清洁装置及清洁方法与流程

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种清洁装置及清洁方法。

背景技术：

1、在半导体制造领域中，晶圆的传送作为芯片制作过程中的一个环节，保证着芯片制作流程的正常运转。待清洁结构作为传送晶圆的载体，关系到晶圆的传送安全性。

2、目前，待清洁结构在长时间或高频率的传送晶圆时，会在待清洁结构上堆积污染粒子或在待清洁结构上出现划痕等现象，这些现象均会导致待清洁结构在夹持晶圆时污染晶圆，造成晶圆废品率上升。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种清洁装置及清洁方法，用于待清洁结构，能够自动检测和清洁污染物，解决了由于污染物的堆积而导致待清洁结构使用寿命较短的问题。

2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

3、根据本公开的一个方面，提供了一种清洁装置，用于待清洁结构，该装置包括：

4、箱体，所述箱体包括腔体，所述箱体上具有开口，所述待清洁结构通过所述开口伸入所述腔体内；

5、检测部，所述检测部与所述待清洁结构的待清洁面相对设置，所述检测部具有检测器，所述检测器用于检测所述待清洁面上的污染物，并记录所述污染物的信息；

6、控制部，所述控制部用于接收所述检测部传输的所述污染物的信息，确定所述污染物的类型；

7、清洁部，所述清洁部与所述待清洁面相对设置，根据所述污染物的类型，所述控制部通过控制所述清洁部以对所述污染物进行清理。

8、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述清洁部包括第一清洁部和第二清洁部，所述第一清洁部与所述待清洁面相对设置，所述第二清洁部与所述待清洁面相对设置；

9、所述污染物包括第一污染物和第二污染物，所述第一清洁部用于清理所述第一污染物，所述第二清洁部用于清除所述第二污染物，所述第二污染物的附着力大于所述第一污染物的附着力。

10、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一清洁部具有至少一个清洁头，所述清洁头与所述待清洁面相对设置，所述清洁头通过喷出清洁气体对所述第一污染物进行清理。

11、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第二清洁部具有至少一个喷头，所述喷头与所述待清洁面相对设置，所述喷头通过喷出清洁溶剂对所述第二污染物进行清理。

12、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述箱体上设置有回收部，所述回收部用于回收所述清洁溶剂。

13、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述喷头包括第一喷洒部、第二喷洒部和第三喷洒部，所述第二喷洒部同轴套设于所述第一喷洒部的周向外侧，所述第三喷洒部同轴套设于所述第二喷洒部的周向外侧。

14、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一喷洒部、所述第二喷洒部和所述第三喷洒部分别具有均布的出液孔，所述清洁溶剂通过所述出液孔喷洒至所述待清洁面。

15、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述检测部具有记录装置，所述记录装置用于记录所述污染物的信息，所述记录装置与所述控制部连接，所述控制部用于接收所述记录装置记录的所述污染物的信息。

16、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述箱体上具有正对设置的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的开口宽度相等，所述第一凹槽和所述第二凹槽构成封闭环状，所述第一凹槽和所述第二凹槽构成所述开口。

17、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，在所述检测部检测所述污染物为划痕时，通过所述清洁部清洁所述划痕，并对所述划痕进行修复。

18、根据本公开的另一个方面，提供了一种清洁方法，用于待清洁结构，该方法包括：

19、将所述待清洁结构伸入至清洁装置内部，所述清洁装置包括检测部、控制部和清洁部，所述检测部和所述清洁部正对所述待清洁结构设置；

20、通过所述检测部检测所述待清洁结构上的污染物，记录所述污染物的信息；

21、所述控制部接收所述检测部反馈的所述污染物的信息，确定所述污染物的类型；

22、根据所述污染物的类型，所述控制部控制所述清洁部对所述待清洁结构进行清洁。

23、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述清洁部包括第一清洁部和第二清洁部，所述污染物包括第一污染物和第二污染物，所述第二污染物的附着力大于所述第一污染物的附着力，

24、根据所述污染物的类型，所述控制部控制所述清洁部对所述待清洁结构进行清洁，所述方法包括：

25、所述控制部控制所述清洁装置切换至所述第一清洁部；

26、通过所述第一清洁部对所述第一污染物或所述第二污染物喷出清洁气体，以去除所述第一污染物或部分去除所述第二污染物；

27、所述控制部控制所述清洁装置切换至所述第二清洁部；

28、通过所述第二清洁部对所述第二污染物喷洒清洁溶剂，以去除所述第二污染物；

29、所述控制部控制所述清洁装置切换至所述第一清洁部；

30、通过所述第一清洁部对所述待清洁结构喷出清洁气体，以干燥所述待清洁结构。

31、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，通过所述第一清洁部对所述待清洁结构喷出清洁气体，以干燥所述待清洁结构之后，所述方法还包括：

