蚀刻方法和等离子体处理装置与流程

本公开的例示性的实施方式涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。

背景技术：

1、在电子器件的制造中，利用等离子体进行含硅膜的蚀刻。含硅膜由氧化硅、氮化硅之类的含硅材料形成。例如，在具有三维构造的nand型闪存的制造中，对包括作为含硅膜而交替地层叠的多个硅氧化膜及多个硅氮化膜的多层膜进行蚀刻。在含硅膜的蚀刻中，作为掩模，使用含有无定形碳之类的碳的掩模。在掩模形成有开口。

2、在专利文献1中关于多层膜的蚀刻进行了记载。在专利文献1所记载的蚀刻中，生成氢氟烃气体的等离子体，利用来自等离子体的氟的活性种对多层膜进行蚀刻。在多层膜的蚀刻中，在掩模上形成含有碳的沉积物，通过该沉积物来保护掩模。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：美国专利申请公开第2013/0059450号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够形成具有良好形状的凹部的蚀刻方法和等离子体处理装置。

3、用于解决问题的方案

4、在一个例示性的实施方式中，蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，所述基板具有含硅膜以及所述含硅膜上的掩模；工序(b)，在所述工序(a)之后，利用从第一处理气体生成的第一等离子体对所述含硅膜进行蚀刻来形成凹部；工序(c)，在所述工序(b)之后，向所述基板供给从包含钨的第二处理气体生成的第二等离子体；以及工序(d)，在所述工序(c)之后，利用从第三处理气体生成的第三等离子体对所述凹部进行蚀刻。

5、发明的效果

6、根据一个例示性的实施方式，提供一种能够形成具有良好形状的凹部的蚀刻方法和等离子体处理装置。

技术特征：

1.一种蚀刻方法，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，

10.根据权利要求8或9所述的蚀刻方法，其特征在于，

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

15.一种蚀刻方法，包括以下工序：

16.一种等离子体处理装置，具备：

技术总结
本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好形状的凹部。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，基板具有含硅膜以及含硅膜上的掩模；工序(b)，在工序(a)之后，利用从第一处理气体生成的第一等离子体对含硅膜进行蚀刻来形成凹部；工序(c)，在工序(b)之后，向基板供给从包含钨的第二处理气体生成的第二等离子体；以及工序(d)，在工序(c)之后，利用从第三处理气体生成的第三等离子体对凹部进行蚀刻。

技术研发人员：松尾瑞稀
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13