静电卡盘装置的制作方法

本发明涉及一种静电卡盘装置。本申请基于2021年11月25日在日本申请的特愿2021-190892号主张优先权，在此援用其内容。

背景技术：

1、在半导体制造工序中，使用在真空环境下保持半导体晶片的静电卡盘装置。静电卡盘装置在载置面载置半导体晶片等板状试样，在板状试样与内部电极之间产生静电力，从而吸附固定板状试样。并且，在静电卡盘装置中，有时为了冷却搭载的晶片而设置对载置面供给气体的贯穿孔(例如，专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利第6634315号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、另一方面，气体供给用贯穿孔有可能成为导致晶片损伤的异常放电的起点。作为异常放电对策，考虑在贯穿孔中插入多孔体，但存在因晶片加工时产生的微粒等而在多孔体中产生堵塞且维护性差等问题。

3、本发明的目的在于提供一种维护性优异的静电卡盘装置。

4、用于解决技术课题的手段

5、本发明的第一方式提供以下静电卡盘装置。

6、本发明的第一方式的静电卡盘装置具备：静电卡盘板，具有设置有搭载试样的载置面的电介质基板及位于所述电介质基板的内部的吸附电极；以及基台，从所述载置面的相反的一侧支承所述静电卡盘板，在所述静电卡盘板中，设置有对所述载置面供给气体的第1贯穿孔，在所述第1贯穿孔中，插入有使所述气体通过的多孔体，在所述第1贯穿孔的内周面与所述多孔体的外周面之间，设置有将所述内周面和所述外周面相互粘接的第1粘接层，所述第1粘接层的厚度尺寸至少在从所述载置面起到0.1mm为止的区域中为0mm以上且0.15mm以下。

7、另外，所述试样是指能够搭载在静电卡盘装置的载置面并进行静电卡盘的试样。所述试样可以是晶片、板状试样或板状板。

8、本发明的第一方式优选具有以下叙述的特征。这些特征还优选组合2个以上。

9、在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述静电卡盘板与所述基台之间设置有将所述静电卡盘板和所述基台相互粘接的第2粘接层，所述第1粘接层和所述第2粘接层彼此分开。

10、在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，所述绝缘子与所述静电卡盘板接触。

11、在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述静电卡盘板与所述基台之间，设置有将所述静电卡盘板和所述基台相互粘接的第2粘接层，所述第2粘接层具有：接触部，与所述第1粘接层接触；及剥离抑制部，包围所述接触部，所述剥离抑制部的厚度尺寸大于所述接触部的厚度尺寸。

12、在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，在所述第2贯穿孔的所述静电卡盘板侧的开口部，设置有增大直径的大径部，所述剥离抑制部的一部分配置在所述大径部与所述绝缘子的外周面之间。

13、在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述载置面的俯视下，所述第1粘接层隐藏在所述多孔体中。

14、在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述第1贯穿孔中，设置有随着在深度方向上远离所述载置面而缩小直径的锥面，在所述多孔体的外周面，设置有与所述锥面对置的圆锥面。

15、在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，在所述绝缘子的所述静电卡盘板侧的端面设置有凹槽，所述第1粘接层的一部分延伸至所述凹槽的内部。

16、发明效果

17、根据本发明的1个方式，提供有维护性优异的静电卡盘装置。

技术特征：

1.一种静电卡盘装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，

3.根据权利要求2所述的静电卡盘装置，其中，

4.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，

5.根据权利要求4所述的静电卡盘装置，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘装置，其中，

7.根据权利要求6所述的静电卡盘装置，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电卡盘装置，其中，

技术总结
一种静电卡盘装置，其具备：静电卡盘板，具有设置有搭载试样的载置面的电介质基板及位于所述电介质基板的内部的吸附电极；以及基台，从所述载置面的相反的一侧支承所述静电卡盘板，在所述静电卡盘板中，设置有对所述载置面供给气体的第1贯穿孔，在所述第1贯穿孔中，插入有使所述气体通过的多孔体，在所述第1贯穿孔的内周面与所述多孔体的外周面之间，设置有将所述内周面和所述外周面相互粘接的第1粘接层，所述第1粘接层的厚度尺寸至少在从所述载置面起到0.1mm为止的区域中为0mm以上且0.15mm以下。

技术研发人员：前田佳祐,森下德人,板垣哲朗,吉冈良树
受保护的技术使用者：住友大阪水泥股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/24