32、通过所述控制部将所述清洁装置由所述第二清洁部切换至所述检测部；

33、再次检测所述待清洁结构上的所述污染物，以确定所述污染物完全去除。

34、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：

35、回收所述清洁气体和/或所述清洁溶剂。

36、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，将所述待清洁结构伸入至清洁装置内部之前，所述方法还包括：

37、复位所述待清洁结构，以消除所述待清洁结构的结构位置偏差。

38、本公开一方面提供了一种清洁装置，通过清洁装置的检测部检测待清洁结构上的污染物，并将污染物的信息传输至控制部，控制部根据污染物的类型，控制清洁部清理污染物，实现对待清洁结构上污染物的自动识别以及清理，保证了待清洁结构的清洁度，进而提高了待清洁结构的使用寿命，并且避免污染物形成的二次污染；

39、本公开另一方面还提供了一种清洁方法，通过检测部检测和记录待清洁结构上的污染物，控制部根据污染物的类型控制清洁部清洁污染物，该清洁方法能达到自动清洁待清洁结构上污染物的目的，保证了待清洁结构的清洁度，进而提高了待清洁结构的使用寿命。

40、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种清洁装置，用于待清洁结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁部包括第一清洁部和第二清洁部，所述第一清洁部与所述待清洁面相对设置，所述第二清洁部与所述待清洁面相对设置；

3.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述第一清洁部具有至少一个清洁头，所述清洁头与所述待清洁面相对设置，所述清洁头通过喷出清洁气体对所述第一污染物进行清理。

4.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述第二清洁部具有至少一个喷头，所述喷头与所述待清洁面相对设置，所述喷头通过喷出清洁溶剂对所述第二污染物进行清理。

5.根据权利要求4所述的清洁装置，其特征在于，所述箱体上设置有回收部，所述回收部用于回收所述清洁溶剂。

6.根据权利要求4所述的清洁装置，其特征在于，所述喷头包括第一喷洒部、第二喷洒部和第三喷洒部，所述第二喷洒部同轴套设于所述第一喷洒部的周向外侧，所述第三喷洒部同轴套设于所述第二喷洒部的周向外侧。

7.根据权利要求6所述的清洁装置，其特征在于，所述第一喷洒部、所述第二喷洒部和所述第三喷洒部分别具有均布的出液孔，所述清洁溶剂通过所述出液孔喷洒至所述待清洁面。

8.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述检测部具有记录装置，所述记录装置用于记录所述污染物的信息，所述记录装置与所述控制部连接，所述控制部用于接收所述记录装置记录的所述污染物的信息。

9.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述箱体上具有正对设置的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的开口宽度相等，所述第一凹槽和所述第二凹槽构成封闭环状，所述第一凹槽和所述第二凹槽构成所述开口。

10.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，在所述检测部检测所述污染物为划痕时，通过所述清洁部清洁所述划痕，并对所述划痕进行修复。

11.一种清洁方法，用于待清洁结构，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的清洁方法，其特征在于，所述清洁部包括第一清洁部和第二清洁部，所述污染物包括第一污染物和第二污染物，所述第二污染物的附着力大于所述第一污染物的附着力，

13.根据权利要求12所述的清洁方法，其特征在于，通过所述第一清洁部对所述待清洁结构喷出清洁气体，以干燥所述待清洁结构之后，所述方法还包括：

14.根据权利要求12所述的清洁方法，其特征在于，所述方法还包括：

15.根据权利要求11所述的清洁方法，其特征在于，将所述待清洁结构伸入至清洁装置内部之前，所述方法还包括：

技术总结
一种清洁装置，包括：箱体、检测部、控制部和清洁部；箱体包括腔体，箱体上具有开口，待清洁结构通过开口伸入腔体内；检测部与待清洁结构的待清洁面相对设置，检测部具有检测器，检测器用于检测待清洁面上的污染物，并记录污染物的信息；控制部用于接收检测部传输的所述污染物的信息，确定污染物的类型；清洁部与待清洁面相对设置，根据污染物的类型，控制部通过控制清洁部以对污染物进行清理。本公开通过检测部检测待清洁结构上的污染物，并将污染物的信息传输至控制部，控制部根据污染物的类型控制清洁部清理污染物，实现了自动识别以及清理污染物，保证了待清洁结构的清洁度，提高了待清洁结构的使用寿命。

技术研发人员：余煜晖,胡玉龙,谭志豪
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13