发光显示装置及其制造方法与流程

本公开涉及一种发光显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种能够减少由氢引起的薄膜晶体管缺陷的发光显示装置及其制造方法。

背景技术：

1、发光显示装置是自发光显示装置，因此不需要单独的光源，这与液晶显示装置不同。因此，可以将发光显示装置制造成重量轻且厚度薄。此外，由于发光显示装置以低电压驱动，因此不仅在功耗方面，而且在颜色、响应速度、视角和对比度的实现方面都是有利的，因此，正在研究发光显示装置作为下一代显示器。

2、在发光显示装置中，设置在每个子像素中的发光二极管被驱动以发光。在这种情况下，为了独立地驱动子像素的发光二极管，在每个子像素中设置一个或更多个电连接至发光二极管的薄膜晶体管(tft)。

3、薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层。源电极和漏电极与半导体层接触，并且栅电极设置为与半导体层交叠。当将预定电压或更高电压的栅极电压施加至薄膜晶体管的栅电极时，在半导体层中形成沟道，以使得电流能够在源电极与漏电极之间流动。如上所述，薄膜晶体管具有开关特性，并且开关特性可以由各种各样的因素确定。例如，当半导体层的材料变形时，薄膜晶体管的迁移率改变，从而可以改变薄膜晶体管的开关特性。

4、发光显示装置包括钝化层，该钝化层保护发光二极管免受穿透发光二极管的水分或氧气的影响。钝化层形成在发光二极管上以保护发光二极管。

5、通过例如使用硅烷(sih4)和氨(nh3)的化学气相沉积(cvd)方法形成钝化层。在通过化学气相沉积方法形成钝化层的过程中，可能从硅烷和氨产生少量的氢。因此，在形成钝化层的过程中产生的氢扩散到钝化层以被包含在钝化层中。包含在钝化层中的残留氢可以在发光二极管中移动。当残留的氢扩散到薄膜晶体管的半导体层以与半导体层反应时，可能改变薄膜晶体管的特性。因此，在形成钝化层的过程中产生的氢不仅会降低薄膜晶体管的特性，还会降低发光显示装置的特性。

技术实现思路

1、为了解决在形成发光显示装置的钝化层时产生的氢保留在发光显示装置中以及残留的氢向薄膜晶体管扩散而使得薄膜晶体管的特性被改变而使发光显示装置的特性降低的问题，本公开的发明人发明了一种能够吸收包含在钝化层中的氢的发光显示装置的新结构及其制造方法。

2、因此，本公开要实现的一个目的是提供一种发光显示装置以及制造发光显示装置的方法，该发光显示装置通过吸收保留在钝化层中的氢来抑制薄膜晶体管的特性降低。

3、此外，本公开要实现的另一目的是提供一种发光显示装置和制造发光显示装置的方法，该发光显示装置具有能够去除钝化层中的氢的结构而无需提供用于去除在形成钝化层的过程中产生的氢的单独的装置。

4、本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。

5、根据本公开的一个方面，一种发光显示装置包括：在薄膜晶体管上的钝化层；在钝化层上的发光二极管，发光二极管具有阳极、在阳极上的发光层和在发光层上的阴极；以及在发光二极管上的氢吸收层，氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。

6、根据本发明的另一方面，一种发光显示装置包括：下基板；下基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括氧化物半导体层；薄膜晶体管上的钝化层；薄膜晶体管和钝化层上的发光二极管，发光二极管包括阳极、阳极上的发光层和发光层上的阴极；以及与发光二极管接触的密封件，该密封件包括吸氢填料。

7、根据本公开的另一方面，一种发光显示装置包括：下基板，其包括薄膜晶体管和发光二极管；下基板上的上基板；位于下基板和上基板之间的粘结剂层，粘结剂层位于薄膜晶体管上；以及粘结剂层和上基板之间的密封件，该密封件包括与粘结剂层接触的吸氢填料。

8、根据本发明的另一方面，一种制造发光显示装置的方法，包括：在下基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；在钝化层上形成包括阳极、发光层和阴极的发光二极管；以及在发光二极管上形成氢吸收层。本发明提供以下技术方案：

