高带宽叠层封装结构的制作方法

本发明涉及半导体，并且特别地，涉及一种高带宽叠层封装结构。

背景技术：

1、半导体装置被广泛用于各种电子应用，诸如个人计算机、移动电话、数码摄像机、以及其它电子设备。由于半导体工业正在取得的进展，需要比前一代半导体装置占用更少空间的更小半导体装置。因此，叠层封装(package-on-package，pop)技术已经变得越来越流行。pop技术竖直地堆叠两个或更多个封装结构，并因此可以减少该封装结构在母板上占用的面积量。

2、然而，尽管现有的半导体封装结构通常满足要求，但是它们在每一个方面都不令人满意。例如，热耗散是需要解决的关键问题，因为它影响半导体封装结构的性能。因此，需要进一步改进半导体封装结构。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种高带宽叠层封装结构，具有更好的热耗散性能，以解决上述问题。

2、根据本发明的第一方面，公开一种高带宽叠层封装(hbpop)结构，所述hbpop结构包括：

3、第一封装结构，所述第一封装结构包括：

4、第一封装基板，所述第一封装基板由硅和/或陶瓷材料形成；

5、半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述第一封装基板上方；

6、中介层，所述中介层设置在所述半导体晶粒上方并且由硅和/或陶瓷材料形成；以及

7、模制材料，所述模制材料设置在所述第一封装基板与所述中介层之间并且包围所述半导体晶粒；以及

8、第二封装结构，所述第二封装结构设置在所述第一封装结构上方。

9、根据本发明的第二方面，公开一种高带宽叠层封装(hbpop)结构，所述hbpop结构包括：

10、第一封装基板，所述第一封装基板包括在第一陶瓷层中的第一布线结构；

11、半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述第一封装基板上方并且电联接至所述第一布线结构；

12、模制材料，所述模制材料包围所述半导体晶粒；以及

13、中介层，所述中介层设置在所述模制材料上方并且包括在第二陶瓷层中的第二布线结构。

14、根据本发明的第三方面，公开一种高带宽叠层封装(hbpop)结构，所述hbpop结构包括：

15、竖直堆叠的第一封装结构和第二封装结构，其中，所述第一封装结构包括：

16、第一硅基基板，所述第一硅基基板包括第一布线结构；

17、半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述第一硅基基板上方并且电联接至所述第一布线结构；

18、第二硅基基板，所述第二硅基基板设置在所述半导体晶粒上方并且包括第二布线结构；以及

19、模制材料，所述模制材料与所述第一硅基基板和所述第二硅基基板接触并且覆盖所述半导体晶粒的侧壁。

20、本发明的高带宽叠层封装(hbpop)结构由于包括：第一封装结构，所述第一封装结构包括：第一封装基板，所述第一封装基板由硅和/或陶瓷材料形成；半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述第一封装基板上方；中介层，所述中介层设置在所述半导体晶粒上方并且由硅和/或陶瓷材料形成；以及模制材料，所述模制材料设置在所述第一封装基板与所述中介层之间并且包围所述半导体晶粒；以及第二封装结构，所述第二封装结构设置在所述第一封装结构上方。hbpop结构包括由良好热扩散材料硅和/或陶瓷材料形成的中介层，因此可以实现更好的热扩散能力，从而减慢升温速度并延长全面性能的时间。

技术特征：

1.一种高带宽叠层封装hbpop结构，其特征在于，所述hbpop结构包括：

2.根据权利要求1所述的hbpop结构，其特征在于，所述第一封装基板由低温共烧陶瓷材料、高温共烧陶瓷材料、或其组合形成；或者，所述第一封装基板由纯硅形成。

3.根据权利要求2所述的hbpop结构，其特征在于，所述第一封装基板的厚度介于30μm至250μm之间。

4.根据权利要求1所述的hbpop结构，其特征在于，所述中介层由低温共烧陶瓷材料、高温共烧陶瓷材料、或其组合形成；或者，所述中介层由纯硅形成。

5.根据权利要求4所述的hbpop结构，其特征在于，所述中介层的厚度介于30μm至250μm之间。

6.根据权利要求1所述的hbpop结构，其特征在于，所述第二封装结构包括第二封装基板，所述第二封装基板由低温共烧陶瓷材料、高温共烧陶瓷材料、或其组合形成；或者，所述第二封装结构包括由纯硅形成的第二封装基板。

7.根据权利要求6所述的hbpop结构，其特征在于，所述第二封装基板的厚度介于30μm至250μm之间。

8.一种高带宽叠层封装hbpop结构，其特征在于，所述hbpop结构包括：

9.根据权利要求8所述的hbpop结构，其特征在于，所述第一陶瓷层的底表面和所述第二陶瓷层的顶表面是暴露的。

10.一种高带宽叠层封装hbpop结构，其特征在于，所述hbpop结构包括：

技术总结
本发明公开一种高带宽叠层封装结构，该HBPoP结构包括：第一封装结构，以及设置在第一封装结构上方的第二封装结构。第一封装结构包括：第一封装基板、半导体晶粒、中介层以及模制材料。第一封装基板由硅和/或陶瓷材料形成；半导体晶粒设置在第一封装基板上方；中介层设置在半导体晶粒上方并且由硅和/或陶瓷材料形成；模制材料设置在第一封装基板与中介层之间并且包围半导体晶粒。HBPoP结构包括由良好热扩散材料硅和/或陶瓷材料形成的中介层，因此可以实现更好的热扩散能力，从而减慢升温速度并延长全面性能的时间。

技术研发人员：陈泰宇,杨柏俊,潘宗余,陈银发,于达人,马伯豪,许文松,许耀邦
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15