用于稳定光学振荡器的电磁辐射的方法和装置与流程

本发明涉及带有按照权利要求1、15或16的特征的、用于稳定光学振荡器、特别是第一激光器的第一电磁辐射的一种方法以及一种装置、特别是一种调节装置。

背景技术：

1、上述类型的方法或装置、特别是调节装置，在光谱学方法中、例如在原子或分子的吸收光谱学中或者在医疗方法中有多种多样的应用。在此，至少期望产生与基准的波长偏差或频率偏差尽可能小的电磁辐射。在此特别有益的是，进一步改进现有的方法或装置、特别是调节装置，以便更好地稳定光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射。为此也应当实现尽可能简单的实施，以便能够获得尽可能普遍的效用。

2、chiow等人的《具有跟踪谐振的扩展腔二极管激光器》，(《应用光学》，第46卷，第7997页，出版年份2007)，说明了对二极管激光器的调整参量的调制、对二极管激光器的电磁辐射的强度或频率噪声的测量以及通过驱控调整参量对强度或频率噪声的调节，以便实现二极管激光器的辐射的稳定化。

3、us 2009/0262762 a1以及us 6,687,269 b1说明了对激光器的调整参量的调制、对激光器的光强的测量以及对激光器的控制，以便最大化光强。

4、us 2008/0159340 a1说明了对激光器的传输的控制，以便实现激光器的辐射的稳定化。

技术实现思路

1、本发明的任务是，提供用于稳定光学振荡器的、特别是激光器的、例如带有外部谐振器的二极管激光器的电磁辐射的一种方法或一种装置、特别是调节装置，其中，所述方法或所述装置、特别是所述调节装置，应当提供一种特别稳定的可行方案来产生带有相对基准尽可能恒定不变的至少一个波长或频率的辐射以及避免特别是激光器的、例如带有外部谐振器的二极管激光器的模式跃变。

2、该任务按照本发明通过用于稳定光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射的一种根据权利要求1或16所述的方法以及通过一种根据权利要求15所述的装置、特别是调节装置解决。

3、在此达到的技术效果是，更好地稳定了光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射。

4、优选可以用调节器的输出信号来驱控多个调整参量中的其中一个调整参量并且调节光学振荡器的电磁辐射的频率或相位偏差信号。

5、可以进一步优选测量调制指数的比率、特别是至少两个调整参量的频率或相位调制指数的比率，并且可以从所述比率与固定值的偏差形成偏差信号，以及还可以用调节器的输出信号驱控调整参量中的其中一个调整参量，并且可以调节偏差信号或所述比率。由此可以创造出为光学振荡器的至少一个调整参量提供动态范围的前提。

6、可以进一步优选测量至少一个调整参量的频率或相位调制指数并且可以从该频率或相位调制指数与固定值的偏差形成偏差信号，以及还可以用调节器的输出信号驱控所述调整参量并且可以调节该偏差信号。由此可以创造出为光学振荡器的至少一个调整参量提供动态范围的前提。

7、在此，调制指数指的是由对调整参量的驱控和调整参量对电磁辐射的影响构成的比率。频率调制指数相应地指的是对调整参量的驱控和调整参量对电磁辐射的频率的影响。相位调制指数进一步相应地指的是对调整参量的驱控和调整参量对电磁辐射的相位的影响。

8、可以有利地通过调节在第二调整参量的调制指数和第一调整参量的调制指数之间的比率为光学振荡器的频率或相位调节提供一个大的动态范围。由此可以更好地稳定光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射。

9、下文中，例如由激光器或不同的基准源、但也由能产生电磁辐射的其它源头或发生器产生的电磁辐射，包括至少一个频率或者同义地包括至少一个波长，并且电磁辐射至少也可以包括相位。如果提到了在不同的电磁辐射之间形成了差，那么在此指的是形成了频率差和/或相位差。但也可以指的是调整电磁辐射的振幅、特别是调整场量或功率，其中，场量可以包括电压、电流、电场或磁场。

10、调节电磁辐射按照意义可以包括调节至少一个频率或至少一个波长和/或还可以包括调节至少所述一个相位。

11、此外，下文中还有意使用了术语“波长”和“频率”，波长和频率彼此处于基本关系中，按照这个基本关系，波长和频率的乘积对应速度，其中，速度可以是光速。光速在此可以是真空中的光速或者光速可以是在介质中的光速，其中，介质可以通过折射率表征，并且在介质中的光速可以慢于在真空中的光速，其中，可以通过真空中的光速除以折射率来量化介质中的光速相对真空中的光速的减速。