9、方案1.一种发光显示装置，包括：

10、下基板；

11、在所述下基板上的薄膜晶体管；

12、在所述薄膜晶体管上的第一钝化层，所述第一钝化层具有氢；

13、在所述第一钝化层上的发光二极管，所述发光二极管具有阳极、所述阳极上的发光层，和所述发光层上的阴极；以及

14、在所述发光二极管上的氢吸收层，所述氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。

15、方案2.根据方案1所述的发光显示装置，

16、其中所述无机材料包括金属、包含所述金属的混合物、和包含所述金属的化合物中的至少一种。

17、方案3.根据方案2所述的发光显示装置，

18、其中所述金属包括以下中的一种或更多种：碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属和后过渡金属。

19、方案4.根据方案2所述的发光显示装置，其中所述金属包括钛(ti)族金属。

20、方案5.根据方案2所述的发光显示装置，

21、其中所述金属包括以下中的一种或更多种：钍(th)、锆(zr)、钒(v)、钯(pd)、钛(ti)、镁(mg)、镍(ni)、锡(sn)、铂(pt)、铬(cr)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、钴(co)和铁(fe)。

22、方案6.根据方案2所述的发光显示装置，

23、其中所述混合物包括镧-镍(la-ni)、镧-镍-铝(la-ni-al)、镍-镁(ni-mg)、铁-钛(fe-ti)和钛-锰(ti-mn)中的一种或更多种。

24、方案7.根据方案2所述的发光显示装置，其中所述金属是直径小于100nm的颗粒。

25、方案8.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述无机材料分散在所述氢吸收层中。

26、方案9.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层与所述阴极接触并且还包括粘结剂材料。

27、方案10.根据方案9所述的发光显示装置，还包括：

28、与所述下基板相对的上基板，

29、其中所述上基板和所述下基板通过所述氢吸收层附接。

30、方案11.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层还包括吸气剂和氢化合物中的至少一种。

31、方案12.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：

32、与所述下基板相对的上基板；以及

33、粘结剂层，其配置成将所述上基板和所述下基板附接。

34、方案13.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：

35、在所述薄膜晶体管上的外涂层；以及

36、在所述外涂层上方的堤部，

37、其中所述无机材料还包含在所述外涂层和所述堤部中。

38、方案14.根据方案13所述的发光显示装置，其中所述堤部与所述第一钝化层的上部接触并且形成为包围所述阳极的侧表面和所述外涂层的侧表面。

39、方案15.根据方案1所述的发光显示装置，

40、其中所述薄膜晶体管包括半导体层，以及

41、所述半导体层由氧化物半导体或非晶半导体形成。

42、方案16.根据方案1所述的发光显示装置，

43、其中所述阳极包括透明导电层，或包括反射层和所述反射层上的透明导电层。

44、方案17.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：

45、在所述发光二极管和所述氢吸收层之间的第二钝化层，

46、其中所述第二钝化层也包含氢。

47、方案18.根据方案17所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层接触所述第二钝化层的上表面和侧表面。

48、方案19.根据方案1或方案17所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层的下表面的一部分与所述第一钝化层接触。

49、方案20.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：

50、与所述发光二极管交叠的滤色器，

51、其中所述滤色器包含氢。

52、方案21.根据方案1所述的发光显示装置，

53、其中，所述第一钝化层设置成覆盖所述薄膜晶体管的上表面和侧表面，以保护所述薄膜晶体管免受来自所述发光显示装置外部的氧或水分的影响。

54、方案22.根据方案1所述的发光显示装置，其中对于入射到所述氢吸收层上的光，所述氢吸收层的透射率是70％或更高。

55、方案23.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述发光二极管设置在所述氢吸收层和所述第一钝化层之间。

