本公开涉及电路封装,尤其涉及一种基于金属陶瓷管基的电路封装方法、一种集成电路芯片、一种电子产品和一种封装装置。
背景技术:
1、外形尺寸为3mm*3mm*1mm的超小外形金属陶瓷管基,在使用其进行电路封装时,存在因为金属陶瓷管基小而轻,导致金属陶瓷管基容易发生移动,不能保证粘片位置和角度的精准性。
技术实现思路
1、因此,本公开实施例提供一种基于金属陶瓷管基的电路封装方法和集成电路芯片,解决了超小外形金属陶瓷管基的封装可靠性差的问题。
2、一方面,本公开实施例提供了一种基于金属陶瓷管基的电路封装方法,所述金属陶瓷管基具有超小外形结构;所述电路封装方法包括:步骤s10,将所述金属陶瓷管基凝胶固定;步骤s20,在所述金属陶瓷管基上设置高耐热性导电胶,并粘接芯片,得到第一产物;步骤s30,对所述第一产物进行键合,得到第二产物;步骤s40,采用平行缝焊机对所述第二产物进行封盖,得到集成电路。
3、在一个具体实施方式中,所述步骤s30包括:采用弹性推片固定所述第一产物;然后再对所述第一产物进行键合。
4、在一个具体实施方式中,所述弹性推片朝向所述第一产物的一侧为倾斜面,对所述第一产物上边沿提供倾斜向下的压力,所述弹性推片高于所述第一产物。
5、在一个具体实施方式中,所述弹性推片朝向所述第一产物的一侧为倾斜角度为45°的斜面,对所述第一产物上边沿提供45°向下的压力;所述压力范围为0.7-1.5n。
6、在一个具体实施方式中,所述步骤s40包括:在模具的操作面设置凸台,将所述第二产物置于所述凸台上;对焊料和盖板进行点焊,得到预置盖板;将预置盖板焊接至所述第二产物的封装界面。
7、在一个具体实施方式中,所述将预置盖板焊接至所述第二产物的封装界面,包括:控制模具转动,焊接电极在压力下旋转、以将预置盖板焊接至所述第二产物的封装界面。
8、在一个具体实施方式中,所述焊接电极的初始角度为0°,初始功率为w1;所述焊接电极的角度每旋转d°,功率在w1和w2之间转变;所述w2大于所述w1。
9、另一方面,本公开实施例提供的一种集成电路芯片,其具有超小外形结构的金属陶瓷管基,通过如上述任意一项实施例所述的封装方法得到。
10、又一方面,本公开实施例提供的一种电子产品,具有如上任意一项实施例所述的集成电路芯片。
11、再一方面,本公开实施例提供的一种封装装置,能够执行如上任意一项实施例所述的封装方法对具有超小外形结构的金属陶瓷管基进行封装,并得到集成电路。
12、综上所述,本申请上述各个实施例可以具有如下一个或多个优点或有益效果:i)采用凝胶粘接固定金属陶瓷管基,能够保证点胶过程的粘片质量;ii)高耐热性导电胶可以保证该产品在封盖时以及后期使用过程中不会造成剪切力大幅衰减;iii)提高了超小外形金属陶瓷管基的封装可靠性。
1.一种基于金属陶瓷管基的电路封装方法,其特征在于,所述金属陶瓷管基具有超小外形结构;所述电路封装方法包括:
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述步骤s30包括:
3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述弹性推片朝向所述第一产物的一侧为倾斜面,对所述第一产物上边沿提供倾斜向下的压力,所述弹性推片高于所述第一产物。
4.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述弹性推片朝向所述第一产物的一侧为倾斜角度为45°的斜面,对所述第一产物上边沿提供45°向下的压力;所述压力范围为0.7-1.5n。
5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述步骤s40包括:
6.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述将预置盖板焊接至所述第二产物的封装界面,包括:
7.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述焊接电极的初始角度为0°,初始功率为w1;所述焊接电极的角度每旋转d°,功率在w1和w2之间转变;所述w2大于所述w1。
8.一种集成电路芯片,其特征在于,其具有超小外形结构的金属陶瓷管基,通过如上述权利要求1-7任意一项所述的封装方法得到。
9.一种电子产品,其特征在于,具有如权利要求8所述的集成电路芯片。
10.一种封装装置,其特征在于,能够执行如权利要求1-7任意一项所述的封装方法对具有超小外形结构的金属陶瓷管基进行封装,并得到集成电路。