且稳定地封入在处理容器内。

技术特征：

1.一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其中，

7.一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的基板处理方法，其中，

10.一种基板处理装置，具备：

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，

12.根据权利要求10或者11所述的基板处理装置，其中，

技术总结
一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置具备：处理容器(31)，其具有能够收容基板的处理空间；主供给线路(50)，其用于向处理空间供给处理流体；排出线路(52)，其具有第一开闭阀，该排出线路(52)用于从处理空间排出处理流体；以及旁通线路(53)，其从主供给线路(50)的分支点处分支出来，在排出线路(52)中的比第一开闭阀靠下游侧的合流点处合流，基板处理方法包括升压工序和保持工序。在升压工序中，在基板收容于处理空间的状态下，从主供给线路(50)向处理空间供给处理流体，由此将处理空间的压力升压至给定的处理压力(P1)。在保持工序中，在升压工序之后，在将第一开闭阀关闭的状态下使处理流体向旁通线路(53)流通，并且将处理空间的压力保持在处理压力(P1)。

技术研发人员：五师源太郎
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17