包括背面电源轨的集成电路器件及其形成方法与流程

本公开大体涉及电子领域，更具体地，涉及包括背面电源轨的集成电路器件。

背景技术：

1、已经提出了集成电路器件的各种结构及其形成方法以简化器件制造的中段(mol)部分或后段(beol)部分，从而提高器件的集成度。例如，背面电源轨可以简化器件制造的beol部分。然而，集成电路器件可以包括高纵横比接触，当包括背面电源轨时，该高纵横比接触电连接衬底的正面和背面上的元件。

技术实现思路

1、根据本发明的一些实施方式，形成集成电路器件的方法可以包括提供包括前表面和与前表面相反的背表面的衬底。第一有源区和第二有源区、隔离层以及第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构可以提供在衬底的前表面上，隔离层可以在第一有源区和第二有源区之间，第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构可以分别接触第一有源区和第二有源区的上表面，第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构可以每个包括沟道层和牺牲层。该方法还可以包括在隔离层的上表面上形成蚀刻停止层；分别用第一源极/漏极区和第二源极/漏极区替换第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构的部分；形成接触第一源极/漏极区的前接触，其中前接触可以包括在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的前接触插塞；在隔离层的下表面上形成背面绝缘体；以及形成在隔离层和背面绝缘体中并接触前接触插塞的下表面的背接触插塞。前接触插塞的一部分和背接触插塞的一部分中的至少一个可以在蚀刻停止层中。

2、根据本发明的一些实施方式，形成集成电路器件的方法可以包括提供衬底，在该衬底上提供前结构。衬底可以包括前表面和与前表面相反的背表面，并且前结构可以包括从衬底的前表面突出的第一有源区和第二有源区、在第一有源区和第二有源区之间的隔离层、在隔离层上的蚀刻停止层、分别在第一有源区和第二有源区上的第一沟道层和第二沟道层、分别在第一有源区和第二有源区上并分别接触第一沟道层和第二沟道层的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区、以及跨过第一沟道层和第二沟道层以及隔离层的栅极结构。该方法还可以包括形成接触第一源极/漏极区的前接触；在形成前接触之后形成背面绝缘体，其中隔离层可以在蚀刻停止层和背面绝缘体之间；以及形成在隔离层和背面绝缘体中并接触前接触的背接触插塞。

3、根据本发明的一些实施方式，集成电路器件可以包括在第一水平方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；分别重叠第一有源区和第二有源区的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；在第一有源区和第二有源区之间的隔离层；在隔离层上在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的第一绝缘体；在隔离层和第一绝缘体之间的蚀刻停止层；在第一绝缘体中并接触第一源极/漏极区的前接触，其中前接触可以包括在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的前接触插塞；背面绝缘体，其中隔离层在蚀刻停止层与背面绝缘体之间；以及背接触插塞，在背面绝缘体和隔离层中并接触前接触插塞。前接触插塞的一部分和背接触插塞的一部分中的至少一个可以在蚀刻停止层中。

技术特征：

1.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述蚀刻停止层包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述前接触包括：

4.根据权利要求1所述的方法，还包括形成接触所述第二源极/漏极区的源极/漏极接触，

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述背接触插塞包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述背面开口包括蚀刻所述蚀刻停止层的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括形成背面电源轨，

8.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述前接触插塞之后和形成所述背面绝缘体之前，去除所述衬底的下部直到暴露所述隔离层的所述下表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一牺牲堆叠结构和所述第二牺牲堆叠结构的所述部分是第一部分，并且所述第一牺牲堆叠结构和所述第二牺牲堆叠结构每个还包括第二部分，以及

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻停止层的最上端距所述衬底不比所述第一有源区和所述第二有源区的所述上表面距所述衬底更远。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述前接触插塞的所述部分和所述背接触插塞的所述部分在所述蚀刻停止层中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述背接触插塞的宽度随着距所述前接触插塞的距离增加而增加。

13.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述背接触插塞包括：

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述前接触的一部分和所述背接触插塞的一部分中的至少一个在所述蚀刻停止层中。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述蚀刻停止层包括在所述栅极结构和所述隔离层之间的部分。

17.一种集成电路器件，包括：

18.根据权利要求17所述的集成电路器件，其中所述前接触插塞和所述背接触插塞之间的界面在所述蚀刻停止层中。

19.根据权利要求17所述的集成电路器件，还包括：

20.根据权利要求17所述的集成电路器件，其中所述背接触插塞在所述第一水平方向上的宽度随着距所述前接触插塞的距离增加而增加。

技术总结
本公开涉及集成电路器件及其形成方法。形成集成电路器件的方法可以包括提供第一有源区和第二有源区、隔离层以及第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构。第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构可以接触第一有源区和第二有源区，并且第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构每个可以包括沟道层和牺牲层。该方法还可以包括在隔离层上形成蚀刻停止层，用第一源极/漏极区和第二源极/漏极区替换第一牺牲堆叠结构和第二牺牲堆叠结构的部分，形成包括前接触插塞的前接触，形成背面绝缘体，以及在隔离层和背面绝缘体中形成背接触插塞。前接触插塞的一部分和背接触插塞的一部分中的至少一个可以在蚀刻停止层中。

技术研发人员：郑明勋,洪元赫,曹健浩,黄寅灿,徐康一
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15