原料供给系统、基板处理装置以及半导体器件的制造方法与流程

本公开涉及原料供给系统、基板处理装置以及半导体器件的制造方法。

背景技术：

1、以往，作为基板处理装置的一例，已知有制造半导体器件的半导体制造装置。例如，使处理气体供给至反应管内，并进行以规定的处理条件处理基板(以下，也称为“晶片”)的基板处理。近年来，使用了使液体汽化的气体、或者使固体升华的气体等各种各样的处理气体(例如，参照专利文献1)。

2、通常，从特性不同的各原料生成的处理气体分别由不同的系统生成以及供给。另外，在相同的供给系统内，考虑供给阀的二次侧的压力来进行阀切换，由此，进行供给多个处理气体。然而，有因阀的二次侧压力的变动的影响(干涉)而难以实现稳定且一定流量的供给的情况。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：jp特开2018-090834号公报

技术实现思路

1、本公开的目的在于，提供一种能够利用一个原料供给系统实现多个原料的供给的技术。

2、根据本公开的一方面，提供能够将多个原料供给至处理室的构成，该构成具备：

3、第1气体供给管线，其构成为能够利用流量控制器对利用第1原料生成的第1前驱体气体进行流量控制，并供给至所述处理室；以及

4、第2气体供给管线，其构成为能够将利用蒸汽压比所述第1原料低的第2原料生成的第2前驱体气体供给至所述处理室，

5、所述第2前驱体气体的流量根据设于所述第1气体供给管线的所述流量控制器的一次侧压力与所述第2气体供给管线的二次侧压力的差压来决定。

6、发明效果

7、根据本公开，能够利用一个原料供给系统实现多个原料的稳定供给。

技术特征：

1.一种原料供给系统，其能够将多个原料供给至处理室，所述原料供给系统的特征在于，其具备：

2.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的原料供给系统，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

10.根据权利要求5所述的原料供给系统，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

12.根据权利要求9所述的原料供给系统，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的原料供给系统，其特征在于，

14.根据权利要求12所述的原料供给系统，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的原料供给系统，其特征在于，

16.根据权利要求1所述的原料供给系统，其特征在于，

17.一种处理装置，其特征在于，

18.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

技术总结
本发明提供能够利用一个原料供给系统实现多个原料的供给的技术。提供能够将多个原料供给至处理室的构成，该构成具备：第1气体供给管线，其构成为能够利用流量控制器对利用第1原料生成的第1前驱体气体进行流量控制，并供给至所述处理室；以及第2气体供给管线，其构成为能够将利用第2原料生成的第2前驱体气体供给至所述处理室，所述第2前驱体气体的流量根据设于所述第1气体供给管线的所述流量控制器的一次侧压力与从所述第2气体供给管线向所述处理室供给的所述第2前驱体气体的供给压力的差压来决定。

技术研发人员：山元薰,五岛健太郎
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15