改善晶圆翘曲的方法与流程

本发明属于半导体制造，涉及一种改善晶圆翘曲的方法。

背景技术：

1、在半导体集成电路制作中需要在晶圆上进行多种工艺操作，如刻蚀、沉积等工艺步骤，以在晶圆上根据功能需要加工制作各种电路元件结构，以制备具有特定电性功能的集成电路产品。

2、在半导体集成电路的制作过程中，由于不同工艺的特性，晶圆会由于受热等原因而产生应力变化，应力的产生会造成晶圆翘曲的现象，即由于受热等原因造成的晶圆不均匀收缩发生变形的现象。翘曲的程度越大则变形量越大，且晶圆形变对后续工艺制程会造成不良影响，如导致晶圆在机台中报警频率增加，甚至造成晶圆裂纹(crack)、晶圆破片等缺陷，使得生产效率及生产良率降低。

3、目前，改善晶圆翘曲降低晶圆应力的方法通常为改变工艺过程中的一些参数，如膜层厚度、工艺温度、改变工艺流程顺序等，但该操作仍难以满足需求。

4、因此，提供一种可满足需求的改善晶圆翘曲的方法，实属必要。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善晶圆翘曲的方法，用于解决现有技术中晶圆翘曲的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善晶圆翘曲的方法，包括以下步骤：

3、提供基底；

4、于所述基底的正面沉积工艺薄膜，构成待改善的晶圆；

5、检测所述晶圆的翘曲形状，以确定所述晶圆的应力类型；

6、于所述基底的背面形成辅助薄膜，且所述辅助薄膜与所述晶圆的应力类型相同，以改善所述晶圆的翘曲度。

7、可选地，所述应力类型包括拉应力或压应力。

8、可选地，当所述应力类型为压应力时，所述辅助薄膜包括压应力氮化硅薄膜。

9、可选地，当所述应力类型为拉应力时，所述辅助薄膜包括拉应力氮化硅薄膜。

10、可选地，所述辅助薄膜还包括位于所述压应力氮化硅薄膜或所述拉应力氮化硅薄膜表面的氧化硅层。

11、可选地，还包括去除所述辅助薄膜的步骤。

12、可选地，去除所述辅助薄膜的方法包括cmp法。

13、可选地，还包括以下步骤：

14、检测改善后的所述晶圆的翘曲度；

15、将所述翘曲度与标准翘曲度阈值进行比对，当所述翘曲度超出所述标准翘曲度阈值时，于所述基底的背面重复形成所述辅助薄膜；

16、再次检测改善后的所述晶圆的翘曲度，直至符合所述标准翘曲度阈值。

17、可选地，所述基底包括si基底、gan基底、sic基底或玻璃基底。

18、可选地，所述辅助薄膜覆盖所述晶圆的整个背面或部分区域。

19、如上所述，本发明的改善晶圆翘曲的方法，在待改善的所述晶圆的背面形成与所述晶圆的应力类型相同的所述辅助薄膜，以抵消掉所述晶圆的应力，从而改善所述晶圆的翘曲度，降低因所述晶圆的翘曲造成的如报警、裂纹、破片等风险，以提高生产效率及生产良率。

技术特征：

1.一种改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：所述应力类型包括拉应力或压应力。

3.根据权利要求2所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：当所述应力类型为压应力时，所述辅助薄膜包括压应力氮化硅薄膜。

4.根据权利要求2所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：当所述应力类型为拉应力时，所述辅助薄膜包括拉应力氮化硅薄膜。

5.根据权利要求3或4所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：所述辅助薄膜还包括位于所述压应力氮化硅薄膜或所述拉应力氮化硅薄膜表面的氧化硅层。

6.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：还包括去除所述辅助薄膜的步骤。

7.根据权利要求6所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：去除所述辅助薄膜的方法包括cmp法。

8.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于还包括以下步骤：

9.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：所述基底包括si基底、gan基底、sic基底或玻璃基底。

10.根据权利要求1～9中任一所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于：所述辅助薄膜覆盖所述晶圆的整个背面或部分区域。

技术总结
本发明提供一种改善晶圆翘曲的方法，在待改善的晶圆的背面形成与晶圆的应力类型相同的辅助薄膜，以抵消掉晶圆的应力，从而改善晶圆的翘曲度，降低因晶圆的翘曲造成的如报警、裂纹、破片等风险，以提高生产效率及生产良率。

技术研发人员：邓培基,李志华,曾婵,徐国俊,寻茁圃
受保护的技术使用者：粤芯半导体技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11