具有复合接触结构的半导体元件的制作方法

本公开关于一种半导体元件。特别涉及一种具有一复合接触结构的半导体元件。

背景技术：

1、半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，增加不同的问题，且如此的问题持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。

2、上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一基底；一第一介电层，设置在该基底上；一第一导电结构，设置在该第一介电层中并包括一瓶型剖面轮廓；一第一导电层，设置在该第一导电结构与该第一介电层之间以及在该第一导电结构与该基底之间；以及一粘着层，设置在该第一导电层与该第一介电层以及该第一导电层与该基底之间。该粘着层、该第一导电层以及该第一导电结构一起配制成一复合接触结构。该复合接触结构的一深宽比大于7。

2、本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法，包括形成一第一介电层在该基底上；形成一扩孔在该第一介电层中；通过一第一化学气相沉积工艺而共形地形成一粘着层在该扩孔中；通过一第二化学气相沉积工艺而共形地形成一第一导电层在该粘着层上；以及通过一第三化学气相沉积工艺而形成一第一导电结构在该第一导电层上。该粘着层、该第一导电层以及该第一导电结构一起配制成一复合接触结构。该第二化学气相沉积工艺包括一初始沉积步骤以及重复的后续沉积周期，直到该第一导电层形成到一预定厚度。

3、本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法，包括形成一第一介电层在该基底上；通过一第一化学气相沉积工艺而共形地形成一扩孔在该第一介电层中；通过一第二化学气相沉积工艺而共形地形成一第一导电层在该粘着层上；对该第一导电层执行一后处理；以及通过一第三化学气相沉积工艺而形成一第一导电结构在该第一导电层上。该粘着层、该第一导电层以及该第一导电结构一起配制成一复合接触结构。该第二化学气相沉积工艺包括一初始沉积工艺以及重复的后续沉积周期，直到该第一导电层形成到一预定厚度。该后处理包括将乙硼烷脉冲引入该第一导电层。

4、由于本公开该半导体元件的制备方法的设计，可通过增加该第二化学气相沉积工艺的多个沉积周期的重复次数来改善侧壁覆盖率。此外，通过对该第一导电层进行该后处理，该第一导电结构可具有更大的晶粒尺寸以及改善的电阻率。

5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

技术特征：

1.一种半导体元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电层包括：

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该粘着层包括：

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该粘着层的该下部的一厚度大于该粘着层的该侧壁部的一厚度。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一导电层的该下部的一厚度大于该第一导电层的该侧壁部的一厚度。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第一导电层与该第一导电结构包括相同材料。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该粘着层包括氮化钛。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一导电结构的一中间部的一宽度大于该第一导电结构的一上部的一宽度或是该第一导电结构的一下部的一宽度。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一导电结构的该上部的该宽度与该第一导电结构的该下部的该宽度大致相同。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一导电结构的该上部的该宽度与该第一导电结构的该下部的该宽度是不同的。

11.如权利要求1所述的半导体元件，其中该复合接触结构的一深宽比大于7。

技术总结
本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一介电层，设置在该基底上；一第一导电结构，设定在该第一介电层中并具有一瓶型剖面轮廓；一第一导电层，设置在该第一导电结构与该第一介电层之间以及在该第一导电结构与该基底之间；以及一粘着层，设置在该第一导电层与该第一介电层之间以及在该第一导电层与该基底之间。该粘着层、该第一导电层以及该第一导电结构一起配置成一复合接触结构。该复合接触结构的一深宽比大于7。

技术研发人员：张裕彰,陈栢宏
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15