12、所有在按本发明的装置中、特别是在调节装置中、或者所有在按本发明的方法中规定的调整变量，优选可以由至少一个调节器驱控，即使没有明确提到这一点。调整参量通常可以由多个控制信号、特别是一个或多个调节器驱控。在用多个控制信号驱控调整参量时，控制信号可以叠加、特别是相加。因此特别是每个所设置的调整参量都可以用来稳定光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射。驱控可以直接进行，但也可以间接进行，例如通过对所述装置的其它部件或所述方法的第二次驱控。调整参量通常可以构造用于影响电磁辐射以设定电磁辐射。调整参量尤其可以构造用于影响电磁辐射的频率和/或相位以设定电磁辐射的频率和/或相位。

13、按本发明的用于稳定光学振荡器的、特别是第一激光器的第一电磁辐射的方法，优选可以包括测量在光学振荡器的第一电磁辐射与基准之间的偏差和产生第一偏差信号，并且还可以包括：用第一偏差信号驱控第一调节器；借助驱控至少两个调整参量中的至少一个调整参量来调节第一偏差信号，其中，第一调整参量可以由第一调节器的第一输出信号驱控并且第一调整参量可以影响光学振荡器的第一电磁辐射；以及用调制单元产生调制信号；和用调制信号驱控第一或第二调整参量；用调制信号解调第一调节器的第一输出信号；和产生与固定值的第二偏差信号；用第二偏差信号驱控第二调节器；和用第二调节器的输出信号驱控调整参量中的其中一个调整参量；以及调节第二偏差信号。

14、如上文已经说明的那样，借助驱控至少两个调整参量中的至少一个第一调整参量调节第一偏差信号在此可以包括，可以用一个或多个控制信号进行驱控。

15、在一种实施方式中，所述方法可以包括借助驱控至少两个调整参量来调节第一偏差信号，其中，两个调整参量可以分别通过第一调节器的至少一个输出信号驱控，并且两个调整参量可以影响光学振荡器的第一电磁辐射。在一种优选的实施方式中，偏差可以被最小化。

16、在一种优选的实施方式中，基准可以包括第二激光器的第二电磁辐射并且偏差可以形成为在第一电磁辐射和第二电磁辐射之间的差。

17、在一种优选的实施方式中，基准可以包括射频基准和第二激光器的第二电磁辐射，并且偏差可以形成为在第一电磁辐射和第二电磁辐射的差与射频基准之间的差。

18、在一种优选的实施方式中，偏差可以包括频率偏差或相位偏差。

19、在一种实施方式中，第二激光器可以是连续波激光器。

20、第二激光器可以构造成萨格纳克激光器。

21、在一种实施方式中，第二激光器可以是脉冲激光器。

22、在一种实施方式中，第二激光器可以是频率梳状激光器。

23、在一种实施方式中，第二电磁辐射可以是通过电光调制产生的频率梳。

24、在一种实施方式中，第二电磁辐射可以是通过非线性的变频产生的频率梳。

25、在一种优选的实施方式中，基准可以包括谐振器并且偏差可以包括在第一电磁辐射的频率或相位与谐振器的频率或相位之间的频率偏差或相位偏差。

26、在一种实施方式中，谐振器可以包括在10000和1000000之间的范围内的q值，其中，q值等于谐振器的频率除以谐振器的频率带宽。谐振器可以优选包括ule(超低膨胀)间隔器(spacer，即间隔物)。

27、谐振器可以有利地包括在50000和700000之间的范围内的q值，其中，q值可以等于谐振器的频率除以谐振器的频率带宽并且谐振器优选可以包括ule(超低膨胀)间隔器(spacer，即间隔物)。谐振器可以进一步优选包括在100000和500000之间的范围内的q值。谐振器可以进一步优选包括在300000和500000之间的范围内的q值。

28、在一种优选的实施方式中，谐振器可以包括标准具。标准具可以不同地设计并且对应其在所述方法和/或所述谐振器中的功能进行设计。在此，标准具尤其可以是法布里-珀罗标准具。

