瞬态电压吸收元件的制作方法

文档序号:38026605发布日期:2024-05-17 13:02阅读:7来源:国知局
瞬态电压吸收元件的制作方法

本发明涉及吸收由esd(静电放电)等引起的瞬态的异常电压、雷电浪涌、开关浪涌等浪涌的瞬态电压吸收元件。


背景技术:

1、在专利文献1中公开了一种中继器浪涌防御电路,该中继器浪涌防御电路防御中继器的放大部免受由电缆故障等引起的高电压浪涌或高电流浪涌的破坏,并且减轻群延迟失真的发生。

2、图12是专利文献1所示的中继器浪涌防御电路的电路图。该中继器浪涌防御电路具备输入输出端子(9、10)、(11、12)、浪涌吸收元件17、18、直流截止用电容器19、t型四端子电路20、21。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开昭47-27614号公报


技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在图12所示的中继器浪涌防御电路中,t型四端子电路20、21内的电阻元件是为了使其在包括dc的低频带中发挥作用而设置的,因此,导致传输线路的插入损耗在整个频带中变大。另外,t型四端子电路20、21内的电容器通过向电路基板的安装而被组入,因此,在连接该电容器的布线、电容器产生电阻分量r。该电阻分量r与传输线路串联连接,因此,即便在使用频带中,插入损耗也大。另外,由于整体的部件个数多,因而不得不增大安装面积。

3、于是,本发明的目的在于,提供一种尽管相对于传输线路串联地具备电阻分量但是降低了作为使用频带的高频带中的插入损耗的瞬态电压吸收元件。

4、用于解决问题的手段

5、作为本公开的一例的瞬态电压吸收元件,其特征在于,其是与信号线串联连接且分流连接在信号线与基准电位之间的瞬态电压吸收元件,具备:

6、基材;

7、第一输入输出端子,其形成于所述基材并且与所述信号线连接;

8、第二输入输出端子,其形成于所述基材并且与所述信号线连接;

9、基准电位连接端子,其形成于所述基材并且与所述基准电位连接;

10、内部信号线,其形成于所述基材的内部,电连接在所述第一输入输出端子与所述第二输入输出端子之间;以及

11、浪涌吸收元件,其连接在所述内部信号线与所述基准电位连接端子之间,

12、在所述第一输入输出端子与所述第二输入输出端子之间产生的寄生电容分量的在所述内部信号线传播的信号的频带中的阻抗的大小比所述内部信号线的电阻分量小。

13、发明效果

14、根据本发明,能够得到尽管相对于传输线路串联地具备电阻分量但是作为使用频带的高频带中的插入损耗较低的瞬态电压吸收元件。



技术特征:

1.一种瞬态电压吸收元件,其特征在于,其与信号线串联连接并且分流连接在信号线与基准电位之间,具备:

2.根据权利要求1所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

5.根据权利要求2所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

7.根据权利要求2所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

8.根据权利要求2所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,

10.根据权利要求8所述的瞬态电压吸收元件,其特征在于,


技术总结
与信号线串联连接且分流连接在信号线与基准电位之间的瞬态电压吸收元件(101A)具备基材、形成于基材且与信号线(SL)连接的第一输入输出端子(T1)、形成于基材且与信号线(SL)连接的第二输入输出端子(T2)、形成于基材且与基准电位连接的基准电位连接端子(T3)、形成于基材的内部且电连接在第一输入输出端子(T1)与第二输入输出端子(T2)之间的内部信号线(SLO)、以及连接在内部信号线(SLO)与基准电位连接端子(T3)之间的浪涌吸收元件。在第一输入输出端子(T1)与第二输入输出端子(T2)之间产生的寄生电容分量(Cp1、Cp2)的在内部信号线(SLO)传播的信号的频带中的阻抗的大小比内部信号线(SLO)的电阻分量(R1、R2)小。

技术研发人员:大原达也
受保护的技术使用者:株式会社村田制作所
技术研发日:
技术公布日:2024/5/16
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