半导体装置和半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、半导体装置具有设有igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、fwd(free wheeling diode：续流二极管)等半导体元件的基板，被利用于逆变器装置等(例如，参照专利文献1～3)。

2、在这种半导体装置中，提案有一种半导体装置，该半导体装置具有：接合体，其将与配置有半导体元件的绝缘基板电连接的端子利用接合层与绝缘基板的电路图案接合；以及支承体，其保持接合体与电路图案之间的距离，以使接合层介于接合体与电路图案之间(例如，参照专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2021/100199号

6、专利文献2：日本特开2019－140320号公报

7、专利文献3：日本特开2013－197560号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、另外，功率半导体装置具有uvw相的各个相的输出端子，以驱动3相马达。另外，功率半导体装置相对于各个相具有pn端子，以与主电路电容器连接。

3、自uvw的输出端子和各相的pn端子与装置内部连接的连接端子例如利用超声波连接接合于安装有igbt等的正反面粘贴有cu箔的绝缘基板。

4、伴随着近年对半导体装置的小型化、薄型化的要求，这些连接端子在较窄的空间与绝缘基板接合。因此，连接端子自身也变小，而容易产生发热。由发热产生的热应力有可能导致半导体装置的可靠性的降低。

5、如上所述，利用冲切加工和弯折加工形成具备利用接合层与电路图案接合的接合体和保持该接合体与电路图案之间的距离的支承体的端子。因此，即使支承体作为散热路径的一部分发挥功能，若不采用积极地增大端子自身的体积的结构，也无法增大端子的热容量。

6、本发明的目的在于提供能够抑制具有能够与外部导体连接的主端子和与电路板接合的连接端子的端子构件中的连接端子的发热的半导体装置和半导体装置的制造方法。

7、用于解决问题的方案

8、在一个技术方案中，半导体装置具备半导体元件、具有与所述半导体元件电连接的电路板的绝缘基板、端子构件。所述端子构件具有能够与外部导体连接的主端子和与所述电路板接合的连接端子。所述连接端子具有：前端部分，其与所述电路板接合；主体部分，其自该前端部分立起，并向所述主端子侧延伸；以及导电性的连结部分，其与该主体部分连结。所述连结部分的与电流路径正交的截面积大于所述主体部分中所述连结部分所连结的部分的与电流路径正交的截面积。

9、发明的效果

10、根据所述技术方案，能够抑制具有能够与外部导体连接的主端子和与电路板接合的连接端子的端子构件中的连接端子的发热。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.一种半导体装置的制造方法，该制造方法制造如下所述半导体装置，该半导体装置具备：半导体元件；绝缘基板，其具有与所述半导体元件电连接的电路板；以及端子构件，其具有能够与外部导体连接的主端子和与所述电路板接合的连接端子，在所述半导体装置中，所述连接端子具有：前端部分，其与所述电路板接合；主体部分，其自该前端部分立起，并向所述主端子侧延伸；以及导电性的连结部分，其与该主体部分连结，所述连结部分的与电流路径正交的截面积大于所述主体部分中所述连结部分所连结的部分的与电流路径正交的截面积，该半导体装置的制造方法的特征在于，

技术总结
本发明提供半导体装置及其制造方法，抑制具有可与外部导体连接的主端子和与电路板接合的连接端子的端子构件中的连接端子的发热。半导体装置(1)具备半导体元件(7)、与半导体元件电连接的电路板(62)、端子构件(18)。端子构件具有可与外部导体连接的主端子(18a)和与电路板(62)接合的连接端子(18b)。连接端子(18b)具有与电路板(62)接合的前端部分(21)、自前端部分(21)立起并向主端子(18a)侧延伸的主体部分(22)以及连结于主体部分(22)的导电性的连结部分(23)。连结部分(23)的与电流路径正交的截面积大于主体部分(22)中连结部分所连结的部分的与电流路径正交的截面积。

技术研发人员：川上庆彦
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16