29、在一种优选的实施方式中，谐振器可以包括干涉仪。

30、干涉仪可以构造成光纤干涉仪、特别是构造成光纤-自由空间干涉仪。

31、干涉仪可以构造成自由光束干涉仪。

32、干涉仪可以构造成斐索干涉仪。

33、干涉仪可以构造成法布里-珀罗干涉仪。

34、干涉仪可以构造成萨格纳克干涉仪。

35、干涉仪可以构造成迈克尔逊干涉仪。迈克尔逊干涉仪可以包括两个长度不同的、特别是光学的或几何的长度不同的干涉仪臂。

36、在一种优选的实施方式中，基准可以包括原子的或分子的气体并且偏差可以包括在第一电磁辐射的频率或相位与原子的或分子的气体的谐振的频率或相位之间的频率偏差或相位偏差。测量频率偏差或相位偏差可以包括饱和光谱学或拉姆齐光谱学。

37、在一种实施方式中，基准可以包括原子束或原子束干涉仪，并且偏差可以包括在第一电磁辐射的频率或相位和原子束或原子束干涉仪的谐振的频率或相位之间的频率偏差或相位偏差。

38、在一种实施方式中，基准可以包括经激光器冷却的原子或离子，并且偏差可以包括在第一电磁辐射的频率或相位与原子或离子的谐振的频率或相位之间的频率偏差或相位偏差。

39、在一种优选的实施方式中，基准可以包括频率或相位测量仪器、特别是波长计或干涉仪，并且偏差可以包括在第一电磁辐射的频率或相位与频率或相位仪器的频率或相位之间的频率偏差或相位偏差。

40、在一种优选的实施方式中，光学振荡器可以包括调整参量并且包括半导体激光器、特别是二极管激光器，并且调整参量可以包括二极管激光器的二极管电流和/或二极管激光器的二极管温度。

41、二极管激光器可以设计带有外部谐振器。第一电磁辐射的频率和/或相位可以关于基准系统稳定化。基准系统可以包括光学振荡器，其中，基准系统的光学振荡器可以设计成形成基准的部件。

42、带有外部谐振器的二极管激光器的第一电磁辐射可以借助频率梳的电磁辐射关于基准系统稳定化。

43、二极管激光器可以包括激光器二极管，其中，激光器二极管可以设计带有防反射涂层。防反射涂层可以包括在1x10^-5和1x10^-1之间的范围内的反射率。防反射涂层可以包括在1x10^-3和1x10^-1之间的范围内的反射率。

44、二极管激光器可以包括激光器二极管，其中，激光器二极管可以设计成没有防反射涂层。

45、在一种实施方式中，光学振荡器可以包括分布式布拉格反射器(dbr)或分布式反馈半导体激光器(dfb)。

46、在一种实施方式中，光学振荡器可以包括光泵浦半导体激光器，并且调整参量可以包括泵浦激光器的光功率。光泵浦半导体激光器尤其可以是垂直外腔面发射激光器(vecsel)。

47、在一种实施方式中，光学振荡器可以实现为在一个或多个半导体元件中的光子集成电路。

48、在一种实施方式中，光学振荡器可以实现为在多个半导体元件中的异质光子集成电路。

49、在一种优选的实施方式中，光学振荡器可以包括半导体激光器。半导体激光器可以发射电磁辐射，其中，电磁辐射可以包括在350纳米和10微米之间的、特别是在350纳米和1500纳米之间的、特别是在350纳米和550纳米之间的、特别是在600纳米和800纳米之间的波长。

50、在一种优选的实施方式中，光学振荡器可以包括第一面和第二面，其中，至少第一面或第二面可以部分透过第一电磁辐射，并且光学振荡器可以包括能调整的波长滤波器以用于选择第一电磁辐射的至少一个波长。

51、在一种优选的实施方式中，调整参量可以包括至少一个压电致动器，该压电致动器可以联接到第一面和/或第二面上，以便将一个力施加到第一面上和/或第二面上，从而设定第一电磁辐射的频率或相位。压电致动器尤其可以构造用于，连续地设定第一电磁辐射的频率或相位。在一种实施方式中，调整参量可以包括能调整的波长滤波器并且可以构造用于设定能调整的波长滤波器。

52、在一种实施方式中，调整参量可以包括至少一个电光调制器，该电光调制器可以布置在激光器的光束路径中，以便设定第一电磁辐射的频率或相位。在一种实施方式中，调整参量中的至少一个调整参量可以处在光学振荡器外并且包括声光调制器或移频器。

