本发明涉及led封装,特别涉及一种高反射led像素框架结构、制造方法及led器件。
背景技术:
1、目前cob封装是10w以上的大功率led设备的主要封装方式,这是因为cob封装相对于传统的单芯片led集成具有封装工艺简单、制造成本低廉、结构紧凑等优势。然而,由于空气层和封装层直接存在着全内反射效应,导致光在封装层内部以热量的形式损失,在降低cob封装器件出光的同时也给cob器件带来散热的问题,极大降低了cob器件的性能。此外,传统使用碳粉、磁铁、石墨等材料等吸光材料制造的像素框架虽然能够解决串光的问题,但同时会显著地增大光损耗,降低光效,不利于led器件的出光。
技术实现思路
1、本发明的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种高反射led像素框架结构,能够在led器件的性能提升会有非常显著的效果,其阵列化结构可以达到防止串光的效果,同时对提升出光有着显著的影响,也能够增强器件的散热,提升器件的寿命。
2、本发明还提出一种上述高反射led像素框架结构的制造方法。
3、本发明还提出一种包括上述高反射led像素框架结构的led器件。
4、根据本发明第一方面实施例的高反射led像素框架结构,包括:层叠设置的消光层和散射层,所述散射层的出光口适于到达所述消光层;
5、其中,所述散射层包括第一高分子聚合物和高反射粒子组成,所述消光层包括消光材料和第二高分子聚合物组成。
6、根据本发明的第一方面实施例的高反射led像素框架结构,至少具有如下有益效果:散射层由高分子聚合物和高反射粒子组成,光线在像素框架内产生强烈的反射,最终通过散射层出光口到达消光层,消光层由消光材料和高分子聚合物组成,与传统的单纯由碳粉、磁铁、石墨等吸光材料制造的像素框架,本发明有效杜绝串光问题的同时能显著降低光损耗,提升器件出光。
7、根据本发明的第一方面实施例所述的高反射led像素框架结构,所述高反射粒子和所述第一高分子聚合物的比例为0.1g/g~0.7g/g。
8、根据本发明的第一方面实施例所述的高反射led像素框架结构,所述高反射粒子包括sio2、tio2、bn、纳米银中的至少一种。
9、根据本发明的第一方面实施例所述的高反射led像素框架结构,所述消光材料和所述第二高分子聚合物的比例为0.1g/g~0.7g/g。
10、根据本发明的第一方面实施例所述的高反射led像素框架结构,所述高反射粒子设置为高反射高导热粒子。
11、根据本发明的第一方面实施例所述的高反射led像素框架结构,所述高反射高导热粒子包括纳米氮化硼、碳纳米管、活性氧化铝中的至少一种。
12、根据本发明第二方面实施例的高反射led像素框架结构制造方法,包括以下步骤:
13、s1、将第一高分子聚合物、高反射粒子配置成第一溶液;
14、s2、用注射器抽取第一溶液并把第一溶液从模具的注液孔注入,注满后第一溶液从排液孔排出;
15、s3、将模具放入烤箱中固化,其中模具包括上基板、下基板和设置在之间的第一垫片,固化完成后完成的散射层制作,将制备完成的散射层与上基板分离,散射层依附在下基板中;
16、s4、将第二高分子聚合物、消光材料配置成第二溶液;
17、s5、将第一垫片更换为厚度更大的第二垫片,往第二垫片上盖上上基板,四周夹紧,往上基板的注液孔中注入第二溶液,注满后第二溶液从排液孔排出;
18、s6、把模具放入烤箱中固化,固化完成后消光层制作完成。
19、根据本发明的第二方面实施例所述的高反射led像素框架结构的制造方法,通过第一垫片和第二垫片控制消光层和散射层的厚度;其中,第一垫片的厚度为散射层的厚度,第二垫片的厚度为散射层与消光层厚度的总和。
20、根据本发明第三方面实施例的高反射led像素框架结构制造方法,包括以下步骤:
21、s1、将第一高分子聚合物、高反射粒子配置成第一溶液;
22、s2、用注射器抽取第一溶液并装入3d打印机,通过点胶的方式将第一溶液点胶于led器件衬底上;
23、s3、将led器件放入烤箱中进行固化,固化完成后散射层制作完成;
24、s4、将第二高分子聚合物、消光材料配置成第二溶液;
25、s5、用注射器抽取第二溶液并装入3d打印机,通过点胶的方式将第二溶液点胶于散射层上;
26、s6、将led器件放入烤箱中进行固化,固化完成后消光层制作完成。
27、根据本发明第四方面实施例的led器件,包括:如本发明的第一方面实施例所述的高反射led像素框架结构。
28、不难理解,本发明第二方面实施例、本发明第三方面实施例中的高反射led像素框架结构制造方法和本发明第四方面实施例中的led器件,均具有如前所述第一方面实施例中的高反射led像素框架结构的技术效果,因而不再赘述。
29、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
1.一种高反射led像素框架结构,其特征在于,包括:层叠设置的消光层和散射层,所述散射层的出光口适于到达所述消光层;
2.根据权利要求1所述的高反射led像素框架结构,其特征在于:所述高反射粒子和所述第一高分子聚合物的比例为0.1g/g~0.7g/g。
3.根据权利要求2所述的高反射led像素框架结构,其特征在于:所述高反射粒子包括sio2、tio2、bn、纳米银中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的高反射led像素框架结构,其特征在于:所述消光材料和所述第二高分子聚合物的比例为0.1g/g~0.7g/g。
5.根据权利要求1所述的高反射led像素框架结构,其特征在于:所述高反射粒子设置为高反射高导热粒子。
6.根据权利要求5所述的高反射led像素框架结构,其特征在于:所述高反射高导热粒子包括纳米氮化硼、碳纳米管、活性氧化铝中的至少一种。
7.一种如权利要求1至6任一项的高反射led像素框架结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
8.根据权利要求7所述的高反射led像素框架结构的制造方法,其特征在于:通过第一垫片和第二垫片控制消光层和散射层的厚度;其中,第一垫片的厚度为散射层的厚度,第二垫片的厚度为散射层与消光层厚度的总和。
9.一种如权利要求1至6任一项所述的高反射led像素框架结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
10.一种led器件,其特征在于,包括:如权利要求1至6任一项所述的高反射led像素框架结构。