制造半导体器件的方法与流程

本发明涉及一种制造半导体器件的技术，并且涉及被有效地应用的技术，例如使用两种类型的镀膜来制造半导体器件的技术。

背景技术：

1、下面列出了公开的技术。

2、[专利文献1]日本未审查专利申请公开号2014-93431

3、日本未审查专利申请公开号2014-93431(专利文献1)描述了使用包含镍作为主要成分的镀膜和包含金作为主要成分的镀膜的技术。

技术实现思路

1、例如，存在将两个半导体芯片封装到一个封装中以成为一个半导体器件的技术。在该技术中，一个半导体芯片(称为“第一半导体芯片”)和一个引线通过第一接合线而彼此连接，而另一个半导体芯片(称为“第二半导体芯片”)和另一引线通过第二接合线而彼此连接。在这种情况下，构成连接到第一半导体芯片的接合线的材料和构成连接到第二半导体芯片的接合线的材料在一些情况下彼此不同。换句话说，在通过将两个半导体芯片封装到一个封装中所形成的半导体器件中，可能会使用由两种不同类型的材料制成的接合线。

2、为了确保接合线与引线之间的连接的可靠性，在引线的表面上形成镀膜。在这种情况下，根据接合线的材料，选择在引线的表面上形成的镀膜的类型。因此，在使用由两种不同类型的材料制成的接合线的半导体器件中，使用两种不同类型的镀膜。

3、根据本发明人的研究，已经发现使用两种不同类型的镀膜来制造半导体器件的技术从改进所制造的半导体器件的可靠性的观点来看具有改进的空间。因此，在使用两种不同类型的镀膜来制造半导体器件的技术中，期望做出用于改进半导体器件的可靠性的发明。

4、根据一个实施例的制造半导体器件的方法包括：步骤(a)，准备包括第一区域和第二区域的框架构件，第一区域和第二区域在第一方向上彼此平行地延伸且彼此间隔开；步骤(b)，在第一区域中形成第一镀膜；步骤(c)，在第二区域中形成第二镀膜，第二镀膜与第一镀膜在类型上是不同的；以及步骤(d)，在步骤(b)和(c)之后，对框架构件执行冲压过程，由此形成多个器件区域，每个器件区域包括第一区域的部分和第二区域的部分。在这种情况下，在步骤(d)中形成的多个器件区域中的每个器件区域包括第一管芯焊盘、第二管芯焊盘、在第一方向上布置的多个第一引线以及在第一方向上布置的多个第二引线。并且，多个第一引线、第一管芯焊盘、第二管芯焊盘和多个第二引线被布置在与第一方向交叉的第二方向上。多个第一引线中的每个第一引线包括第一区域的该部分但不包括第二区域的该部分，并且多个第二引线中的每个第二引线包括第二区域的该部分但不包括第一区域的该部分。

5、根据一个实施例，可以改善半导体器件的可靠性。

技术特征：

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，

7.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

8.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

9.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

技术总结
本公开涉及一种制造半导体器件的方法，在包括在第一方向上彼此平行地延伸且彼此间隔开的第一区域和第二区域的框架构件中，第一镀膜和第二镀膜分别被形成在第一区域和第二区域中。第二镀膜与第一镀膜在类型上是不同的。然后，对包括第一区域和第二区域的框架构件执行冲压过程，从而形成包括多个引线的引线框架。引线框架包括第一引线组和第二引线组。在第一引线组中形成第一镀膜，但是在第一引线组中不形成第二镀膜。同时，在第二引线组中形成第二镀膜，但在第二引线组中不形成第一镀膜。

技术研发人员：波多俊幸
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15