半导体装置及其制造方法与流程

本发明涉及具有在半导体基板之上形成的电阻性场板的高耐压构造的半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、对于高耐压ic等高耐压构造的半导体装置，多数具有使用了电容性场板、电阻性场板的高耐压构造。作为具有使用了电阻性场板的高耐压构造的半导体装置，例如具有专利文献1所公开的半导体装置。

2、专利文献1所公开的半导体装置通过在设置于电阻性场板之下的绝缘膜形成凹凸形状，从而使电阻性场板的电阻值升高，降低耐压保持时流动的泄漏电流及耗电量。

3、专利文献1：日本特开2016-042542号公报

4、专利文献1所公开的现有的高耐压构造的半导体装置通过在绝缘膜形成凹凸形状，从而使形成为绝缘膜状的电阻性场板的电阻值增加。为了执行用于对具有凹凸形状的绝缘膜进行制造的局部氧化处理、蚀刻处理，需要追加的掩模、加工工序，因此存在半导体装置的工艺成本增加的问题。

技术实现思路

1、本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，得到半导体装置，该半导体装置抑制工艺成本的增加，具有包含电阻性场板的高耐压构造。

2、本发明涉及的半导体装置的第1方式为具有在半导体基板之上设置的高电位区域及低电位区域的半导体装置，其中，所述低电位区域以将所述高电位区域包围的方式与所述高电位区域分离地设置，该半导体装置具有：第1主电极，其设置为与所述高电位区域电连接；第2主电极，其设置为与所述低电位区域电连接；以及电极间连接部，其设置于所述第1主电极及第2主电极间的高耐压分离区域，将所述第1主电极和所述第2主电极电连接，所述电极间连接部包含电阻性场板，该电阻性场板以将所述高电位区域包围的方式在俯视观察时设置为螺旋状，所述半导体装置在所述高耐压分离区域还具有在所述电阻性场板的下方隔着绝缘膜设置的具有导电性的浮置层，所述浮置层、所述第1主电极及所述第2主电极彼此设置于相同的形成层，所述电阻性场板具有反映了所述浮置层的膜厚的浮置台阶。

3、本发明涉及的半导体装置的第2方式为具有在半导体基板之上设置的高电位区域及低电位区域的半导体装置，其中，所述低电位区域以将所述高电位区域包围的方式与所述高电位区域分离地设置，该半导体装置具有：第1主电极，其设置为与所述高电位区域电连接；第2主电极，其设置为与所述低电位区域电连接；以及电极间连接部，其设置于所述第1主电极及第2主电极间的高耐压分离区域，将所述第1主电极和所述第2主电极电连接，所述电极间连接部包含：多个薄膜电阻体，它们彼此分离地设置；以及至少一个高电阻连接部件，其各自以层叠构造设置，所述至少一个高电阻连接部件各自将所述多个薄膜电阻体中的处于相邻关系的一对薄膜电阻体间电连接，包含所述多个薄膜电阻体和所述至少一个高电阻连接部件的主要配线区域在俯视观察时以将所述高电位区域包围的方式设置为螺旋状。

4、发明的效果

5、在本发明的半导体装置的第1方式中，电阻性场板具有反映了浮置层的膜厚的浮置台阶，相应地，形成长度变长而电阻值增加。

6、并且，具有导电性的浮置层与第1及第2主电极设置于相同的形成层，因此能够在制造第1及第2主电极时同时制造出浮置层，相应地，能够抑制制造工艺所需要的工艺成本的增加。

7、其结果，本发明的半导体装置的第1方式抑制工艺成本的增加，并且，实现电阻性场板的电阻值的增大，由此在使用了电阻性场板的耐压构造中，能够实现在第1主电极和第2主电极之间流动的泄漏电流的降低。

8、在本发明的半导体装置的第2方式中，通过高电阻连接部件将多个薄膜电阻体中的处于相邻关系的一对薄膜电阻体间电连接。因此，通过将至少一个高电阻连接部件各自的电阻值设得高，能够使主要配线区域的电阻值增加。

9、其结果，本发明的半导体装置的第2方式实现主要配线区域的电阻值的增大，由此在使用了多个薄膜电阻体的耐压构造中，能够实现在第1主电极和第2主电极之间流动的泄漏电流的降低。

10、并且，本发明的半导体装置的第2方式在增加主要配线区域的电阻值时，没有使用主要配线区域之外的结构部件，相应地，能够抑制制造工艺所需要的成本的增加。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有在半导体基板之上设置的高电位区域及低电位区域，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具有：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

6.一种半导体装置，其具有在半导体基板之上设置的高电位区域及低电位区域，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，还具有：

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，具有：

12.一种半导体装置的制造方法，其中，

技术总结
得到半导体装置，其抑制工艺成本的增加，具有包含电阻性场板的高耐压构造。电阻性场板(6)以从外侧的主电极(4)逐渐接近内侧的主电极(3)的方式，在俯视观察时配置为螺旋状。多个浮置层(8)在俯视观察时以高电位区域(1)为中心朝向低电位区域(2)配置为放射状。电阻性场板(6)隔着层间绝缘膜(10)设置于多个浮置层(8)之上，因此具有反映了多个浮置层(8)各自的膜厚的浮置台阶(S8)。即，电阻性场板(6)是以沿环绕方向重复产生浮置台阶(S8)的方式设置的。

技术研发人员：蔀拓一郎,吉野学,今坂俊博
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14