包含集成区段的设备及其制造方法与流程

本技术涉及例如包含存储器及处理器的半导体装置的设备，且数个实施例涉及包含连接垫的半导体装置。

背景技术：

1、半导体制作的当前趋势是制造具有用于计算机、移动电话、传呼机、个人数字助理及许多其它产品的较高密度的组件的较小且较快速的装置。然而，电路大小的减小可能导致结构完整性的变化或弱化。例如，归因于应力、温度波动及/或经制作半导体装置中的结构的对应材料的热膨胀系数(cte)的失配，装置中的结构可能分层及/或破裂。

技术实现思路

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

4.根据权利要求3所述的设备，其中：

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述介接区段的一或多个外围部分侧向延伸超过所述连接垫的一或多个对应侧向边缘。

6.根据权利要求5所述的设备，其中：

7.根据权利要求3所述的设备，其中所述连接垫是与所述半导体装置上的有源电路电隔离且经配置以从所述半导体装置移除热能的热垫。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述热垫包含延伸于外围边缘之间且直接附接到所述介接区段而未搭接所述钝化层的底表面。

9.根据权利要求3所述的设备，其中所述连接垫是电耦合到所述半导体装置上的一或多个电路的电垫。

10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括：

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述电垫与所述半导体衬底之间的所述tsv的一部分由所述介接区段包围。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述介接区段及所述钝化层具有匹配的厚度。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述介接区段具有延伸于所述介接区段的外围边缘之间的暴露表面。

14.一种半导体装置，其包括：

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述热垫直接附接到所述介接区段而未接触所述钝化层。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中：

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中所述介接区段的外围部分侧向延伸超过所述热垫的外围边缘。

18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中：

19.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：

技术总结
本文中公开包含图案化于外保护层内的一或多个介接区段的半导体装置，以及相关联系统及方法。所述一或多个介接区段可为连接垫提供附接界面/表面。所述一或多个介接区段或其一部分可保持未被覆盖或暴露且为所述对应半导体装置提供翘曲控制。

技术研发人员：周卫,黄建文
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27