53、按本发明的用于稳定光学振荡器的、特别是第一激光器的第一电磁辐射的装置优选可以包括调节装置。

54、调节装置优选可以包括测量装置、用于产生基准的基准发生器、第一调节器和第二调节器。测量装置尤其可以构造用于测量在光学振荡器的第一电磁辐射和基准之间的偏差，其中，第一调节器可以构造用于，被第一偏差信号驱控并且通过用第一输出信号驱控至少两个调整参量中的至少一个第一调整参量来调节偏差信号。

55、调节装置优选可以包括调制单元，调制单元可以构造用于，用调制信号驱控第一或第二调整参量。

56、调节装置优选可以包括解调单元，该解调单元可以构造用于，用调制信号解调第一调节器的第一输出信号并且产生与固定值的第二偏差信号。

57、第二调节器优选可以构造用于，被第二偏差信号驱控并且用输出信号驱控调整参量中的其中一个调整参量，以便调节第二偏差信号。

58、本发明可以包括一种用于稳定光学振荡器的、特别是激光器的第一电磁辐射的方法，该方法可以包括测量在光学振荡器的第一电磁辐射和基准之间的偏差并且产生第一偏差信号。所述方法可以包括用第一偏差信号驱控第一调节器。所述方法可以包括借助驱控至少两个调整参量中的至少一个第一调整参量来调节第一偏差信号，其中，第一调整参量可以通过第一调节器的第一输出信号驱控并且第一调整参量可以影响光学振荡器的第一电磁辐射。所述方法尤其可以包括测量调整参量中的至少一个调整参量的调制指数、特别是频率和/或相位调制指数。所述方法可以包括从调制指数与固定值的偏差形成第二偏差信号。所述方法可以包括用第二偏差信号驱控第二调节器。所述方法可以包括用第二调节器的输出信号驱控调整参量中的其中一个调整参量。所述方法可以包括调节第二偏差信号或调制指数，其中，调制指数是由对调整参量中的至少一个调整参量的驱控和至少一个调整参量对第一电磁辐射的影响构成的比率。

59、在一种实施方式中，所述方法可以包括，借助驱控至少两个调整参量调节第一偏差信号，其中，所述两个调整参量可以分别通过第一调节器的输出信号驱控并且两个调整参量可以影响光学振荡器的电磁辐射。

60、本发明可以包括一种用于稳定光学振荡器的、特别是激光器的第一电磁辐射的方法，该方法可以包括测量在光学振荡器的第一电磁辐射和基准之间的偏差以及产生第一偏差信号，并且还可以包括用第一偏差信号驱控第一调节器和借助驱控至少两个调整参量中的至少一个第一调整参量调节第一偏差信号，其中，可以通过第一调节器的第一输出信号驱控第一调整参量并且第一调整参量可以影响光学振荡器的第一电磁辐射。所述方法尤其可以包括用调制单元产生调制信号，并且用调制信号驱控第一或第二调整参量，并且还可以包括测量驱控调整参量的比率并且从所述比率与固定值的偏差形成第二偏差信号、用第二偏差信号驱控第二调节器和用第二调节器的输出信号驱控调整参量中的其中一个调整参量并且调节第二偏差信号或所述比率。

61、按本发明的方法可以包括借助在一方面光学振荡器的电磁辐射和第一基准源的电磁辐射的差以及另一方面第二基准源的电磁辐射之间的比较单元产生相位偏差信号和/或频率偏差信号，并且还可以包括将相位偏差信号和/或频率偏差信号耦合输入到第一调节器中、用第一调节器的至少一个输出信号驱控光学振荡器的至少一个第一调整参量以调节相位偏差信号和/或频率偏差信号、产生调制和形成所述调制与第二调节器的输出信号的至少一个第一叠加、用至少一个第一叠加驱控光学振荡器的至少一个与第一调整参量不同的第二调整参量、形成第一调节器的输出信号的解调信号、用由第一调节器的输出信号和用解调信号驱控的第三调节器的输出信号构成的不同的第二叠加来驱控光学振荡器的至少一个第一调整参量、调节在用至少一个第一叠加驱控至少一个第二调整参量和用第二叠加驱控至少一个第一调整参量之间的比率。

