一种扇出型封装LED器件的制造方法与流程

本发明属于led封装，具体涉及一种扇出型封装led器件的制造方法。

背景技术：

1、现有led器件往往是单颗或者三颗rgb芯片封装在一起。单颗芯片封装于填充有荧光粉的硅树脂内，并引出正负极焊盘；三颗rgb芯片封装在一起，引出四个焊盘，一个焊盘采用共阴(阳)结构，另外三个阳（阴）极，分别控制三颗芯片的电流电压，使三色组合发出任意颜色光。

2、现在影像技术的发展，4k、8k显示逐渐成为主流，以4k为例，共需rgb芯片两千多万颗，如果是三颗rgb封装后的器件，也需八百万颗，如此巨量的焊接固晶效率是极低的，而且如此巨量的操作也会带来生产成本的居高不下。

技术实现思路

1、针对上述现有技术中的问题，本发明提供了一种扇出型封装led器件的制造方法，有效减少芯片焊接固晶数量，减少了大量焊盘数量的作业时间，提升焊接固晶效率并以此降低生产操作成本。

2、本发明通过以下技术方案实施：一种扇出型封装led器件的制造方法，包括以下步骤：

3、s1：提供若干个承接衬底，承接衬底为蓝宝石或者石英材质，承接衬底表面涂覆一层黏附层，黏附层具有压敏胶特性或者自吸附特性；

4、s2：将rgb芯片中的绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片按相同排列顺序分别转移至承接衬底上，rgb芯片中的绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片均为衬底剥离后芯片，rgb芯片出光面与承接衬底表面黏附层接触并被黏附固定，确保芯片电极面外露；

5、s3：在固定好rgb芯片的承接衬底表面涂覆一层填充层，填充层完全填充于rgb芯片间的间隙，使rgb芯片仅露出芯片电极，填充层为光敏性有机物，经过曝光显影后得到图形化表面，将承接衬底放入烤箱烘烤使填充层固化；

6、s4：在填充层表面制备rdl层，rdl层为金属材质，使所有rgb芯片电极中的一极导通，另一极分别单独引出，实现每个rgb芯片可被单独控制；

7、s5：在rdl层表面涂覆一层保护层，以将rdl层中的部分引线进行覆盖隐藏，使rdl层仅露出电极触点部分，保护层材料为光敏性树脂、聚酰亚胺类或环氧树脂类材料中的一种，保护层经过曝光显影后得到图形化表面，将承接衬底放入烤箱烘烤使保护层固化；

8、s6：在固化后的保护层表面制备多个焊盘，每个焊盘单独覆盖并连接导通于rdl层的一个电极触点，焊盘为金属材质；

9、s7：对承接衬底进行减薄，减薄后进行切割，切割时按照每个像素点所需led器件的相应大小进行，得到多个led器件产品。

10、进一步的，所述rgb芯片高度为6-10um，所述rgb芯片通过以绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片共计三颗芯片为一组，以2～5组为一排，2～5排为一列，形成一个具有4～25像素点的封装器件，以相同方式排列形成多个像素点。

11、进一步的，所述承接衬底大小为4、6、8、12inch的圆形，所述承接衬底厚度为300-700um。

12、进一步的，所述黏附层厚度为1-15um，所述黏附层含有硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂类材料中的一种或多种。

13、进一步的，所述填充层厚度为7-11um。

14、进一步的，所述填充层经过曝光显影后，将承接衬底放入烤箱150-230℃烘烤30-120min使填充层固化。

15、进一步的，所述填充层表面制备所述rdl层的制备方法为蒸镀、电镀、磁控溅射中的一种，所述rdl层材质是铜、金、银中的一种。

16、进一步的，所述保护层经过曝光显影后，将承接衬底放入烤箱150-230℃烘烤30-120min使保护层固化。

17、进一步的，所述保护层表面制备所述焊盘的制备方法为蒸镀，电镀，磁控溅射中的一种，所述焊盘材质是铜、金、银、镍中的一种。

18、进一步的，所述承接衬底进行减薄后的厚度为80-200um。

19、本发明的有益效果是：通过使用扇出型封装的方法，增加了同时封装的芯片数量，减少了后续显示芯片焊接固晶数量，利用多组芯片共阴（阳）极结构，减少了大量焊盘的操作数量，降低因焊盘数量导致的良率损失，并通过多组规则排列的rgb芯片在承接衬底上一齐封装，起到放大单个器件封装效率的效果，有效减少芯片焊接固晶数量，减少了大量焊盘数量所需的作业时间，借助rgb芯片以三颗为一组的定向排列及焊盘共阴（阳）极结构，在组合成显示器时，可以降低至百万次以下的焊接、固晶操作，极大提升焊接固晶效率和良率并以此降低生产操作成本。

技术特征：

1.一种扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述rgb芯片高度为6-10um，所述rgb芯片通过以绿光芯片、蓝光芯片、红光芯片共计三颗芯片为一组，以2～5组为一排，2～5排为一列，形成一个具有4～25像素点的封装器件，以相同方式排列形成多个像素点。

3.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述承接衬底为蓝宝石或者石英材质，所述承接衬底大小为4、6、8、12inch的圆形，所述承接衬底厚度为300-700um。

4.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述黏附层厚度为1-15um，所述黏附层具有压敏胶特性或者自吸附特性，所述黏附层含有硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂类材料中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述填充层厚度为7-11um。

6.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述填充层经过曝光显影后，将承接衬底放入烤箱150-230℃烘烤30-120min使填充层固化。

7.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述填充层表面制备所述rdl层的制备方法为蒸镀、电镀、磁控溅射中的一种，所述rdl层材质为铜、金、铜锡合金中的一种。

8.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述保护层经过曝光显影后，将承接衬底放入烤箱150-230℃烘烤30-120min使保护层固化。

9.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述保护层表面制备所述焊盘的制备方法为蒸镀，电镀，磁控溅射中的一种，所述焊盘材质为铜、金、银、铜锡合金中的一种。

10.如权利要求1所述的扇出型封装led器件的制造方法，其特征在于：所述承接衬底进行减薄后的厚度为80-200um。

技术总结
本发明提供了一种扇出型封装LED器件的制造方法，其步骤包括：涂覆黏附层、黏附RGB芯片、涂覆填充层、制备RDL层、涂覆保护层、制备焊盘、剪薄切割，通过使用扇出型封装的方法，增加了同时封装的芯片数量，减少后续焊接固晶数量，利用多组芯片共阴（阳）极结构，减少了大量焊盘的操作数量，降低因焊盘数量导致的良率损失，并通过多组规则排列的RGB芯片在承接衬底上一齐封装，起到放大单个器件封装效率的效果，借助RGB芯片以三颗为一组的定向排列及焊盘共阴（阳）极结构，在组合成显示器时，可以降低至百万次以下的焊接、固晶操作，提升焊接固晶效率和良率并以此降低生产操作成本。

技术研发人员：汪恒青,张星星,林潇雄,胡加辉,金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12