深NWELL接触结构的制作方法

本揭示涉及晶体管装置，尤其涉及位于晶体管装置内的接触结构。

背景技术：

1、晶体管装置使用不同掺杂的区域(不同极性掺杂)来提供相反类型的晶体管。一些结构使用具有一种极性掺杂的下方层(片)以及设置于上方的相反掺杂的行(row)。此类不同掺杂的结构用以偏置晶体管，以获得不同的操作效果。

技术实现思路

1、依据本文中的一个实施例，本文中的结构包括(除其它组件以外)具有第一杂质的深阱(deep well)结构。此类结构还包括接触该深阱结构并具有第二杂质的阱行(wellrow)。此类结构还包括将该阱行封闭(enclose)于封闭区内的阱接触环(well contactring)。此类结构还包括位于该阱行上的晶体管层。此类结构还包括位于该晶体管层内的晶体管。此类结构还包括接触该深阱结构的至少一个环封闭接触(ring-enclosed contact)。该环封闭接触设置于该封闭区内。此类结构还包括接触该阱接触环及该环封闭接触的阱接触连接(well contact connection)。

2、依据本文中的另一个实施例，本文中的结构包括(除其它组件以外)具有第一杂质的深阱结构。此类结构还包括自该深阱结构延伸的阱行。该阱行具有第二杂质，且该第一杂质与该第二杂质具有相反的极性。此类结构还包括在该阱行之间的区域中自该深阱结构延伸的隔离结构。该隔离结构物理接触(physically contact)该阱行，且该隔离结构将相邻的阱行彼此绝缘。此类结构还包括自该深阱结构延伸的阱接触环。该阱接触环封闭封闭区。该阱行位于该封闭区内。此类结构还包括晶体管层，其包括介电材料，位于该阱行及该隔离结构上。此类结构还包括位于该晶体管层内的晶体管。该晶体管中的相邻晶体管具有相反的极性。此类结构还包括自该深阱结构延伸的至少一个环封闭接触。该环封闭接触设置于该封闭区内。此类结构还包括与该阱接触环及该环封闭接触连接的阱接触连接。该阱接触连接设置于该晶体管层上。

3、依据本文中的另一个实施例，本文中的结构包括(除其它组件以外)具有第一杂质的深阱结构。该深阱结构设置于第一层中。此类结构还包括自该深阱结构延伸的阱行。该阱行设置于与该第一层平行的第二层中。该阱行具有第二杂质。该第一杂质与该第二杂质具有相反的极性。此类结构还包括在该阱行之间的区域中自该深阱结构延伸的隔离结构。该隔离结构位于该第二层内。该隔离结构物理接触该阱行，且该隔离结构将相邻的阱行彼此绝缘。此类结构还包括自该深阱结构延伸的阱接触环。该阱接触环位于该第二层内。该阱接触封闭封闭区。该阱行位于该封闭区内。此类结构还包括设置于与该第一层及第二层平行的第三层中的晶体管层。该晶体管层包括介电材料。该第二层位于该第一层与该第三层之间。此类结构还包括位于该晶体管层内的晶体管。该晶体管中的相邻晶体管具有相反的极性。此类结构还包括自该深阱结构延伸的至少一个环封闭接触。该环封闭接触设置于该封闭区内。此类结构还包括与该阱接触环及该环封闭接触连接的阱接触连接。该阱接触连接设置于该晶体管层上，位于与该第一层、第二层以及第三层平行的第四层中，且该第三层位于该第二层与该第四层之间。

技术特征：

1.一种结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该至少一个环封闭接触包括多个环封闭接触，以及其中，所有该环封闭接触位于该封闭区内。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，位于该封闭区内的该环封闭接触的模式与位于该深阱结构中的偏置电压模式对应。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该环封闭接触自该深阱结构延伸穿过该晶体管层。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括与该阱接触环及该环封闭接触连接的阱接触连接，其中，该阱接触连接自该阱接触环延伸穿过该晶体管层，以及其中，该阱接触连接沿该晶体管层的表面延伸。

6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该环封闭接触经设置以中断该阱行的其中之一。

7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该至少一个环封闭接触包括中心接触以及多个环封闭接触，其中，该中心接触设置于该封闭区的中心，以及其中，该环封闭接触与该中心接触以大于该阱行的其中之一的宽度的两倍的间距隔开。

8.一种结构，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该至少一个环封闭接触包括多个环封闭接触，以及其中，所有该环封闭接触位于该封闭区内。

10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，位于该封闭区内的该环封闭接触的模式与位于该深阱结构中的偏置电压模式对应。

11.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该环封闭接触自该深阱结构延伸穿过该晶体管层。

12.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该阱接触连接自该阱接触环延伸穿过该晶体管层，以及其中，该阱接触连接沿该晶体管层的表面延伸。

13.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该环封闭接触经设置以中断该阱行的其中之一。

14.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该至少一个环封闭接触包括中心接触以及多个环封闭接触，其中，该中心接触设置于该封闭区的中心，以及其中，该环封闭接触与该中心接触以大于该阱行的其中之一的宽度的两倍的间距隔开。

15.一种结构，其特征在于，包括：

16.如权利要求15所述的结构，其特征在于，该至少一个环封闭接触包括多个环封闭接触，以及其中，所有该环封闭接触位于该封闭区内。

17.如权利要求16所述的结构，其特征在于，位于该封闭区内的该环封闭接触的模式与位于该深阱结构中的偏置电压模式对应。

18.如权利要求15所述的结构，其特征在于，该阱接触环仅位于该第二层内，以及其中，该环封闭接触自该深阱结构延伸穿过该晶体管层。

19.如权利要求15所述的结构，其特征在于，该阱接触连接自该阱接触环穿过该晶体管层延伸至该第四层中，以及其中，该阱接触连接沿该晶体管层的表面在该第四层内延伸。

20.如权利要求15所述的结构，其特征在于，该环封闭接触经设置以中断该阱行的其中之一。

技术总结
本发明涉及深NWELL接触结构，揭示一种集成结构，包括：(除其它组件以外)具有第一杂质的深阱结构，接触该深阱结构并具有第二杂质的阱行，将该阱行封闭于封闭区内的阱接触环，位于该阱行上的晶体管层，位于该晶体管层内的晶体管，以及接触该深阱结构的至少一个环封闭接触。该环封闭接触设置于该封闭区内。此类结构还包括接触该阱接触环及该环封闭接触的阱接触连接。

技术研发人员：N·K·杰恩,M·拉希德
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15