62、借助比较单元产生相位偏差信号和/或信号偏差信号可以有利地包括来自现有技术的用于产生相位偏差信号和/或频率偏差信号的一种装置和/或一种方法。

63、所述方法可以有利地规定，最小化在光学振荡器的电磁辐射与第一基准源的电磁辐射和第二基准源的电磁辐射之间的差与第二基准源的电磁辐射之间的相位偏差信号的相位偏差和/或频率偏差信号的频率偏差。

64、用于稳定光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射的方法可选可以包括侧边锁模(side-of-fringe locking)频率稳定，其中，激光器的至少一个频率可以相对空腔的或原子的或分子的吸收线的谐振频率失谐，其中，空腔为此可以构造带有第一输入端和第一输出端或者气室可以构造带有原子的或分子的气体和第一输入端和第一输出端，其中，光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射，可以耦合输入到空腔的第一输入端中或气室的第一输入端中，并且光学振荡器的、特别是激光器的从空腔的第一输出端或气室的第一输出端耦合输出的电磁辐射，可以被探测器探测到。探测器尤其可以是光电探测器，其中，激光器的至少一个频率的波动还可以转化成探测器的、特别是光电探测器的输出信号的强度波动，其中，强度波动可以通过额外提供的反馈回路最小化，其中，反馈回路可以至少包括第一调整参量或第二调整参量，并且还可以包括探测器的、特别是光电探测器的输出信号。

65、用于稳定光学振荡器的、特别是激光器的电磁辐射的方法可选可以包括顶端锁模(top-of-fringe locking)频率稳定，其中，激光器的至少一个频率可以用调制频率进行调制。激光器的电磁辐射还可以由探测器、特别是光电探测器在探测器的、特别是光电探测器的输入端处进行探测，其中，激光器的至少一个频率的调制可能导致探测器的、特别是光电探测器的输出信号同样可以被调制。在此，探测器的、特别是光电探测器的输出信号，特别是可以用调制频率进行调制，此时也调制激光器的至少一个频率。此外，探测器的、特别是光电探测器的输出信号的调制，也可以用能用于调制激光器的至少一个频率的所述调制频率解调以产生信号的导数，信号可以由激光器的电磁辐射在探测器的、特别是光电探测器的输入端处产生。

66、对激光器的至少一个频率的调制可能导致导数的正数值或负数值，其中，顶端锁模频率稳定可以设计用于，最小化导数的数值。顶端锁模频率稳定优选还可以包括反馈回路，其中，反馈回路可以包括输入端和输出端，其中，导数的正数值或负数值可以耦合输入到反馈回路的输入端中并且反馈回路的输出端可以调整第一调整参量和/或第二调整参量以最小化导数的数值额。

67、在所述方法的一种有利的实施方式中，光学振荡器可以包括半导体激光器、特别是二极管激光器。

68、二极管激光器可以包括激光器二极管，其中，激光器二极管可以设计带有防反射涂层或者不带有防反射涂层。

69、半导体激光器可以有利地包括第一面和第二面。

70、此外，电磁辐射可以从半导体激光器的第一面和/或第二面耦合输出，或者电磁辐射可以至少部分从半导体激光器的第一面和/或第二面耦合输出。

71、电磁辐射可以有利地从半导体激光器的第一面耦合输出或者电磁辐射可以至少部分从半导体激光器的第一面耦合输出。

72、当电磁辐射从半导体激光器的第一面耦合输出时，半导体激光器的第二面可以设计成反射性的。

73、半导体激光器的第二面尤其可以构造成至少部分透射电磁辐射。

74、在所述方法的一种有利的实施方式中，光学振荡器可以包括空腔，其中，所述空腔可以包括第一面和第二面，其中，至少空腔的第一面可以部分透过电磁辐射。但空腔的第二面备选也可以部分透过电磁辐射。此外，无论是空腔的第一面还是第二面，都可以部分透过电磁辐射。

75、电磁辐射尤其可以包括至少一个波长，其中，空腔的长度可以有利地大于电磁辐射的至少一个波长。

76、在一种有利的实施方式中，光学振荡器可以包括能调整的波长滤波器以用于选择至少一个波长或用于选择电磁辐射的至少一个频率，其中，波长滤波器可以构造在空腔中，其中，对能调整的波长滤波器的调整可以是光学振荡器的另一个调整参量。通过前述波长滤波器可以选择激光器的或半导体激光器的、特别是二极管激光器的电磁辐射的至少一个期望的频率，或者说，可以同义地选择激光器的或半导体激光器的、特别是二极管激光器的电磁辐射的至少一个期望的波长。

