实现可调脉冲恒流驱动的电路结构的制作方法

本发明涉及电学领域，尤其涉及半导体激光领域，具体是指一种实现可调脉冲恒流驱动的电路结构。

背景技术：

1、目前，半导体激光已广泛应用于信息通信、医疗与军事等许多领域。随着技术的不断发展对激光器的脉冲驱动控制要求也越来越高，随之而来的是要求对激光器稳定可靠高效的控制；本设计通过精确的控制限流电阻，进而实现对激光器的可调脉冲恒流驱动。

技术实现思路

1、本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种满足稳定、可靠、高效、适用范围较为广泛的实现可调脉冲恒流驱动的电路结构。

2、为了实现上述目的，本发明的实现可调脉冲恒流驱动的电路结构如下：

3、该实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，其主要特点是，所述的电路结构包括可调脉冲恒流驱动电路、mcu电路和脉冲产生电路，所述的可调脉冲恒流驱动电路分别与mcu电路和脉冲产生电路相连，所述的脉冲产生电路与mcu电路相连；所述的电路结构通过调节外部输入的电压值，来调节可调脉冲恒流驱动电路中限流mos管的阻值，进而调节激光器上的电压值，实现控制激光器可调脉冲恒流。

4、较佳地，所述的电路结构还包括供电电路，所述的供电电路分别与可调脉冲恒流驱动电路、mcu电路和脉冲产生电路相连。

5、较佳地，所述的可调脉冲恒流驱动电路包括第一mos管、第二mos管、运算放大器，所述的运算放大器的同相输入端与电源电压相连，所述的运算放大器通过反相输入端接收外部控制信号，所述的运算放大器的输出与第一mos管的栅极相连，所述的第一mos管的漏极通过电阻与电源电压相连，第一mos管的源极接地，所述的第一mos管的栅极与第二mos管的栅极相连，所述的第二mos管的漏极与种子源相连，所述的第二mos管的源极通过电阻与种子源相连，所述的第一mos管和第二mos管的内阻相等。

6、较佳地，所述的脉冲产生电路包括第三mos管和脉冲产生芯片，所述的第三mos管的漏极与第二mos管相连，所述的第三mos管的源极接地，所述的第三mos管的栅极与控制芯片电路相连。

7、采用了本发明的实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，相较于传统的增加滑动变阻器来改变激光的输出功率，本技术方案对此进行了改进，使用了mos管代替滑动变阻器，这样可以通过外部dac控制信号，就可以实现对输出功率的线性控制。

技术特征：

1.一种实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括可调脉冲恒流驱动电路、mcu电路和脉冲产生电路，所述的可调脉冲恒流驱动电路分别与mcu电路和脉冲产生电路相连，所述的脉冲产生电路与mcu电路相连；所述的电路结构通过调节外部输入的电压值，来调节可调脉冲恒流驱动电路中限流mos管的阻值，进而调节激光器上的电压值，实现控制激光器可调脉冲恒流。

2.根据权利要求1所述的实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括供电电路，所述的供电电路分别与可调脉冲恒流驱动电路、mcu电路和脉冲产生电路相连。

3.根据权利要求1所述的实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，其特征在于，所述的可调脉冲恒流驱动电路包括第一mos管、第二mos管、运算放大器，所述的运算放大器的同相输入端与电源电压相连，所述的运算放大器通过反相输入端接收外部控制信号，所述的运算放大器的输出与第一mos管的栅极相连，所述的第一mos管的漏极通过电阻与电源电压相连，第一mos管的源极接地，所述的第一mos管的栅极与第二mos管的栅极相连，所述的第二mos管的漏极与种子源相连，所述的第二mos管的源极通过电阻与种子源相连，所述的第一mos管和第二mos管的内阻相等。

4.根据权利要求3所述的实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，其特征在于，所述的脉冲产生电路包括第三mos管和脉冲产生芯片，所述的第三mos管的漏极与第二mos管相连，所述的第三mos管的源极接地，所述的第三mos管的栅极与脉冲产生芯片相连。

技术总结
本发明涉及一种实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，包括可调脉冲恒流驱动电路、MCU电路和脉冲产生电路，所述的可调脉冲恒流驱动电路分别与MCU电路和脉冲产生电路相连，所述的脉冲产生电路与MCU电路相连；所述的电路结构通过调节外部输入的电压值，来调节可调脉冲恒流驱动电路中限流MOS管的阻值，进而调节激光器上的电压值，实现控制激光器可调脉冲恒流。采用了本发明的实现可调脉冲恒流驱动的电路结构，相较于传统的增加滑动变阻器来改变激光的输出功率，本技术方案对此进行了改进，使用了MOS管代替滑动变阻器，这样可以通过外部DAC控制信号，就可以实现对输出功率的线性控制。

技术研发人员：常帅帅
受保护的技术使用者：上海拜安实业有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13