基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质与流程

本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术：

1、作为半导体器件(设备)的制造工序的一个工序，有时在多个处理炉内相对于基板执行多个处理(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：jp实公平5-17879号公报

技术实现思路

1、如上所述，在多个处理炉内相对于基板执行多个处理的情况下，有时处理结束的基板到进行下一处理为止会产生待机时间。另外，在该待机时间内，有基板表面暴露于大气或者在基板表面附着颗粒的情况。

2、本公开提供一种能够抑制基板表面的氧化和颗粒的附着从而提高生产能力的技术。

3、根据本公开的一方面，提供一种技术，其具备：

4、相对于搬入来的基板分别执行预先设定的处理的多个处理室；

5、与所述多个处理室相邻且保持在减压状态的搬运室；以及

6、待机室，其构成为能够以减压状态与所述搬运室连通，具有能够对所述多个处理室中的第一处理室中的处理结束之后的多个基板进行支承的多个支承部，并向利用所述多个支承部分别支承的多个基板中的每规定张数的基板供给非活性气体。

7、发明效果

8、根据本公开，能够抑制基板表面的氧化和颗粒的附着从而提高生产能力。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

6.一种半导体器件的制造方法，其包括如下的工序：

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其包括如下的工序：

10.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，

11.一种可由计算机读取的记录介质，其记录有程序，所述程序通过计算机使基板处理装置执行如下的步骤：

12.根据权利要求11所述的记录介质，其中，

13.根据权利要求11所述的记录介质，其中，

14.根据权利要求11所述的记录介质，其包括如下的步骤：

15.根据权利要求11所述的记录介质，其中，

技术总结
本发明提供一种能够抑制基板表面的氧化和颗粒的附着来提高生产能力的技术。基板处理装置具备：相对于搬入来的基板分别执行预先设定的处理的多个处理室；与所述多个处理室相邻且保持在减压状态的搬运室；以及待机室，其构成为能够以减压状态与所述搬运室连通，具有能够对所述多个处理室中的第一处理室中的处理结束之后的多个基板进行支承的多个支承部，并向利用所述多个支承部分别支承的多个基板中的每规定张数的基板供给非活性气体。

技术研发人员：大桥直史,天野富大,宫田智之
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6