集成电路器件及其制造方法与流程

本申请的实施例涉及集成电路器件及其制造方法。

背景技术：

1、集成电路(“ic”)器件或半导体器件包括在ic布局图(也被称为“布局图”)中表示的一个或多个器件。布局图是阶层式的，包括根据ic设计规范执行更高阶功能的模块。模块通常由单元组合构建，每个单元代表一个或多个配置为执行特定功能的半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时被称为标准单元)储存在标准单元库中(为了简单起见，以下简称“库”或“单元库”)，并可以通过各种工具(诸如电子设计自动化(eda)工具)存取，以生成、优化和验证ic的设计。

2、半导体器件的功耗最小化是一个设计考虑因素。一种方法包括在电源供应节点(或轨道)和功能电路之间包括头部电路(也被称为“头部开关”)和/或脚部电路(也被称为“脚部开关”)。当功能电路处于非激活状态时，通过关闭头部开关和/或脚部开关可以降低功耗。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种集成电路(ic)器件，包括衬底，衬底包括电源控制电路，并且具有相对的前侧和背侧，前侧金属层，背侧金属层，第一馈送贯通孔(ftv)和第二ftv。前侧金属层位于衬底的前侧上，并且包括第一前侧电源轨和第二前侧电源轨。背侧金属层位于衬底的背侧上，并且包括第一背侧电源轨和第二背侧电源轨。第一ftv延伸穿过衬底并且将第一前侧电源轨耦接到第一背侧电源轨。第二ftv延伸穿过衬底并且将第二前侧电源轨耦接到第二背侧电源轨。电源控制电路耦接到第一前侧电源轨和第二前侧电源轨，并且是可控制的以：将第一前侧电源轨电连接到第二前侧电源轨，或者将第一前侧电源轨与第二前侧电源轨电性断开连接。

2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种制造集成电路(ic)器件的方法，方法包括：在具有相对的前侧和背侧的衬底上方制造电路。方法还包括在衬底的前侧上方制造前侧再分布结构。前侧再分布结构包括：第一前侧电源轨和第二前侧电源轨，沿着第一轴延伸，并且耦接到电路；第一导电图案，沿着横向于第一轴的第二轴从第一前侧电源轨凸出；和第二导电图案，沿着第二轴从第二前侧电源轨凸出。方法还包括制造延伸穿过衬底的多个馈送贯通孔(ftv)。多个ftv包括：第一ftv，耦接到第一导电图案；和第二ftv，耦接到第二导电图案。方法还包括在衬底的背侧上方制造背侧再分布结构。背侧再分布结构包括：第一背侧电源轨，耦接到第一ftv；和第二背侧电源轨，耦接到第二ftv。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种集成电路(ic)器件，包括：衬底，衬底包括电路并且具有相对的前侧和背侧，位于衬底的背侧上的第一和第二背侧电源轨，位于衬底的前侧上并耦接到电路的第一和第二前侧电源轨，以及多个馈送贯通孔(ftv)结构。每个ftv结构包括：前侧导电图案，位于衬底的前侧上，背侧导电图案，位于衬底的背侧上，和ftv，延伸穿过衬底，并且耦接前侧导电图案和背侧导电图案。多个ftv结构包括：至少一个第一ftv结构，具有耦接到第一前侧电源轨的前侧导电图案以及耦接到第一背侧电源轨的背侧导电图案，和至少一个第二ftv结构，具有耦接到第二前侧电源轨的前侧导电图案以及耦接到第二背侧电源轨的背侧导电图案。

技术特征：

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中

7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中

9.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

10.一种集成电路器件，包括：

技术总结
一种集成电路(IC)器件包括具有电源控制电路的衬底、前侧金属层和背侧金属层以及第一和第二馈送贯通孔(FTV)。前侧金属层具有第一和第二前侧电源轨。背侧金属层具有第一和第二背侧电源轨。第一FTV延伸穿过衬底，并将第一前侧电源轨耦接到第一背侧电源轨。第二FTV延伸穿过衬底并将第二前侧电源轨耦接到第二背侧电源轨。电源控制电路耦接到第一和第二前侧电源轨，并且是可控制以将第一前侧电源轨电连接到第二前方电源轨，或者将第一前侧电源轨与第二前侧电源轨电性断开连接。本申请的实施例还涉及制造集成电路器件的方法。

技术研发人员：林晋申,卢永峰,甘皓天,廖人政
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15