77、能调整的波长滤波器可以有利地包括体全息布拉格光栅(vhbg)，其中，选择电磁辐射的至少一个波长可以包括，将vhbg相对电磁辐射的传播方向倾斜。

78、能调整的波长滤波器可以有利地包括频率选择的或波长选择的光栅，其中，可以通过使频率选择的光栅相对电磁辐射的传播方向倾斜来选择电磁辐射的至少一个波长，或者同义而言，可以通过使频率选择的光栅相对电磁辐射的传播方向倾斜来选择电磁辐射的至少一个频率。

79、能调整的波长滤波器可以有利地包括电介质的滤波器，其中，选择至少一个波长或选择电磁辐射的至少一个频率可以包括使电介质的滤波器相对电磁辐射的传播方向倾斜。

80、借助能调整的波长滤波器选择电磁辐射的至少一个波长或至少一个频率，可以包括改变能调整的波长滤波器的温度以达到能调整的波长滤波器的膨胀或收缩，从而选择电磁辐射的至少一个波长，其中，能调整的波长滤波器的至少一个结构可以移动或变形，其中，波长滤波器的至少一个结构的长度可以与电磁辐射的至少一个波长相适应，或者波长滤波器的结构的长度可以与电磁辐射的半波长相适应，或者波长滤波器的结构的长度可以与电磁辐射的四分之一波长相适应。波长滤波器的结构的长度可以有利地与电磁辐射的波长的任意长度相适应。

81、对能调整的波长滤波器的调整可以是光学振荡器的另一个调整参量。

82、在用于稳定电磁辐射的方法中，可以有利地调整空腔的长度，其中，空腔的第一面和/或第二面可以联接到致动器上并且致动器可以构造用于，作用到第一面和/或第二面上以调整长度从而设定电磁辐射的至少一个波长，其中，至少第二调整参量可以包括使致动器作用到第一面和/或第二面上。

83、尤其可以通过调整空腔的长度设定在半导体激光器、特别是二极管激光器和空腔之间的耦合。在此，半导体激光器、特别是二极管激光器，在空腔的预定的长度下激发了空腔的一个电磁模式或多个电磁模式，其中，所述一个电磁模式或所述多个电磁模式可以包括至少一个波长，另外的波长的激发则可以被抑制。因此可以设定电磁辐射的至少一个波长。

84、致动器尤其可以基于压电效应或者致动器可以是电光调制器。

85、空腔可以优选通过温度元件加热以借助热膨胀改变空腔的长度以从而设定电磁辐射的至少一个波长，其中，空腔的通过温度元件产生的热膨胀可以是光学振荡器的另一个调整参量。

86、空腔优选可以通过温度元件冷却以借助热收缩改变空腔的长度从而设定电磁辐射的至少一个波长，其中，空腔的通过温度元件产生的热收缩可以是光学振荡器的另一个调整参量。

87、温度元件可以布置成只加热空腔的一个分区。然而温度元件也可以被布置用于用一个至少尽可能均匀分布在空腔上的温度加热空腔。温度元件可以包括温度测量装置以用于调节空腔的温度、特别是用于稳定空腔的温度。

88、半导体激光器可以有利地通过电流进行电子泵浦。在此，改变电流的绝对值可以导致电磁辐射的至少一个波长的缩短或延长，并且至少第一调整参量可以包括电流。

89、半导体激光器有利地可以是能加热的，以改变半导体激光器的几何形状从而设定电磁辐射的至少一个波长，其中，改变半导体激光器的几何形状可以是光学振荡器的另一个调整参量。

90、在一种有利的实施方式中，借助比较单元产生相位偏差信号和/或频率偏差信号可以包括至少一个波长转换过程以产生在光学振荡器的电磁辐射与第一基准源的电磁辐射之间的频率差和/或相位差。

91、在此，波长转换过程可以通过模拟的混频器实现。

92、第一基准源的电磁辐射可以有利地由频率梳形成。

93、在一种有利的实施方式中，第二基准源的电磁辐射可以是能调整的并且能够适应在光学振荡器的电磁辐射与第一基准源的电磁辐射之间的频率差和/或相位差。

94、在一种有利的实施方式中，第二基准源的电磁辐射可以包括至少一个频率，其中，第二基准源的电磁辐射的频率可以设定在500khz至10ghz的范围内、优选设定在500khz至1ghz的范围内、优选设定在500khz至3ghz的范围内，优选设定在500khz至5ghz的范围内。

