晶体管栅极结构及其形成方法与流程

本公开总体涉及晶体管栅极结构及其形成方法。

背景技术：

1、半导体器件用于各种电子应用中，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式来制造半导体器件：在半导体衬底之上顺序地沉积材料的绝缘或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。

2、半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定面积中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了需要解决的其他问题。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一纳米结构；栅极电介质层，围绕所述第一纳米结构；第一p型功函数调整层，位于所述栅极电介质层上；电介质阻挡层，位于所述第一p型功函数调整层上；以及第二p型功函数调整层，位于所述电介质阻挡层上，所述电介质阻挡层比所述第一p型功函数调整层和所述第二p型功函数调整层薄。

2、根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一纳米结构；第二纳米结构；第一栅极电介质层，围绕所述第一纳米结构和所述第二纳米结构；第一p型功函数调整层，位于所述第一栅极电介质层上；电介质阻挡层，位于所述第一p型功函数调整层上；以及第二p型功函数调整层，位于所述电介质阻挡层上，所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的第一区域被所述第一栅极电介质层、所述第一p型功函数调整层、所述电介质阻挡层以及所述第二p型功函数调整层完全填充。

3、根据本公开的又一实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在栅极电介质层上沉积第一p型功函数调整层；在所述第一p型功函数调整层上沉积保护层；在所述保护层覆盖所述第一p型功函数调整层的同时，对所述第一p型功函数调整层和所述栅极电介质层进行退火；在所述退火之后，去除所述保护层的至少一部分，在去除所述保护层期间，在所述第一p型功函数调整层上形成阻挡层；以及在所述阻挡层上沉积第二p型功函数调整层。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二p型功函数调整层比所述第一p型功函数调整层厚。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一p型功函数调整层包括与所述第二p型功函数调整层相同的p型功函数材料。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一p型功函数调整层包括与所述第二p型功函数调整层不同的p型功函数材料。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一p型功函数调整层和所述第二p型功函数调整层各自包括金属氮化物。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电介质阻挡层包括氮氧化硅。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电介质阻挡层具有小于约的厚度。

8.一种半导体器件，包括：

9.根据权利要求8所述的器件，还包括：

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

技术总结
本公开涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；栅极电介质层，围绕第一纳米结构；第一p型功函数调整层，位于栅极电介质层上；电介质阻挡层，位于第一p型功函数调整层上；以及第二p型功函数调整层，位于电介质阻挡层上，电介质阻挡层比第一p型功函数调整层和第二p型功函数调整层薄。

技术研发人员：李欣怡,陈智城,丘子轩,张文,徐志安
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15