56、方案24.一种发光显示装置，包括：

57、下基板；

58、在所述下基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层；

59、在所述薄膜晶体管上的钝化层；

60、在所述薄膜晶体管和所述钝化层上的发光二极管，所述发光二极管包括阳极、所述阳极上的发光层、和所述发光层上的阴极；以及

61、在所述发光二极管上的密封件，所述密封件包括吸氢填料。

62、方案25.根据方案24所述的发光显示装置，

63、其中所述吸氢填料分散在所述密封件中。

64、方案26.根据方案24所述的发光显示装置，

65、其中所述吸氢填料包括以下中的一种或更多种：钍(th)、锆(zr)、钒(v)、钯(pd)、钛(ti)、镁(mg)、镍(ni)、锡(sn)、铂(pt)、铬(cr)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、钴(co)和铁(fe)。

66、方案27.根据方案24所述的发光显示装置，

67、其中所述吸氢填料包括以下中的一种或多种：镧-镍(la-ni)、镧-镍-铝(la-ni-al)、镍-镁(ni-mg)、铁-钛(fe-ti)和钛-锰(ti-mn)。

68、方案28.根据方案24所述的发光显示装置，其中所述密封件覆盖所述发光二极管的侧表面。

69、方案29.根据方案24所述的发光显示装置，还包括：

70、在所述发光二极管的发光区域中的所述钝化层上的滤色器。

71、方案30.根据方案24所述的发光显示装置，其中对于入射到所述密封件上的光，所述密封件的透射率是70％或更高。

72、方案31.根据方案24所述的发光显示装置，还包括：在所述薄膜晶体管以及所述钝化层上的外涂层，

73、其中所述密封件以及钝化层围绕所述发光二极管和所述外涂层。

74、方案32.根据方案24所述的发光显示装置，还包括：

75、在所述薄膜晶体管以及所述钝化层上的外涂层，

76、其中密封件在所述发光二极管和外涂层的外部处接触所述钝化层。

77、方案33.一种发光显示装置，包括：

78、下基板，其包括薄膜晶体管和发光二极管；

79、在所述下基板上的上基板；

80、在所述下基板和所述上基板之间的粘结剂层，所述粘结剂层位于所述薄膜晶体管上；以及

81、在所述粘结剂层和所述上基板之间的密封件，所述密封件包括与所述粘结剂层接触的吸氢填料。

82、方案34.根据方案33所述的发光显示装置，其中对于入射到所述密封件上的光，所述密封件的透射率是70％或更高。

83、方案35.根据方案33所述的发光显示装置，其中所述吸氢填料包括以下中的一种或更多种：钍(th)、锆(zr)、钒(v)、钯(pd)、钛(ti)、镁(mg)、镍(ni)、锡(sn)、铂(pt)、铬(cr)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、钴(co)和铁(fe)。

84、方案36.根据方案33所述的发光显示装置，

85、其中所述吸氢填料包括以下中的一种或更多种：镧-镍(la-ni)、镧-镍-铝(la-ni-al)、镍-镁(ni-mg)、铁-钛(fe-ti)和钛-锰(ti-mn)。

86、方案37.一种制造发光显示装置的方法，所述方法包括：

87、在下基板上形成薄膜晶体管；

88、在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层；

89、在所述第一钝化层上形成包括阳极、发光层和阴极的发光二极管；以及

90、在所述发光二极管上形成具有无机材料的氢吸收层。

91、方案38.根据方案37所述的方法，

92、其中形成所述氢吸收层包括：

93、执行所述无机材料的化学气相沉积方法、溅射方法或热蒸镀方法。

94、方案39.根据方案37所述的方法，

95、其中形成所述氢吸收层包括：

96、将有机材料设置在所述发光二极管上；以及

97、将所述无机材料分散或掺入在所述有机材料中。

98、方案40.根据方案37所述的方法，

99、还包括：

100、在形成所述第一钝化层之后，在所述第一钝化层上形成滤色器。

101、方案41.根据方案37所述的方法，还包括：

102、在形成所述发光二极管之后，

103、形成第二钝化层以覆盖所述发光二极管的外表面。

104、实施方案的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。

105、根据本公开，吸收保留在钝化层中的氢的氢吸收层可以改进(modify)薄膜晶体管的特性，氢吸收层被配置成抑制薄膜晶体管的特性降低。

106、根据本公开的效果不限于上面例举的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。