95、在一种有利的实施方案中可以对按本发明的方法进行修改，其中，对按本发明的方法的修改包括禁用第二调节器以切断第二调节器的输出信号、提供二极管驱动器以及将第三调节器的输出信号与调制叠加以形成第一叠加，而不是将第三调节器的输出信号与第一调节器的输出信号叠加以形成第二叠加，其中，二极管驱动器的输出信号还可以与第一调节器的输出信号叠加以形成第二叠加，从而驱控光学振荡器的至少一个第一调整参量，其中，二极管驱动器的输出信号可以是电压和/或电流，其中，二极管驱动器的输出信号优选可以是电压脉冲和/或电流脉冲。

96、按本发明的装置可以有利地包括比较单元，该比较单元包括波长转换器和波长比较器，并且按本发明的装置还可以包括第一基准源、第二基准源、第一调节器、至少一个第一调整参量，其中，光学振荡器构造用于被第一基准源驱控，其中，比较单元构造用于形成相位偏差信号和/或频率偏差信号，其中，波长转换器构造用于在光学振荡器的电磁辐射和第一基准源的电磁辐射之间形成频率差和/或相位差，并且波长比较器将在光学振荡器的电磁辐射和第一基准源的电磁辐射之间的频率差和/或相位差与第二基准源的电磁辐射的频率和/或相位进行比较，以便形成相位偏差信号和/或频率偏差信号，其中，第一调节器还构造用于接收相位偏差信号和/或频率偏差信号，以便用第一调节器的至少一个输出信号驱控第一调整参量，从而调节相位偏差信号和/或频率偏差信号，并且按本发明的装置可以包括调制单元以产生调制，并且可以包括第一叠加单元以形成调制与第二调节器的输出信号的至少一个第一叠加。此外，按本发明的装置还可以包括第二调整参量，其中，光学振荡器可以构造用于被该第二调整参量驱控，并且至少第二调整参量可以构造用于被第一叠加驱控。按本发明的装置尤其可以包括解调单元，该解调单元可以构造用于从第一调节器的输出信号形成解调信号，其中，解调单元还可以构造用于，用解调信号驱控第三调节器，以便形成用解调信号驱控的第三调节器的输出信号。按本发明的装置优选可以包括第二叠加单元，该第二叠加单元可以配置用于，用第二叠加来驱控光学振荡器的至少一个第一调整参量，其中，第二叠加单元可以构造用于，从第一调节器的输出信号和被解调信号驱控的第三调节器的输出信号形成第二叠加。按本发明的装置尤其可以包括调节单元，该调节单元可以构造用于调节在驱控第二调整参量和驱控第一调整参量之间的比率。

97、在所述装置的一种有利的实施方式中，能调整的波长滤波器可以布置在振荡器的空腔中，以便选择电磁辐射的至少一个波长，其中，能调整的波长滤波器可以是光学振荡器的另一个调整参量。

98、在一种备选的有利的实施方式中，按本发明的装置可以被修改，其中，对按本发明的装置的修改方案可以包括没有第二调节器和没有第二调节器的输出信号的装置并且还可以包括二极管驱动器，其中，二极管驱动器可以配置用于产生输出信号，其中，二极管驱动器的输出信号可以包括电压和/或电流，其中，二极管驱动器的输出信号可以有利地包括电压脉冲和/或电流脉冲，其中，所述修改方案可以进一步包括第一叠加单元，其中，第一叠加单元可以构造用于，将调制单元的调制与第三调节器的输出信号叠加，以便形成至少一个第一叠加，而不是把第二叠加单元构造用于将第一调节器的输出信号与第三调节器的输出信号叠加以形成第二叠加，其中，修改方案可以可进一步包括第二叠加单元，其中，第二叠加单元可以构造用于，将二极管驱动器的输出信号与第一调节器的输出信号叠加以形成第二叠加，从而驱控光学振荡器的至少一个第一调整参量。

99、二极管驱动器可以构造用于驱控激光器并且可以构造成激光器的内部的部件。二极管驱动器优选可以构造成激光器的外部的部件并且通过电子连接与激光器耦合。